Купить (100 RUB)
|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Доступ платный или только для Подписчиков
Моделирование зависимости энергии поглощаемого фотона от магнитного поля в полупроводниках
https://doi.org/10.15518/isjaee.2016.19-20.130-138
Аннотация
Предложен простой метод расчета осцилляции комбинированной плотности состояний в квантующем магнитном поле с неквадратичным законом дисперсии. Получена температурная зависимость осцилляции комбинированной плотности состояний в полупроводниках с непараболическим законом дисперсии. Объяснена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в сильном магнитном поле с неквадратичным законом дисперсии. Данный метод применен в исследовании магнитопоглощения в узкозонных полупроводниках с непараболическим законом дисперсии. Экспериментальные результаты интерпретируются с помощью осцилляции комбинированной плотности состояний в сильном магнитном поле. Построена веерная диаграмма спектра магнитопоглощения в узкозонных полупроводниках.
Ключевые слова
Об авторах
Г. Гулямов
Наманганский инженерно-педагогический институт
Узбекистан
Узбекистан
Сведения об авторе: д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры «Физика», Наманганский инженерно-педагогический институт.
Образование: Ташкентский государственный университет (1971 г.).
Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.
Публикации: более 200.
д. 12, пр-т Дустлик, г. Наманган, 160103
тел.: +7(369) 234-15-23; (+99890)741-46-56; факс: 8(3692) 25-52-93
У. И. Эркабоев
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан
Узбекистан
Узбекистан
Сведения об авторе: канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник-исследователь лаборатории «Физики полупроводников и теории твердого тела» Физико-технического института Академии наук Республики Узбекистан,
Образование: Андижанский государственный университет (2008 год).
Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.
Публикации:более 20.
д. 2Б, ул Г. Мавлянова,, г. Ташкент, 100084,
тел.: (+99871) 233-12-71, (+99893)499-79-16; факс: (+99871) 235-42-91
П. Ж. Байматов
Наманганский государственный университет
Узбекистан
Узбекистан
Сведения об авторе: канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Физика», Наманганский государственный университет.
Образование: Ташкентский государственный университет (1981 год).
Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.
Публикации: более 60.
д. 316, ул. Уйчинская, г. Наманган, 160119,
тел.: 0(369) 227-01-44, (+99893)401-60-25; факс: 0(369) 227-01-44
Список литературы
1. Сейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников // ФТП. 2012. Т. 46, Вып. 7. С. 896–900.
2. Платонов В.В., Кудасов Ю.Б., Макаров И.В., Маслов Д.А., Сурдин О.М., Жолудев М.С., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Исследование магнитопоглощения при раз- личных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях // ФТП. 2015. Т. 49, Вып. 12. С. 1666–1670.
3. Гулямов Г., Эркабоев У.И., Шарибаев Н.Ю. Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 10. С. 1323–1328.
4. Gulyamov G., Erkaboev U.I., Shariboev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Journ. of modern phys. 2014. Vol. 5, No. 8. С. 680–685.
5. Zwerdling S., Keyes R.J., Foner S., Kolm H.H., Lax B. Magneto-band Effects in InAs and InSb in dc and High Pulsed Magnetic Fields // Phys. Rev. 1956. Vol. 104, Iss. 6. С. 1805–1806.
6. Wagner R.J., Palik E.D., Swiggard E.M. Interband magnetoabsorption in CdxZn3-xAs2 // Phys. Lett. 1969.Vol. 30A, No. 3. 175–176.
7. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. 8. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.
8. Дубицкий И.С., Яфясов А.М. Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда // ФТП. 2014. Т. 48, Вып. 3. С. 327–333.
9. Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 9. 1217–27.
10. Павлов Н.В., Зегря Г.Г Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb // ФТП. 2015. Т. 49, вып. 5. С. 617–627.
11. Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках // ФТП. 2012. Т. 46, № 1. С. 32–37.
12. Кукушкин И.В., Мешков С.В., Тимофеев В.Ф. Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле // УФН. 1988. Т. 155, вып. 2. С. 219–264.
Рецензия
Для цитирования:
Гулямов Г., Эркабоев У.И., Байматов П.Ж. Моделирование зависимости энергии поглощаемого фотона от магнитного поля в полупроводниках. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2016;(19-20):130-138. https://doi.org/10.15518/isjaee.2016.19-20.130-138
For citation:
Gulyamov G., Erkaboev U.I., Baymatov P.J. Simulation of Energy Dependence of the Photon Absorption on the Magnetic Field in Semiconductors. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2016;(19-20):130-138. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2016.19-20.130-138
Просмотров: 547
Послать статью по эл. почте 