alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2015.19.001alternative-158Research ArticleВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКАRENEWABLE ENERGYРАЗЛОЖЕНИЕ ВОДЫ ПОД ДЕЙСТВИЕМ СОЛНЕЧНОГО СВЕТА ПРИ ПОМОЩИ ЭЛЕКТРОДОВ НА ОСНОВЕ ПОРИСТОГО КРЕМНИЯWATER SPLITTING FROM SUNLIGHT BY MEANS OF ELECTRODES BASED ON POROUS SILICONГостеваЕ. А.GostevaE. A.

аспирант НИТУ «МИСиС», кафедра материаловедения полупроводников и диэлектриков

postgraduate of NUST MISiS, Department of Material Science of Semiconductors and Dielectrics.

Gos-3@mail.ruНИТУ «МИСиС»РоссияNUST «MISiS»Russian Federation2015141120150191419Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20152015Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/158

Особый интерес в области альтернативной энергетики представляет прямое преобразование энергии солнечного света в водородное топливо. Настоящая работа посвящена поиску решения основных проблем развития водородной энергетики, к которым можно отнести низкую коррозионную устойчивость электродов на базе традиционных материалов для фотолизного элемента и низкий КПД преобразования энергии солнечного излучения в активной области полупроводникового анода. Кроме того, данная статья представляет широкий научный интерес в плане исследования свойств новых наноструктурированных материалов и их использования в водородной и солнечной энергетике.

The particular interest in alternative energy is the research of direct conversion of solar energy into hydrogen fuel. The paper deals with the solution of the main problems of the development of hydrogen energy, include low corrosion resistance of the electrodes on the basis of traditional materials for the photolysis cell, low conversion efficiency of solar energy in the active area of the semiconductor anode. Moreover, the paper presents a broad scientific interest in terms of studying the properties of new nanomaterials and their use in alternative energy (solar and hydrogen).

солнечная энергетикафотолизфотоэлектродынаноструктурированные материалыпористый кремнийsolar energyphotolysisphotoelectrodenanostructured materialsthe porous siliconReferencesFujishima A., Honda K. Electrochemical Photolysis of Water at a Semiconductor Electrode // Nature. 1972. Vol. 238. P. 37–38.Fujishima A., Honda K. Electrochemical Photolysis of Water at a Semiconductor Electrode Nature. 1972. vol. 238, pp. 37–38 (in Eng.).Васильченко Е.Ю., Гаврин С.С., Ревина A.A., Яштулов H.A. Создание нанокомпозитного электрода на основе пористого кремния // Сб. трудов Первого международного форума по нанотехнологиям «Функциональные материалы для энергетики», 2008. С. 129–131.Vasilʹchenko E.Y., Gavrin S.S., Revina A.A., Yash-tulov H.A. Sozdanie nanokompozitnogo èlektroda na osnove poristogo kremniâ. Sb. trudov Pervogo Mežduna-rodnogo Foruma po nanotehnologiâm «Funkcionalʹnye materialy dlâ ènergetiki», 2008, pp. 129–131 (in Russ.).Билик Т.Ю., Лученко А.И., Мельниченко Н.Н., Шмырева А.Н. Фотоэлектрические свойства нанопористого кремния // Материалы VII Международной научно-технической конференции «INTERMATIC-2010». 23–27 ноября 2010.Bilik T.Yu., Luchenko A.I., Melʹnichenko N.N., Shmyreva A.N. Fotoèlektričeskie svojstva nanoporistogo kremniâ. Materialy VII Meždunarodnoj naučno-tehničeskoj konferencii «INTERMATIC-2010», 23–27 November 2010 (in Russ.).Smyderand J.A., Krauss T.D. Coming attractions for semiconductor quantumdots // J. Materials today. September 2011. P. 382–387.Smyderand J.A., Krauss T.D. Coming attractions for semiconductor quantumdots. J. Materials today, Sep-tember 2011, pp. 382–387 (in Eng.).Старков В.В. Получения, свойства и применение пористого кремния // Все материалы. Энциклопедический справочник. 2009. №. 4. C. 13–21.Starkov V.V. Polučeniâ, svojstva i primenenie po-ristogo kremniâ. Vse materialy. Ènciklopedičeskij spravočnik, 2009, no. 4, pp. 13–21 (in Russ.).Starkov V.V., Gavrilin E.Yu., Konle J., Presting H., Vyatkin A.F. and König U. SU8 photoresist as an etch mask for local deep anodic etching of silicon // Phys. stat. sol. (a). 2003. Vol. 197, No. 1. P. 150–157.Starkov V.V., Gavrilin E.Yu., Konle J., Presting H., Vyatkin A.F. and König U. SU8 photo-resist as an etch mask for local deep anodic etching of silicon. Phys. stat. sol. (a), 2003, vol. 197, no. 1, pp. 150–157 (in Eng.).Старков В.В., Старостина Е.А., Волков В.Т., Вяткин А.Ф. Формирование локальных диэлектрических областей методом неоднократного химического травления через маску // Микроэлектроника. 2001. Т. 30, № 2. С. 106–112.Starkov V.V., Starostina E.A., Volkov V.T., Vyatkin A.F. Formirovanie lokalʹnyh dièlektričeskih oblastej metodom neodnokratnogo himičeskogo travleniâ čerez masku. Mikroèlektronika, 2001, vol. 30, no. 2, pp. 106–112 (in Eng.).Emel'yanov V.I., Eremin K.I., Starkov V.V. Defect-deformation mechanism of spontaneous nucleation of anensemble of pores in solid sand its experimental verification // Quantum Electronics. 2002. Vol. 32, No. 6. P. 473.Emel'yanov V.I., Eremin K.I., Starkov V.V. Defect-deformation mechanism of spontaneous nucleation of anensemble of pores in solid sand its experimental verification. Quantum Electronics, 2002, vol. 32, no. 6, pp. 473 (in Eng.).Герасименко Н.Н., Тыныштыкбаев К.Б., Старков В.В., Медетов Н.А., Токмолдин С.Ж., Гостева Е.А. О природе трещин на примере монокристаллического кремния, подвергнутого анодному травлению // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, Вып. 8. C. 1117–1122.Gerasimenko N.N., Tynyshtykbaev K.B., Starkov V.V., Medetov N.A., Tokmoldin S.Zh., Gosteva E.A. O prirode treŝin na primere monokristalličeskogo kremniâ, podvergnutogo anodnomu travleniû. Fizika i tehnika poluprovodnikov, 2014, vol. 48, iss. 8, pp. 1117–1122 (in Russ.).Гостева Е.А., Герасименко Н.Н., Старков В.В., Пархоменко Ю.Н. Исследование наноструктурированных тонких пористых пленок на основе кремния для использования в солнечных элементах в качестве антибликового покрытия // Х конференция по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния нанометровых структур и приборов на его основе «Кремний-2014», Иркутск. 7–12 Июля 2014.Gosteva E.A., Gerasimenko N.N., Starkov V.V., Parhomenko Yu.N. Issledovanie nanostrukturirovannyh tonkih poristyh plenok na osnove kremniâ dlâ ispolʹzovaniâ v solnečnyh èlementah v kačestve an-tiblikovogo pokrytiâ. X konferenciâ po aktualʹnym prob-lemam fiziki, materialovedeniâ, tehnologii i diagnostiki kremniâ nanometrovyh struktur i priborov na ego osnove «Kremnij-2014», Irkutsk. 7–12 Jule 2014 (in Russ.).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.