alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2015.19.016alternative-173Research ArticleКОНСТРУКЦИОННЫЕ МАТЕРИАЛЫSTRUCTURAL MATERIALSИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА КРИСТАЛЛИЧНОСТИ ДЛЯ ПЛЁНОК mc-Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ PECVD, С ПОМОЩЬЮ РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИSTUDY OF CRYSTALLINITY PARAMETER DISTRIBUTION FOR mc-Si FILMS, OBTAINED BY PECVD, BY USING RAMAN SPECTROSCOPYКошевойВ. Л.KoshevoiV. L.

аспирант, инженер, Национальный минерально-сырьевой университет «ГОРНЫЙ»

postgraduate, engineer, National Mineral Resources University (MINING University)

БелорусА. О.BelorusA. O.

аспирант, инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. Ульянова (Ленина)

postgraduate, engineer, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”

ЛевицкийВ. С.LevitskiyV. S.

инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. Ульянова (Ленина)

postgraduate, engineer, Saint Petersburg Electrotechnical University “LETI”

k2446@yandex.ruНациональный минерально-сырьевой университет «Горный»РоссияNational Mineral Resource University “Mining University”Russian FederationСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»РоссияSaint Petersburg Electrotechnical University “LETI”Russian FederationСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ имени А.Ф. ИоффеРоссияSaint Petersburg Electrotechnical University “LETI” TF TE Ioffe R&D CenterRussian Federation201515112015019118123Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20152015Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/173

Исследованные образцы были получены методом плазмохимического осаждения (ПХО) на установке KAI-1-1200, предназначенной для формирования фотоактивных слоёв аморфного и микрокристаллического кремния. Оптимальный средний параметр кристалличности для плёнок mc-Si составляет 52 %. Для плёнки mc-Si была построена карта распределения параметра кристалличности по поверхности плёнки. Измерения рамановских спектров производились в разных точках, расположенных равномерно по всему периметру плёнки. Важным фактором при получении плёнок является равномерное их нанесение на подложку. Поскольку установка KAI-1-1200 имеет ряд особенностей, которые мешают равномерному нанесению, данная карта распределения помогает учесть эти особенности и в дальнейшем устранить их или подобрать оптимальные параметры роста, которые будут компенсировать неравномерность распределения плёнки.

 

The article investigates the samples, obtained by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) on the KAI-1-1200 installation for forming the photoactive layers of amorphous and microcrystalline silicon. Optimal average crystallinity parameter for mc-Si film is 52%.The authors of this article made a map of the crystallinity parameter distribution of the film surface for mc-Si film and took the measurements of Raman spectra at different points located evenly around the perimeter of the film. An important factor in the studying films is their uniform deposition on the substrate. As the KAI-1-1200 installation has several features which prevent the uniform deposition of films this distribution map helps to take account of these factors in order to eliminate them or find the optimal parameters of growth that will compensate for the uneven distribution of the film.

 

солнечная энергетикамикрокристаллический кремнийплазмохимическое осаждениепараметр кристалличностирамановская спектроскопияsolar energymicrocrystalline siliconplasma chemical deposition parameter crystallinityRaman spectroscopyReferencesГавриленко Л.В., Дубинов А.А., Романов Ю.А. Учебно-научный и инновационный комплекс «Физические основы информационно-телекоммуникационных систем» Комбинационное рассеяние в твёрдых телах (Электронное методическое пособие).Gavrilenko L.V., Dubinov A.A., Romanov Yu.A. Učebno-naučnyj i innovacionnyj kompleks «Fizičeskie osnovy informacionno-telekommunikacionnyh sistem» Kombinacionnoe rasseânie v tvërdyh telah. Available at: www.unn.ru/pages/e-library/methodmaterial/files/43.pdf (in Russ.).http:www.unn.ru/pages/e-library/methodmaterial/files/43.pdfKombinacionnoe rasseânie sveta (ramanovskoe rasseânie): metodičeskoe posobie dlâ laboratornyh rabot. Available at: http://lab2.phys.spbu.ru/pdf_to/opt21.pdf (in Russ.).Комбинационное рассеяние света (рамановское рассеяние): методическое пособие для лабораторных работ. Режим доступа:Veresov A.G., Nanij O.E. Kombinacionnoe ras-seânie sveta. «ROSNANO», 2009–2011. Available at: www.rusnano.com http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article2041 (in Russ.).http://lab2.phys.spbu.ru/pdf_to/opt21.pdfSpektrometr kombinacionnogo rasseâniâ sveta Horiba Jobin Yvon T64000. GNC FGUP «Issledovatelʹskij centr imeni M.V. Keldysha», Otdel nanotehnologij. Available at: http://www.nanokerc.ru/node/143 (in Russ.).Вересов А.Г., Наний О.Е. Комбинационное рассеяние света. «РОСНАНО». 2009–2011 www.rusnano.com Режим доступа:Markus Klindworth. Crystallinity measurement by Raman spectroscopy (std. approach) (in Eng.).http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article2041Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, vol. 352, iss. 9–20, pp. 1900–1903 (in Eng.).Спектрометр комбинационного рассеяния света Horiba Jobin Yvon T64000 [Электронный ресурс]. ГНЦ ФГУП «Исследовательский центр имени М. В. Келдыша», отдел нанотехнологий. Режим доступа: http://www.nanokerc.ru/node/143Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells. Journal of Non-Crystalline Solids, 2006, vol. 352, iss. 9–20, pp. 1900–1903 (in Eng.).Markus Klindworth. Crystallinity measurement by Raman spectroscopy (std. approach).Semenov A.V. Tehnologiâ tonkoplënočnyh solnečnyh modulej bolʹšoj ploŝadi na osnove amorfnogo i mikrokristalličeskogo kremniâ: PhD thesis, 2015 (in Russ.).Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.Семёнов А.В. Технология тонкоплёночных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015.Семёнов А.В. Технология тонкоплёночных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.