канд. физ.-мат. наук, доцент Бердянского государственного педагогического университета
PhD (physics and mathematics), associate professor of Berdyansk State Pedagogical University
Пористый кремний целесообразно получать методом электрохимического травления. Пористость полученных образцов составила порядка 70 %. Толщина пористого слоя (150–250) нм. Результаты измерения полного коэффициента отражения для солнечных элементов с различными толщинами слоев пористого кремния показали увеличение поглощающей способности пористого кремния с ростом его толщины, что прямо указывает на возможность использования этого материала в солнечных элементах. Слой пористого кремния толщиной от 70 мкм имеет большую рассеивающую способность, чем слои меньшей толщины. Таким образом, использование пористого кремния в качестве сырья для получения солнечных элементов имеет широкие перспективы развития. Такие структуры обладают явным преимуществом перед традиционными и позволяют значительно оптимизировать технологию получения фотовольтаических устройств.
Porous silicon is advisable to get by electrochemical etching. The porosity of the obtained samples was about 70%. The thickness of the porous layer is (150–250) nm. The results of measurement of a reflectance of solar cells with different layer thicknesses of porous silicon show increased absorptive capacity of the porous silicon with increasing thickness, which directly indicates the possibility of using this material in solar cells. The porous silicon layer thickness from 70 microns has a greater dispersibility than the layers of lesser thickness. Thus, the use of porous silicon as a raw material for solar cells has excellent prospects. Such structures have a clear advantage over traditional and greatly improved technology to produce photovoltaic devices.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.