alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейсalternative-19Research ArticleНАУЧНЫЕ ОБЗОРЫSCIENTIFIC REVIEWSФАЗОВЫЙ СОСТАВ И СУБСТРУКТУРА СИЛИЦИДОВ, СИНТЕЗИРОВАННЫХ ИМПУЛЬСНОЙ ФОТОННОЙ ОБРАБОТКОЙ НЕКОГЕРЕНТНЫМ ИЗЛУЧЕНИЕМ (Обзор)PHASE COMPOSITION AND SUBSTRUCTURE SILICIDE SYNTHESIZED IN PULSE PHOTON TREATMENT BY THE INCOHERENT RADIATIONКущевС. Б.KushchevS. V.

профессор, д-р физ.-мат. наук, заведующий лабораторией электронной микроскопии и электронографии кафедры физики твердого тела

Dr. Sc. (Phys.-Math.), Professor of the Department of Physics, head of the Laboratory of electron microscopy and electronography of the Department of Solid State Physics

kushev_sb@mail.ruВоронежский государственный технический университетРоссияVoronezh State Technical UniversityRussian Federation20150711201503123140Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20152015Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/19

Представлен обзор работ, посвященных исследованию фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке (ИФО) некогерентным светом ксеноновых ламп пленок Pt, Pd, Ni, Ti, Mo на монокристаллическом, поликристаллическом и аморфном кремнии и при вакуумной конденсации Pt, Pd, Ni, Ti, Mo на монокристаллический кремний. Показаны общие закономерности и особенности ориентированного фазообразования и субструктуры силицидов Pt, Pd, Ni, Ti, Mo при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок металлов на кремнии.

The review of studies on the phase and element composition, structure and orientation of the silicide films formed during the pulse photon-assisted treatment (PPT) by the incoherent light of xenon lamps of the films Pt, Pd, Ni, Ti, Mo on monocrystalline, polycrystalline and amorphous silicon and of the monocrystalline silicon during the vacuum condensation Pt, Pd, Ni, Ti, Mo on the substrate has been presented. The general regularities and features of the oriented phase formation and substructure Pt, Pd, Ni, Ti, Mo silicides during PPT by the xenon lamp incoherent radiation of the metal films on silicon have been shown.

импульсная фотонная обработкапленки силицидовплатинаникельмолибдентитанфазовый составэлементный составструктураориентациятермический отжигмежфазные границыдислокации несоответствиярешетка совпадающих узловpulse photon-assisted treatmentfilms silicidesplatinumnickelmolybdenumtitaniumphase compositionelemental compositionstructureorientationthermal annealingsubstructureinterphase boundariesmisfit dislocationlattice matching nodesReferencesЧистяков Ю.Д., Райнова Ю.П. Физико-химические основы технологии микроэлектроники. М.: Металлургия, 1979.Čistâkov Û.D., Rajnova Û.P. Fiziko-himičeskie osnovy tehnologii mikroèlektroniki. M.: Metallurgiâ, 1979.Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Чернов Е.И. Образование пленок силицидов на кремнии // Поверхность. Физика, химия, механика. 1982. № 2. С. 1-12.Geršinskij А.E., Ržanov А.V., Černov E.I. Obrazovanie plenok silicidov na kremnii // Poverhnost'. Fizika, himiâ, mehanika. 1982. № 2. S. 1-12.Достанко А.П., Киселевский Л.И., Грушецкий С.В. и др. Плазменная металлизация в вакууме. Минск: Наука и техника, 1983.Dostanko А.P., Kiselevskij L.I., Grušeckij S.V. i dr. Plazmennaâ metallizaciâ v vakuume. Minsk: Nauka i tehnika, 1983.Гершинский А.Е., Ржанов А.В., Черепов Е.И. Тонкопленочные силициды в микроэлектронике // Микроэлектроника. 1982. Т. 11. Вып. 2. С. 83-93.Geršinskij А.E., Ržanov А.V., Čerepov E.I. Tonkoplenočnye silicidy v mikroèlektronike // Mikroèlektronika. 1982. T. 11. Vyp. 2. S. 83-93.Мьюрарка Ш. Силициды для СБИС. М.: Мир, 1986.M'ûrarka Š. Silicidy dlâ SBIS. M.: Mir, 1986.Drobec J., Sun R.C., Tisone T.C. Interdiffusion and compound formation in thin films of Pd of Pt on Si single crystals // Phys. Stat. Sol. 1971. Vol. 8, No. 1. P. 243-248.Drobec J., Sun R.C., Tisone T.C. Interdiffusion and compound formation in thin films of Pd of Pt on Si single crystals // Phys. Stat. Sol. 1971. Vol. 8, No. 1. P. 243-248.Anderson R., Barlin J., Dempscy J. et al. Nucleation–controlled thin film interactions some silicides // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 35, No. 3. P. 285-287.Anderson R., Barlin J., Dempscy J. et al. Nucleation–controlled thin film interactions some silicides // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 35, No. 3. P. 285-287.Canali C., Majni G., Morten B. et al. Interazioni silicio-film metallici e loro importansa nella technologia dei dispositivi elettronici // Alta Frequensa. 1977. Vol. XLVI, No. 1. P. 12-24.Canali C., Majni G., Morten B. et al. Interazioni silicio-film metallici e loro importansa nella technologia dei dispositivi elettronici // Alta Frequensa. 1977. Vol. XLVI, No. 1. P. 12-24.Fomin B.J., Gershinskii A.E., Cherepov E.I. et al. Investigations of phase groth kinetics in the system of Si singlе crystals and thin films // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. Vol. 36, No. 1. P. K89-K91.Fomin B.J., Gershinskii A.E., Cherepov E.I. et al. Investigations of phase groth kinetics in the system of Si single crystals and thin films // Phys. Stat. Sol. (a). 1976. Vol. 36, No. 1. P. K89-K91.Walser R.M., Bene R.W. First phase nucleation in silicon transition metal planar interfaces // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 28, No. 10. P. 624-625.Walser R.M., Bene R.W. First phase nucleation in silicon transition metal planar interfaces // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 28, No. 10. P. 624-625.Krakov W. Analysis of high resolution electron microscope image of the Pd2Si–Si interfaces // Thin Solid Films. 1982. Vol. 93, No. 1-2. P. 109-125.Krakov W. Analysis of high resolution electron microscope image of the Pd2Si–Si interfaces // Thin Solid Films. 1982. Vol. 93, No. 1-2. P. 109-125.Foll H. Lattice imaging of silicide – silicon interfaces and interpretation of interfacial defects // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. Vol. 69, No. 2. P. 779-789.Foll H. Lattice imaging of silicide – silicon interfaces and interpretation of interfacial defects // Phys. Stat. Sol. (a). 1982. Vol. 69, No. 2. P. 779-789.Canali C., Catellani C., Prudenziati M. et al. Pt2Si and PtSi formation with high-purity Pt thin films // Appl. Phys. Lett. 1977. Vol. 31, No. 1. Р. 43-46.Canali C., Catellani C., Prudenziati M. et al. Pt2Si and PtSi formation with high-purity Pt thin films // Appl. Phys. Lett. 1977. Vol. 31, No. 1. R. 43-46.Canali C., Catellani C., Ottaviani J. et al. On the formation of Ni and Pt silicide final phase: the dominant role of reaction kinetics // Appl. Phys. Lett. 1978. Vol. 33, No. 1. P. 15-19.Canali C., Catellani C., Ottaviani J. et al. On the formation of Ni and Pt silicide final phase: the dominant role of reaction kinetics // Appl. Phys. Lett. 1978. Vol. 33, No. 1. P. 15-19.Walser R.M., Bene R.W. Solid phase reactions transition metal-silicon interfaces. Phys. Semicond. Proc.13–th Int. Conf. Rome. 1976. P. 722-725.Walser R.M., Bene R.W. Solid phase reactions transition metal-silicon interfaces. Phys. Semicond. Proc.13–th Int. Conf. Rome. 1976. P. 722-725.Poate J.M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon // Appl. Phis. Lett. 1974. Vol. 24, No. 8. P. 391-393.Poate J.M., Tisone T.C. Kinetics and mechanism of platinum silicide formation on silicon // Appl. Phis. Lett. 1974. Vol. 24, No. 8. P. 391-393.Sinha A.K., Marcus R.B., Sheng T.T. et al. Thermal stability of thin PtSi films on silicon substrates // J. Appl. Phis. 1972. Vol. 43, No. 9. P. 3637-3643.Sinha A.K., Marcus R.B., Sheng T.T. et al. Thermal stability of thin PtSi films on silicon substrates // J. Appl. Phis. 1972. Vol. 43, No. 9. P. 3637-3643.Bindell J.B., Colby J.W., Wonsidler D.R., Poate J.M., Conley D.K., Tisone T.C. An analytical study of platinum silicide formation // Thin Solid Films. 1976. Vol. 37. Р. 441-452.Bindell J.B., Colby J.W., Wonsidler D.R., Poate J.M., Conley D.K., Tisone T.C. An analytical study of plati-num silicide formation // Thin Solid Films. 1976. Vol. 37. R. 441-452.Васильев С.В., Герасименко Н.Н. Поведение примеси в процессе формирования силицидов металлов // Поверхность: физика, химия, механика. 1986. № 7. C. 57-62.Vasil'ev S.V., Gerasimenko N.N. Povedenie primesi v processe formirovaniâ silicidov metallov // Poverhnost': fizika, himiâ, mehanika. 1986. № 7. C. 57-62.Lecours A., Meunier M., Pisson M. Defining micron–scale platinum contacts on hydrogenated amorphous silicon // J. Vac. Sсi. and Technol. 1990. No. 1. P. 109-116.Lecours A., Meunier M., Pisson M. Defining micron–scale platinum contacts on hydrogenated amorphous silicon // J. Vac. Ssi. and Technol. 1990. No. 1. P. 109-116.Murarka S.P. Dopant redistribution in silicide– silicon and silicud–polycrystalline silicon bilayered structures // J. Vac. Sei. Technol. 1987. Vol. B5(6). P. 1674-1688.Murarka S.P. Dopant redistribution in silicide– silicon and silicud–polycrystalline silicon bilayered structures // J. Vac. Sei. Technol. 1987. Vol. B5(6). P. 1674-1688.Лабунов В.А., Борисенко В.Е., Заровский Д.И. и др. Формирование силицидов импульсной термо-обработкой пленочных структур // ЗЭТ. 1985, № 8 (291). С. 27-53.Labunov V.А., Borisenko V.E., Zarovskij D.I. i dr. Formirovanie silicidov impul'snoj termoobra-botkoj plenočnyh struktur // ZÈT - rasšifrovat'. 1985, № 8 (291). S. 27-53.Baeri P., Grimaldi M.G., Rimini E., Gelotti G. Pulsed laser irradiation of nikel films on silicon // Journal de physique. 1983. Vol. 44. P. 449-454.Baeri P., Grimaldi M.G., Rimini E., Gelotti G. Pulsed laser irradiation of nikel films on silicon // Journal de physique. 1983. Vol. 44. P. 449-454.Shibata T., Gibbons J.E., Sigmon T.N. Siliсide formation using a scanning CW laser beam // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 38, No. 7. P. 566-569.Shibata T., Gibbons J.E., Sigmon T.N. Siliside formation using a scanning CW laser beam // Appl. Phys. Lett. 1980. Vol. 38, No. 7. P. 566-569.Ishiwara H., Yamamoto H. Epitaxial growth of Pd2Si films on Si(111) substrates by scanning electron-beam annealing // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 41, No. 8. P. 718-721.Ishiwara H., Yamamoto H. Epitaxial growth of Pd2Si films on Si(111) substrates by scanning electron-beam annealing // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 41, No. 8. P. 718-721.Tsaur K.Y., Lian Z.L., Mayer J.W. Ion-beam-induced silicide formation // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 34, No. 2. P. 168-170.Tsaur K.Y., Lian Z.L., Mayer J.W. Ion-beam-induced silicide formation // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 34, No. 2. P. 168-170.Chen L.J., Hung L.S., Mauer J.W. et al. Epitaxial NiSi2 formation by pulsed ion beam anneling // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 40, No. 7. P. 595-597.Chen L.J., Hung L.S., Mauer J.W. et al. Epitaxial NiSi2 formation by pulsed ion beam anneling // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 40, No. 7. P. 595-597.Zhu D.H., Liu B.X. Formation of Ti silicides by metal-vapor vacuum arc ion source implantation // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77 (12), No. 15. P. 6257-6262.Zhu D.H., Liu B.X. Formation of Ti silicides by metal-vapor vacuum arc ion source implantation // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77 (12), No. 15. P. 6257-6262.Kanayama T., Tanoue H., Tsurushina T. Niobium silicide formation induced by Arion bombardement // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 35, No. 3. P. 222-224.Kanayama T., Tanoue H., Tsurushina T. Niobium silicide formation induced by Ar-ion bombardement // Appl. Phys. Lett. 1979. Vol. 35, No. 3. P. 222-224.Padmanabhan K.R., Sorensen G. A novel technique for metall silicide formation // J. Vac. Sci. Technol. 1981. Vol. 18 (2). P. 231-235.Padmanabhan K.R., Sorensen G. A novel technique for metall silicide formation // J. Vac. Sci. Technol. 1981. Vol. 18 (2). P. 231-235.Van der Spiegel J., Wie C.S. Fast radiative processing of processing of platinum silicide // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57, No. 2. P. 607-609.Van der Spiegel J., Wie C.S. Fast radiative processing of processing of platinum silicide // J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57, No. 2. P. 607-609.Levy D., Grob A., Grob J.J., Ponpon J.P. Formation of palladium silicide by rapid thermal annealing // Appl. Phys. 1984. Vol. A35, No. 3. P. 141-144.Levy D., Grob A., Grob J.J., Ponpon J.P. Formation of palladium silicide by rapid thermal annealing // Appl. Phys. 1984. Vol. A35, No. 3. P. 141-144.Tu K.N. Formation of Pd2Si by incoherent light annealing // J. Appl. Phys. 1984. Vol. A35, No. 3. P. 141-144.Tu K.N. Formation of Pd2Si by incoherent light annealing // J. Appl. Phys. 1984. Vol. A35, No. 3. P. 141-144.А.c. № 1228716 СССР, кл. 21/268, 1984. Способ изготовления элементов металлизации / Тонких Н.Н., Злобин В.П., Кущев С.Б. и др. // Открытия. Изобретения. 1984. №3783496.А.c. № 1228716 SSSR, kl. 21/268, 1984. Sposob izgotovleniâ èlementov metallizacii / Tonkih N.N., Zlobin V.P., Kuŝev S.B. i dr. // Otkrytiâ. Izobreteniâ. 1984. №3783496.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Тонких Н.Н. и др. Применение импульсной термической обработки в технологии изготовления интегральных схем // ЭП. 1986. № 1 (т). C. 32-35.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Tonkih N.N. i dr. Primenenie impul'snoj termičeskoj obrabotki v tehnologii izgotovleniâ integral'nyh shem // ÈP. 1986. № 1 (t). C. 32-35.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и состав силицидов, образующихся при фотон-ном отжиге Pt на Si // ФХОМ. 1986. № 2. C. 128-130.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Zlobin V.P. Struktura i sostav silicidov, obrazuûŝihsâ pri fotonnom otžige Pt na Si // FHOM. 1986. № 2. C. 128-130.Кущев С.Б., Злобин В.П. Структура и фазовый состав пленок Si-Ni, полученных при вакуумной конденсации: Сб. Свойства нитевидных кристаллов и тонких пленок. Воронеж: ВПИ, 1986. C. 77-79.Kuŝev S.B., Zlobin V.P. Struktura i fazovyj sostav plenok Si-Ni, polučennyh pri vakuumnoj kondensacii: Sb. Svojstva nitevidnyh kristallov i tonkih plenok. Voronež: VPI, 1986. C. 77-79.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Злобин В.П. и др. Получение силицидов палладия с помощью импульсного фотонного отжига // ЭП. 1987. № 2т (33). C. 65-69.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Zlobin V.P. i dr. Polučenie silicidov palladiâ s pomoŝ'û impul'snogo fotonnogo otžiga // ÈP. 1987. № 2t (33). C. 65-69.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Тонких Н.Н. Применение импульсного фотонного отжига в технологии изготовления СБИС // Специальная электроника. Cер. 3, І. Микроэлектроника І, 1987. Вып. 2 (51). C. 56-61.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Tonkih N.N. Primenenie impul'snogo fotonnogo otžiga v tehnologii izgotovleniâ SBIS // Special'naâ èlektronika. Cer. 3, І. Mikroèlektronika І, 1987. Vyp. 2 (51). C. 56-61.Бурова С.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Формирование силицидов титана методом импульсного фотонного отжига // ЭП(т). 1988. № 2. C. 34-37.Burova S.V., Zlobin V.P., Ievlev V.M. i dr. Formirovanie silicidov titana metodom impul'snogo fotonnogo otžiga // ÈP(t). 1988. № 2. C. 34-37.Кущев С.Б., Исаев А.Ю., Злобин В.П. Структура, фазовый состав и ориентация пленок, полученных при вакуумной конденсации Pd на (111) Si: Сб. Рост и структура тонких пленок и нитевидных кристаллов. Воронеж: ВПИ, 1990. C. 28-30.Kuŝev S.B., Isaev А.Û., Zlobin V.P. Struktura, fazovyj sostav i orientaciâ plenok, polučennyh pri vakuumnoj kondensacii Pd na (111) Si: Sb. Rost i struktura tonkih plenok i nitevidnyh kristallov. Voronež: VPI, 1990. C. 28-30.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Cивак В.М. Импульсная фотонная обработка пленок платины на поликристаллическом кремнии // ЭП. 1990. № 9. C.66-68.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Civak V.M. Impul'snaâ fotonnaâ obrabotka plenok platiny na polikristalličeskom kremnii // ÈP. 1990. № 9. C.66-68.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Огнев А.С. и др. Эффект ювенильной поверхности кремния в формировании пленок дисилицида молибдена // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. № 2. C. 147-150.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Ognev А.S. i dr. Èffekt ûvenil'noj poverhnosti kremniâ v formirovanii plenok disilicida molibdena // Poverhnost'. Fizika, himiâ, mehanika. 1990. № 2. C. 147-150.Егоров В.В., Злобин В.П., Иевлев В.М. и др. Метод импульсного фотонного отжига в технологии изготовления интегральных схем с диэлектрической изоляцией // ЭП. 1989. № 9. C. 2-5.Egorov V.V., Zlobin V.P., Ievlev V.M. i dr. Metod impul'snogo fotonnogo otžiga v tehnologii izgotovleniâ integral'nyh shem s dièlektričeskoj izolâciej // ÈP. 1989. № 9. C. 2-5.А.c. № 1651695 CCCР. Способ приготовления полупроводниковых приборов / Сивак В.М., Злобин В.П., Кущев С.Б. и др. // Открытия. Изобретения 1989. № 4714253.А.c. № 1651695 CCCR. Sposob prigotovleniâ poluprovodnikovyh priborov / Sivak V.M., Zlobin V.P., Kuŝev S.B. i dr. // Otkrytiâ. Izobreteniâ 1989. № 4714253.Кущев С.Б., Сивак В.М., Рубцов В.И. Фазовые и структурные изменения в пленках Pd, нанесенных на а-Si, при импульсной фотонной обработке: Сб. научн. тр. Тонкие пленки и нитевидные кристаллы, 1993. С. 12-17.Kuŝev S.B., Sivak V.M., Rubcov V.I. Fazovye i strukturnye izmeneniâ v plenkah Pd, nanesennyh na a-Si, pri impul'snoj fotonnoj obrabotke: Sb. naučn. tr. Tonkie plenki i nitevidnye kristally, 1993. S. 12-17.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Бурова С.В. Формирование различными методами силицидов Ti на поли-Si // ЭП. 1994. № 6. С. 31-36 .Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Burova S.V. Formirovanie različnymi metodami silicidov Ti na poli-Si // ÈP. 1994. № 6. S. 31-36 .Иевлев В.М., Кущев С.Б. Исследование возможности формирования силицидов при ИФО пленок Pt на а-Si: Межвуз. сб. тр. Физика и технология материалов и изделий электронной техники. Воронеж, 1994. С. 52-55.Ievlev V.M., Kuŝev S.B. Issledovanie vozmožnosti formirovaniâ silicidov pri IFO plenok Pt na a-Si: Mežvuz. sb. tr. Fizika i tehnologiâ materialov i izdelij èlektronnoj tehniki. Voronež, 1994. S. 52-55.Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Руднева И.Г., Белоногов Е.К. Образование силицидов молибдена при вакуумной конденсации металла на кремнии // Вестник ВГТУ. сер. Материаловедение. 1997. Вып. 1.2. С. 33-35.Kuŝev S.B., Soldatenko S.А., Rudneva I.G., Belonogov E.K. Obrazovanie silicidov molibdena pri vakuumnoj kondensacii metalla na kremnii // Vestnik VGTU. ser. Materialovedenie. 1997. Vyp. 1.2. S. 33-35.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Рубцов В.И. и др. Состав и структура силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке пленок титана на монокристаллическом и аморфном кремнии // ФХОМ. 1997. № 4. С. 62-67.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Rubcov V.I. i dr. Sostav i struktura silicidov, obrazuûŝihsâ pri impul'snoj fotonnoj obrabotke plenok titana na monokristalličeskom i amorfnom kremnii // FHOM. 1997. № 4. S. 62-67.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Санин В.Н. Твердо-фазный синтез силицидов при импульсной фотонной обработке гетеросистем Si-Mе (Mе: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) // ФХОМ. 2002. № 1. С. 27-31.51 Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Sanin V.N. Tverdofaznyj sintez silicidov pri impul'snoj fotonnoj ob-rabotke geterosistem Si-Me (Me: Pt, Pd, Ni, Mo, Ti) // FHOM. 2002. № 1. S. 27-31.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Огнев А.С. и др. Эффект ювенильной поверхности кремния в формировании пленок дисилицида молибдена // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. № 2. C. 147-150.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Ognev А.S. i dr. Èffekt ûvenil'noj poverhnosti kremniâ v formirovanii plenok disilicida molibdena // Poverhnost'. Fizika, himiâ, mehanika. 1990. № 2. C. 147-150.Золотухин И.В., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Туркин В.Ф. Ориентационные соотношения, наблюдаемые при вакуумной конденсации молибдена на фторфлогопите // ФММ. 1977. Т. 43. Вып. 2. C. 199-204.Zolotuhin I.V., Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Turkin V.F. Orientacionnye sootnošeniâ, nablûdaemye pri vakuumnoj kondensacii molibdena na ftorflogopite // FMM. 1977. T. 43. Vyp. 2. C. 199-204.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Комбаров В.В. Электронно-микроскопическое исследование закономерностей ориентированной кристаллизации пленок Мо на флуорите // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44, № 6. C. 1253-1256.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Kombarov V.V. Èlektronno-mikroskopičeskoe issledovanie zakonomernostej orientirovannoj kristallizacii plenok Mo na fluorite // Izv. АN SSSR. Ser. fizičeskaâ. 1980. T. 44, № 6. C. 1253-1256.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Комбаров В.В. Структура межфазной границы в двухслойных эпитаксиальных пленках W-Mo // ФММ. 1980. Т. 50. Вып. 3. C. 635-638.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Kombarov V.V. Struktura mežfaznoj granicy v dvuhslojnyh èpitaksial'-nyh plenkah W-Mo // FMM. 1980. T. 50. Vyp. 3. C. 635-638.Кущев С.Б., Огнев А.С., Свиридов Д.А. Структура эпитаксиальных межфазных границ (001)W-Mo, формирующихся в интервале температур 1300-1600 К. Физико-химические основы надежности микроэлектронных структур: Сб. науч. тр. Воронеж: ВПИ, 1987. C. 31-32.Kuŝev S.B., Ognev А.S., Sviridov D.А. Struktura èpitaksial'nyh mežfaznyh granic (001)W-Mo, formiruûŝihsâ v intervale temperatur 1300-1600 K. Fiziko-himičeskie osnovy nadežnosti mikroèlektronnyh struktur: Sb. nauč. tr. Voronež: VPI, 1987. C. 31-32.Иевлев В.М., Огнев А.С., Кущев С.Б. Дислокационная структура межфазных границ двухслойных пленок (111)Pt - (0001)Re // ФММ. 1988. Т. 65. Вып. 5. С. 1021-1023.Ievlev V.M., Ognev А.S., Kuŝev S.B. Dislokacionnaâ struktura mežfaznyh granic dvuhslojnyh ple-nok (111)Pt - (0001)Re // FMM. 1988. T. 65. Vyp. 5. S. 1021-1023.Иевлев В.М., Бугаков А.В., Кущев С.Б., Огнев А.С. Закономерности ориентированной кристаллизации Re на поверхности (001) Ir // ФММ. 1997. Т. 8, № 6. С. 132-136.Ievlev V.M., Bugakov А.V., Kuŝev S.B., Ognev А.S. Zakonomernosti orientirovannoj kristallizacii Re na poverhnosti (001) Ir // FMM. 1997. T. 8, № 6. S. 132-136.Иевлев В.М., Кущев С.Б. Дифракция электронов на сетках зернограничных и межфазных дислокаций // ФММ. 1979. Т. 47. Вып. 5. C. 1102-1104.Ievlev V.M., Kuŝev S.B. Difrakciâ èlektronov na setkah zernograničnyh i mežfaznyh dislokacij // FMM. 1979. T. 47. Vyp. 5. C. 1102-1104.Иевлев В.М., Бугаков А.В., Кущев С.Б. Зависимость критической толщины псевдоморфного роста пленки от размеров подложки // ФММ. 1979. Т. 48. Вып. 5. C. 1101-1103.Ievlev V.M., Bugakov А.V., Kuŝev S.B. Zavisimost' kritičeskoj tolŝiny psevdomorfnogo rosta plenki ot razmerov podložki // FMM. 1979. T. 48. Vyp. 5. C. 1101-1103.Иевлев В.М., Кущев С.Б. Закономерности формирования межфазных границ двухслойных эпитаксиальных пленок металлов в области высоких температур конденсации // Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1980. Т. 44, № 10. C. 2179-2182.Ievlev V.M., Kuŝev S.B. Zakonomernosti formirovaniâ mežfaznyh granic dvuhslojnyh èpitaksial'nyh plenok metallov v oblasti vysokih temperatur kondensacii // Izv. АN SSSR. Ser. fizičeskaâ. 1980. T. 44, № 10. C. 2179-2182.Ievlev V.M., Solovjev K.S., Kushev S.B., Horsewell A. Interface boundary structure during the growth of gold films on platinum at high temperature // Philosofical Magazine A. 1982. Vol. 45, No. 4. P. 647-656.Ievlev V.M., Solovjev K.S., Kushev S.B., Horsewell A. Interface boundary structure during the growth of gold films on platinum at high temperature // Philosofical Magazine A. 1982. Vol. 45, No. 4. P. 647-656.Иевлев В.М., Тураева Т.Л., Кущев С.Б. Вращение островков Au на поверхности Pt (001) // Поверхность. Физика, химия, механика. 1989. № 4. C. 48-52.Ievlev V.M., Turaeva T.L., Kuŝev S.B. Vraŝenie ostrovkov Au na poverhnosti Pt (001) // Poverhnost'. Fizika, himiâ, mehanika. 1989. № 4. C. 48-52.Иевлев В.М., Огнев А.С., Кущев С.Б., Свиридов Д.А. Структура двойных пленочных систем Mo-Re и Re-Mo // ФММ. 1990. № 2. C. 114-120.Ievlev V.M., Ognev А.S., Kuŝev S.B., Sviridov D.А. Struktura dvojnyh plenočnyh sistem Mo-Re i Re-Mo // FMM. 1990. № 2. C. 114-120.Косевич В.М., Иевлев В.М., Палатник Л.С., Федоренко А.И. Структура межкристаллитных и межфазных границ. М.: Металлургия, 1980.Kosevič V.M., Ievlev V.M., Palatnik L.S., Fedorenko А.I. Struktura mežkristallitnyh i mežfaznyh granic. M.: Metallurgiâ, 1980.Балашова В.Ю., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Бугаков А.В. Оптимальные ориентационные соотношения и субструктура межфазной границы в системе (111)Si-PtSi. Реализация региональных научно-техн. программ Центрально-Черноземного региона: Мате-риалы конф. Воронеж: ВГТУ, 1997. С. 127-130.Balašova V.Û., Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Bugakov А.V. Optimal'nye orientacionnye sootnošeniâ i substruktura mežfaznoj granicy v sisteme (111)Si-PtSi. Realizaciâ regional'nyh naučno-tehničeskih programm Central'no-Černozemnogo regiona: Materialy konf. Voronež: VGTU, 1997. S. 127-130.Балашова В.Ю., Кущев С.Б. Ориентационные и субструктурные изменения при термообработке пленок Pd2Si // Вестник ВГТУ. Сер. Материаловедение. Воронеж. 1998. Вып. 1.3. С. 70-73.Balašova V.Û., Kuŝev S.B. Orientacionnye i substrukturnye izmeneniâ pri termoobrabotke plenok Pd2Si // Vestnik VGTU. Ser. Materialovedenie. Voronež. 1998. Vyp. 1.3. S. 70-73.Балашова В.Ю., Иевлев В.М., Кущев С.Б., Бугаков А.В., Солдатенко С.А., Руднева И.Г. Субструктура межфазных границ кремний - силицид металла // XVII Российская конференция по электронной микро-скопии. Тез. док. Черноголовка. 1998. С. 77-78.Balašova V.U., Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Bugakov А.V., Soldatenko S.A., Rudneva I.G. Substructure mežfaznyh granic kremnij - silicid metalla // XVII Rossiiskaa konferenčia po electronnoj microskopii. Tez. Doc. Černogolovka. 1998. S. 77-78.Иевлев B.М., Кущев С.Б., Маркушев Б.Н. Дислокационная структура межфазных границ в ге-тероструктуре NiSi2 на вицинальной поверхности (111)Si // Вестник ВГТУ, сер. «Материаловедение». 2000. № 1.8. С. 102-104.Ievlev B.M., Kuŝev S.B., Markušev B.N. Dislokacionnaâ struktura mežfaznyh granic v geterostrukture NiSi2 na vicinal'noj poverhnosti (111)Si // Vestnik VGTU, ser. «Materialovedenie». 2000. № 1.8. S. 102-104.Ievlev V.M., Kushev S.B., Soldatenko S.A. Orientation and substructure of TiSi2 films on Si(111) // Functional materials 1999. Vol. 6, No. 5. P. 920-925.Ievlev V.M., Kushev S.B., Soldatenko S.A. Orientation and substructure of TiSi2 films on Si(111) // Func-tional materials 1999. Vol. 6, No. 5. P. 920-925.Иевлев В.М., Кущев С.Б., Солдатенко С.А., Исаев А.Ю., Рубцов В.И. Структура и закономерности сопряжения на межфазной границе пленок TiSi2 на (111)Si // Неорганические материалы. 2001. Т. 37, № 12. С. 1471-1479.Ievlev V.M., Kuŝev S.B., Soldatenko S.А., Isaev А.Û., Rubcov V.I. Struktura i zakonomernosti so-prâženiâ na mežfaznoj granice plenok TiSi2 na (111)Si // Neorganičeskie materialy. 2001. T. 37, № 12. S. 1471-1479.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.