alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2015.21.002alternative-195Research ArticleВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКАRENEWABLE ENERGYВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДСINFLUENCE OF REFLECTION OF PHOTOELECTRONS FROM THE SURFACE PHOTO-EMF IN THIN SEMICONDUCTOR FILMS AND COMPARE IT WITH THE BULK PHOTO-EMFГулямовГ.GulyamsG.

д-р физ.-мат. наук, проф. кафедры «Физика»

 

doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor of “Physics”

gulyamov1949@mail.ruДадамирзаевМ. Г.DadamirzayevM. G.

Ph.D. in Physical and Mathematical Sciences, Head of the Department “Physics”

gulyamov1949@mail.ruШарибаевН. Ю.SharibaevN. Yu.

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Высшая математика»

Ph.D. in Physical and Mathematical Sciences, Associate Professor of the Department of “Higher Mathematics”

sharibayevniti@mail.ruНаманганский инженерно-педагогический институт Республика Узбекистан, 160103, Наманган, пр. Дустлик, д. 12УзбекистанNamangan Engineering-Pedagogical Institute 12 Dustlik ave., Namangan, 160103, Republic of UzbekistanUzbekistanНаманганский инженерно-технологический институт Республика Узбекистан, 160115, Наманган, ул. Касансай, д. 7УзбекистанNamangan Engineering-Technological Institute 7 Kasanay str., Namangan, 160115, Republic of UzbekistanUzbekistan2015050420160212023Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20162016Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/195

Исследовано влияние отражения фотоэлектронов от поверхности на фотоЭДС в тонких полупроводниковых пленках и проведено ее сравнение с объемной фотоЭДС. Показано, что отраженная фотоЭДС может преобладать над объемной электродвижущей силой только в образцах с большой длиной свободного пробега при сильном поглощении света. В тонких пленках отраженная фотоЭДС, по-видимому, наблюдается вместе с другими видами фотоЭДС и при интерпретации результатов эксперимента может быть истолкована как объемная электродвижущая сила.

The influence of the reflection of photoelectrons from the surface photo-EMF in thin semiconductor films and compare it with the bulk photo-EMF. It is shown that the reflected photovoltage can prevail over the bulk of the electromotive force only in samples with a large mean free path with a strong absorption of light. In thin films reflected the photo-EMF, apparently observed with other types of photo-EMF and the interpretation of the experimental results can be interpreted as the volume electromotive force.

фототоктонкие пленкидлина свободного пробегафотонапряженияреактивные токифотоЭДСкосонапыленные пленкиЭДС Дембераинтенсивность светакоэффициент поглощения светаphotocurrentthin filmsthe mean free paththe voltagereactive currentsthe photo-EMFoblique sputtered filmthe EMF Demberthe intensity of lightthe light absorption coefficientReferencesРахимов Н.Р., Серьезнов А.Н. АФН пленки и их применение. Монография. Новосибирск: Изд-во «Новосибирск», 2005.Rahimov N.R., Ser'eznov А.N. АFN plenki i ih primenenie. Monografiâ. Novosibirsk: Izd-vo «No-vosibirsk», 2005.Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. М.: Мир, 1984.Kao K., Huang V. Perenos èlektronov v tverdyh telah. V 2-h t. M.: Mir, 1984.Адирович Э.И., Рубинов В.И., Юабов Ю.М. О природе АФН эффекта // ДАН СССР. 1966. Т. 168. С. 1037.Аdirovič È.I., Rubinov V.I., Ûabov Û.M. O prirode АFN èffekta // DАN SSSR. 1966. T. 168. S. 1037.Безногов М.В., Сурис Р.А. Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности // Физика и техника полупроводников (Санкт Петербург). 2013. Т. 47, № 4. С. 493-502.Beznogov M.V., Suris R.А. Teoriâ ballističeskih tokov, ograničennyh ob"emnym zarâdom, v nano strukturah raznoj razmernosti // Fizika i tehnika poluprovodnikov (Sankt Peterburg). 2013. T. 47, № 4. S. 493-502.Саченко А.В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова думка, 1984.Sačenko А.V., Snitko O.V. Fotoèffekty v pripoverhnostnyh sloâh poluprovodnikov. Kiev: Naukova dumka, 1984.Белиничер В.И., Рывкин С.М. Реактивная фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1981. № 10. С. 353-360.Beliničer V.I., Ryvkin S.M. Reaktivnaâ fotoèlektrodvižuŝaâ sila v poluprovodnikah // Žurnal èksperimental'noj i teoretičeskoj fiziki. 1981. № 10. S. 353-360.Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках // Сб. статей: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980. С. 275-293.Ivčenko E.L., Pikus G.E. Fotogal'vaničeskie èffekty v poluprovodnikah // Sb. statej: Problemy so-vremennoj fiziki. L.: Nauka, 1980. S. 275-293.Гулямов Г., Бойдедаев С.Р., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Аномально большие фотонапряжения в полупроводниковых пленках, обусловленные реактивной фотоЭДС // Альтернативная энергетика и экология – ISJAEE. 2007. № 5(49). С. 103-107.Gulâmov G., Bojdedaev S.R., Dadamirzaev M.G., Gulâmov А. Аnomal'no bol'šie fotonaprâženiâ v poluprovodnikovyh plenkah, obuslovlennye reaktivnoj fotoÈDS // Аl'ternativnaâ ènergetika i èkologiâ – ISJAEE. 2007. № 5(49). S. 103-107.Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Реактив ЭЮК ни Дембер ЭЮК билан солиштириш // Рост, свойства и применение кристаллов: Тез. докл. респ. науч. конф. 11-12 апреля 2008. Андижан, 2008. С. 138.Gulâmov G., Dadamirzaev M.G., Gulâmov А. Reaktiv ÈÛK ni Dember ÈÛK bilan solištiriš // Rost, svojstva i primenenie kristallov: Tez. dokl. resp. nauč. konf. 11-12 aprelâ 2008. Аndižan, 2008. S. 138.Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.Bonč-Bruevič V.L., Kalašnikov S.G. Fizika poluprovodnikov. M.: Nauka, 1977.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.