alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейсalternative-2Research ArticleВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКАRENEWABLE ENERGYЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА y-ОБЛУЧЕННЫХ p-GaSeELECTRICAL PROPERTIES OF y-IRRADIATED p-GaSeИсаковГ. И.IsakovG. I.gudrat.isakov@gmail.comИсмаиловА. А.IsmailovA. A.alekper-size@rambler.ruСеидовФ. И.SeidovF. I.ИсмаиловА. А.IsmailovA. A.Институт Физики НАН АзербайджанаАзербайджанInstitute of Physics of Azerbaijan National Academy of SciencesAzerbaijanАзербайджанский Технический УниверситетАзербайджанAzerbaijan Technical UniversityAzerbaijan201505112015021620Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20152015Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/2

Установлено, что появление высоко концентрационного ловушечного уровня в запрещенной зоне связано с процессами легирования и облучения в монокристаллах р-GaSe, в результате которых появляются новые структурные дефекты. Эти дефекты влекут за собой ряд изменений: сужение разброса ловушечных состояний вблизи уровня Ферми, уменьшение среднего расстояния между прыжками, а также уменьшение энергии активации. Эти исследования могут быть полезными при создании солнечных элементов. 

Appearance of high concentration of trap levels in the band gap associated with the processes of doping and irradiation in single crystals of p-GaSe is found. In the result, new structural defects appear. These defects entail a number of changes: narrowing the spread of trap states near the Fermi level, reducing the average distance between the jumps, as well as decrease of in the activation energy. These studies can be particularly useful at solar cells design. 

параметры локальных уровнейуровень Фермисужение разброса ловушечных состоянийакцепторные уровнирадиационные дефектыlocal level parametersFermi levelreduction of trapping state spreadacceptor levelsradiation defectsReferencesМустафаева С.Н., Асадов М.М., Исмаилов А.А. Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле GaSe и GaSe // Изв. РАН Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 9. С. 1040-1043.Mustafaeva S.N., Аsadov M.M., Ismailov А.А. Perenos zarâda po lokalizovannym sostoâniâm v monokristalle GaSe i GaSe // Izv. RАN Neorganičeskie materialy. 2011. T. 47, № 9. S. 1040-1043.Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Сеидов Ф.И., Исмаилов А.А. О самокомпенсации в в монокристаллах p-GaSe и n-InSe // Международный журнал «Альтернативная энергетика и экология». 2014. Т. 48, № 1. С. 1-3.Isakov G.I., Ismailov А.А., Seidov F.I., Ismailov А.А. O samokompensacii v monokristallah p-GaSe i n-InSe // Meždunarodnyj žurnal «Аl'ternativnaâ ènergetika i èkologiâ». 2014. T. 48, № 1. S. 1-3.Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М., Исмаилов Анар A. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe облученных электронным пучком // Международный журнал «Альтернативная энергетика и экология». 2010. Т. 44, № 6. С.1-3.Isakov G.I., Ismailov А.А., Аhmedzade N.D., Širinov M.M., Ismailov Аnar A. Vliânie generacionnorekombinacionnyh processov na èlektroprovodnost' monokristallov GaS i GaSe oblučennyh èlektronnym pučkom // Meždunarodnyj žurnal «Аl'ternativnaâ ènergetika i èkologiâ». 2010. T. 44, № 6. S.1-3.Mamedbeyli S.D., Mustafaeva S.N., Qajar Ch.O., Salaev E.Yu. Deflection and modulation on the light by layer and chain single crystals // Abstracts of the 9th Intern.Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Yakohama, Japan, Аug. 8-12, 1993. P. 126.Mamedbeyli S.D., Mustafaeva S.N., Qajar Ch.O., Salaev E.Yu. Deflection and modulation on the light by layer and chain single crystals // Abstracts of the 9th Intern.Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Yakohama, Japan, Аug. 8-12, 1993. P. 126.Мустафаева С.Н. Прыжковая проводимость в монокристаллах р- GaSe на постоянном токе // Неорган. мат. РАН. 1994. Т. 30, № 5. С.619- 621.Mustafaeva S.N. Pryžkovaâ provodimost' v monokristallah r- GaSe na postoânnom toke // Neorgan. mat. RАN. 1994. T. 30, № 5. S.619- 621.Stocharger P. Method the Brijmene // Phys.Rev. sei, Enter, 1936, № 7, р.133.Stocharger P. Method the Brijmene // Phys.Rev. sei, Enter, 1936, № 7, r.133.Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. М.: Мир, 1974.Mott N., Dèvis È. Èlektronnye processy v nekristalličeskih veŝestvah. Per. s angl. M.: Mir, 1974.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.