alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейсalternative-21Research ArticleНАУЧНЫЕ ОБЗОРЫSCIENTIFIC REVIEWSОТ ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ К ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕFROM INTERNAL FRICTION TO OPTOELECTRONICSРембезаС. И.RembezaS. I.

д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой полупроводниковой электроники и наноэлектроники

vstu-ppe@mail.ruМитрохинВ. И.MitrokhinV. I.

д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры полупроводниковой электроники и наноэлектроники

vstu-ppe@mail.ruВоронежский государственный технический университетРоссияVoronezh State Technical UniversityRussian Federation20150711201503150158Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20152015Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/21

В статье изложены результаты научных исследований, начатых совместно с В.С. Постниковым и продолженных его учениками. Показано, что все работы посвящены актуальным проблемам физики твердого тела и потребностям областей науки и техники высоких технологий.

In the article are expounded scientific investigation resultswthich were began jointly with V.S. Postnikov and continued by his disciples. We showthat allinvestigationweredevoted to actualproblems of solid state physics and the needs of the science and technology areas of high technology.

внутреннее трениеструктурные дефектыакустооптикаinternal frictionstructural defectsacoustoopticsReferencesПостников B.C. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1974.Postnikov B.C. Vnutrennee trenie v metallah. M.: Metallurgiâ, 1974.Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Электронно-микроскопическое исследование макроскопических дефектов в SiO2 // ФТТ. 1971. Т. 13, № 4. С. 1025-1027.Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Èlektronno-mikroskopičeskoe issledovanie makroskopičeskih defektov v SiO2 // FTT. 1971. T. 13, № 4. S. 1025-1027.Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Исследование макроскопических дефектов в пленках SiO2 // ФХОМ. 1972. № 4. С. 35-37.Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Issledovanie makroskopičeskih defektov v plenkah SiO2 // FHOM. 1972. № 4. S. 35-37.Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Структура окисла системы кремний – двуокись кремния // ФХОМ. 1975. № 2. С. 152-153.Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Struktura okisla sistemy kremnij – dvuokis' kremniâ // FHOM. 1975. № 2. S. 152-153.Кирилов В.И., Девочкин О.В., Постников B.C., Рембеза С.И. Физико-химия процесса окисления кремния в воздухе // ЖФХ. 1976. Т. 18, № 3. С. 1938-1940.Kirilov V.I., Devočkin O.V., Postnikov B.C., Rembeza S.I. Fiziko-himiâ processa okisleniâ kremniâ v vozduhe // ŽFH. 1976. T. 18, № 3. S. 1938-1940.Кириллов В.И., Постников B.C., Рембеза С.И., Спирин А.И. Температурная зависимость ширины линий ЭПР в GaAs, компенсированном железом // ФТТ. 1978. Т. 18, № 4. С. 1108-1110.Kirillov V.I., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Spirin А.I. Temperaturnaâ zavisimost' širiny linij ÈPR v GaAs, kompensirovannom železom // FTT. 1978. T. 18, № 4. S. 1108-1110.Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И. О поведении хрома в диффузионно-легированном фосфиде галлия // ФТП. 1978. Т. 12, № 11. С. 2256-2258.Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Spirin А.I. O povedenii hroma v diffuzionno-legirovannom fosfide galliâ // FTP. 1978. T. 12, № 11. S. 2256-2258.Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С. И., Спирин А.И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия // ФТТ. 1980. Т. 22, № 11. С. 3322-3326.Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S. I., Spirin А.I. Zarâdovye sostoâniâ i diffuziâ marganca v fosfide galliâ // FTT. 1980. T. 22, № 11. S. 3322-3326.Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Тесленко В.В. Поведение Mn в p-GaP // ФТТ. 1982. Т. 24, № 5. С. 1494-1496.Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Teslenko V.V. Povedenie Mn v p-GaP // FTT. 1982. T. 24, № 5. S. 1494-1496.Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С. И., Тесленко В.В. Состояние примесных атомов хрома и кобальта в арсениде галлия Название статьи // ФТП. 1983. Т. 17, № 6. С. 1149-1151.Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S. I., Teslenko V.V. Sostoânie primesnyh atomov hroma i kobal'ta v arsenide galliâ Nazvanie stat'i // FTP. 1983. T. 17, № 6. S. 1149-1151.Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Electron states of iron and its diffusion in gallium phosphide // Phys. Stat Sol(a). 1999. Vol. 172. Р. 177-181.Pribylov N.N., Rembeza S.I. Electron states of iron and its diffusion in gallium phosphide // Phys. Stat Sol(a). 1999. Vol. 172. R. 177-181.Рембеза С.И. Парамагнитный резонанс в полупроводниках. М.: Металлургия, 1988.Rembeza S.I. Paramagnitnyj rezonans v poluprovodnikah. M.: Metallurgiâ, 1988.Кириллов В.И., Материкин Д.И., Рембеза С.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в по-лупроводниках, легированных переходными металлами // ФТП. 1982. Т. 16, № 12. С. 2190-2192.Kirillov V.I., Materikin D.I., Rembeza S.I. Fotoionizaciâ glubokih primesnyh centrov v poluprovodnikah, legirovannyh perehodnymi metallami // FTP. 1982. T. 16, № 12. S. 2190-2192.Постников B.C., Рембеза С.И., Материкин Д.И. Многофононное поглощение света глубокими заряженными центрами в полупроводниках // ФТТ. 1983. Т. 25, № 8. С. 2787-2789.Postnikov B.C., Rembeza S.I., Materikin D.I. Mnogofononnoe pogloŝenie sveta glubokimi zarâ-žennymi centrami v poluprovodnikah // FTT. 1983. T. 25, № 8. S. 2787-2789.Кириллов В.И., Материкин Д.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Капустин Ю.А. Nature of impurity optica labsorption band in Si, dopеd with noble metals // Phys. Stat/Sol(b). Vol. 128. P. K163–K167.Kirillov V.I., Materikin D.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Kapustin Û.А. Nature of impurity optica labsorption band in Si, doped with noble metals // Phys. Stat/Sol(b). Vol. 128. P. K163–K167.Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Эффекты электрон-фононного взаимодействия и примесной фотопроводимости InP // ФТП. 1988. Т. 22, № 3. С. 485-488.Zaharov Û.V., Pribylov N.N., Rembeza S.I. Èffekty èlektron-fononnogo vzaimodejstviâ i primes-noj fotoprovodimosti InP // FTP. 1988. T. 22, № 3. S. 485-488.Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия // ФТП. 1994. Т. 28, № 3. С. 467-471.Pribylov N.N., Rembeza S.I., Sustretov А.А. Аmfoternoe povedenie medi v fosfide indiâ // FTP. 1994. T. 28, № 3. S. 467-471.Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП. 1998. Т. 32, № 10. С. 1165-1169.Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Spirin А.I., Suškov S.А. Fotoprovodimost' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // FTP. 1998. T. 32, № 10. S. 1165-1169.Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП. 1999. Т. 33, № 8. С. 916-920.Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Spirin А.I., Suškov S.А. Sobstvennaâ fotoprovodimost' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // FTP. 1999. T. 33, № 8. S. 916-920.Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Сушков С.А., Москвичев А.В. Примесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // Перспективные материалы. 2002. № 3. С. 28-31.Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Suškov S.А., Moskvičev А.V. Primesnaâ fotoprovodi-most' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // Perspektivnye materialy. 2002. № 3. S. 28-31.Рембеза С.И., Прибылов Н.Н., Макаренко Ф.В., Мельник В.А. Влияние обработки поверхности на фотопроводимость InP:Cu // ФТП. 2008. Т. 42, № 5. С. 542-545.Rembeza S.I., Pribylov N.N., Makarenko F.V., Mel'nik V.А. Vliânie obrabotki poverhnosti na fotoprovodimost' InP:Cu // FTP. 2008. T. 42, № 5. S. 542-545.Мельник В.А., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Макаренко Ф.В. Внутрицентровые возбужденные состояния Cu в InP, легированном медью // ФТП. 2009. Т. 43, № 3. С. 294-296.Mel'nik V.А., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Makarenko F.V. Vnutricentrovye vozbuždennye so-stoâniâ Cu v InP, legirovannom med'û // FTP. 2009. T. 43, № 3. S. 294-296.Постников В.С., Паршин А.В., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Исследование монокристаллов полупроводников методом внутреннего трения // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4, № 12. С. 740-743.Postnikov V.S., Paršin А.V., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P. Issledovanie monokristallov poluprovodnikov metodom vnutrennego treniâ // Pis'ma v ŽTF. 1978. T. 4, № 12. S. 740-743.Tan S.G., Barry B.S., Frank W. Ion Implantation in Semiconductor and Other Materials: New-York-London, 1973. P. 19-30.Tan S.G., Barry B.S., Frank W. Ion Implantation in Semiconductor and Other Materials: New-York-London, 1973. P. 19-30.Laszig D., Haasen P. Internal Friction of GaAs with EL2 Defects // Phys. Stat. Sol. A. 1987. Vol. 104, No. 2. P. K-165–K-109.Laszig D., Haasen P. Internal Friction of GaAs with EL2 Defects // Phys. Stat. Sol. A. 1987. Vol. 104, No. 2. P. K-165–K-109.Постников B.C., Кириллов В.И., Капустин Ю.А., Борисов B.C. Влияние обработки поверхности кремния на низкотемпературное внутреннее трение // ФХОМ. 1985. № 6. С. 98-101.Postnikov B.C., Kirillov V.I., Kapustin Û.А., Borisov B.C. Vliânie obrabotki poverhnosti kremniâ na nizkotemperaturnoe vnutrennee trenie // FHOM. 1985. № 6. S. 98-101.Александров Л.Н., Зотов М.И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979.Аleksandrov L.N., Zotov M.I. Vnutrennee trenie i defekty v poluprovodnikah. Novosibirsk: Nauka, 1979.Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984.Mil'vidskij M.G., Osvenskij V.B. Strukturnye defekty v monokristallah poluprovodnikov. M.: Metallurgiâ, 1984.Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Шелонин Е.А. Определение растворимости меди в германии методом внутреннего трения. В кн. «Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах». М.: Наука, 1982. С. 163-167.Fistul' V.I., Âkovenko А.G., Šelonin E.А. Opredelenie rastvorimosti medi v germanii metodom vnutrennego treniâ. V kn. «Vnutrennee trenie v metallah i neorganičeskih materialah». M.: Nauka, 1982. S. 163-167.Митрохин В.И., Рембеза С.И., Свиридов В.В., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках // ФТТ. 1985. Т. 27, № 7. С. 2081-2085.Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Âroslavcev N.P. Vnutrennee trenie, svâzannoe s glubokimi urovnâmi v polârnyh poluprovodnikah // FTT. 1985. T. 27, № 7. S. 2081-2085.Борисов В.С., Капустин Ю.А., Кириллов В.И. Неупругая и диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии // ФТТ. 1992. Т. 34, №5. С. 1561-1564.Borisov V.S., Kapustin Û.А., Kirillov V.I. Neuprugaâ i dièlektričeskaâ relaksaciâ v kompensirovannom kremnii // FTT. 1992. T. 34, №5. S. 1561-1564.Даринский Б.М., Измайлов Н.В., Логинов В.А., Митрохин В.И., Ярославцев Н.П. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушения-ми их поверхности // ФТТ. 1987. Т. 29, № 12. С. 3529-3533.Darinskij B.M., Izmajlov N.V., Loginov V.А., Mitrohin V.I., Âroslavcev N.P. Neuprugaâ relaksa-ciâ v tverdyh telah, svâzannaâ s narušeniâmi ih poverhnosti // FTT. 1987. T. 29, № 12. S. 3529-3533.Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Влияние термического отжига на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // Изв. РАН. Сер. физич. 2000. Т. 64, № 9. С. 1722-1726.Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P. Vliânie termičeskogo otžiga na vnutrennee trenie v poluizoliruûŝem arsenide galliâ // Izv. RАN. Ser. fizič. 2000. T. 64, № 9. S. 1722-1726.Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк А.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М. Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода // ФТП. 2002. Т. 32, № 9. С. 1035-1039.Mockin V.V., Olejnič-Lysûk А.V., Raranskij N.D., Fodčuk I.M. Issledovanie vnutrennego treniâ i èffektivnogo modulâ sdviga monokristalličeskogo kremniâ na načal'nyh stadiâh precipitacii kisloroda // FTP. 2002. T. 32, № 9. S. 1035-1039.Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии // ФТП. 2005. Т. 39, № 3. С. 300-304.Il'in А.S., Maksimov А.I., Mošnikov V.А., Âroslavcev N.P. Vnutrennee trenie v poluprovodnikovyh tonkih plenkah, polučennyh metodom zol'-gel' tehnologii // FTP. 2005. T. 39, № 3. S. 300-304.Авторское Свидетельство СССР № 1179183. Способ определения инородных включений в твердых телах / Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., Измайлов Н.П., Лисовенко В.А. // 1985.Аvtorskoe Svidetel'stvo SSSR № 1179183. Sposob opredeleniâ inorodnyh vklûčenij v tverdyh telah / Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P., Izmajlov N.P., Lisovenko V.А. // 1985.Глушков Е.А., Измайлов Н.В., Литвин А.А., Рембеза С.И., Тузовский А.Н., Турков С.К., Ярославцев Н.П. О механизме образования микровключений компонента А3 в полупроводниках А3В5 // Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1985. № 12. С. 2103-2105.Gluškov E.А., Izmajlov N.V., Litvin А.А., Rembeza S.I., Tuzovskij А.N., Turkov S.K., Âroslavcev N.P. O mehanizme obrazovaniâ mikrovklûčenij komponenta А3 v poluprovodnikah А3V5// Izv. АNSSSR, Neorg. mater. 1985. № 12. S. 2103-2105.Митрохин В.И., Рембеза С. И., Руденко А.А. Эффект оптического индуцирования механических колебаний в монокристаллах арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32, Вып. 11. С. 32-36.Mitrohin V.I., Rembeza S. I., Rudenko А.А. Èffekt optičeskogo inducirovaniâ mehaničeskih kolebanij v monokristallah arsenida galliâ // Pis'ma v ŽTF. 2006. T. 32, Vyp. 11. S. 32-36.Митрохин В.И., Рембеза С.И., Антонов Р.Н. Фотопьезоэлектрическое индуцирование резонансных акустических волн в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия // ФТП. 2011. Т. 45, Вып. 12. С. 1611-1616.Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Аntonov R.N. Fotop'ezoèlektričeskoe inducirovanie rezonansnyh akustičeskih voln v monokristallah poluizoliruûŝego arsenida galliâ // FTP. 2011. T. 45, Vyp. 12. S. 1611-1616.Патент на полезную модель РФ № 77735. МПК Н03Н 7/00. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах / Митрохин В.И., Николаев О.В., Рембеза С.И., Кузеванов Л.Н. // Приоритет 03.06.2008.Patent na poleznuû model' RF № 77735. MPK N03N 7/00. Fotočuvstvitel'nyj fil'tr na poverhnostnyh akustičeskih volnah Nazvanie / Mitrohin V.I., Nikolaev O.V., Rembeza S.I., Kuzevanov L.N. // Prioritet 03.06.2008.Патент РФ №2439755, МПК Н01Р 1/205 №2010119289/07. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах / Митрохин В.И., Николаев О.В., Рембеза С.И. Приоритет 13.05.2010 // Опубл. 10.01.2012; Бюл. № 1.Patent RF №2439755, MPK N01R 1/205 №2010119289/07. Fotočuvstvitel'nyj fil'tr na poverhnostnyh akustičeskih volnah / Mitrohin V.I., Nikolaev O.V., Rembeza S.I. Prioritet 13.05.2010 // Opubl. 10.01.2012; Bûl. № 1.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Формирование поверхностных периодических структур под действием некогерентного излучения // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, Вып. 15. С. 55-59.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Formirovanie poverhnostnyh periodičeskih struktur pod dejstviem nekogerentnogo izlučeniâ // Pis'ma v ŽTF. 1989. T. 15, Vyp. 15. S. 55-59.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Локальное поверхностное плавление ионно-имплантированного кремния // ЖТФ. 1989. Т. 59, Вып. 11. С. 181-183.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Lokal'noe poverhnostnoe plavlenie ionno-implantirovannogo kremniâ // ŽTF. 1989. T. 59, Vyp. 11. S. 181-183.Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Управление периодом поверхностного рельефа конденсированных сред // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, Вып. 14. С. 48-52.Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Upravlenie periodom poverhnostnogo rel'efa kondensirovannyh sred // Pis'ma v ŽTF. 1989. T. 15, Vyp. 14. S. 48-52.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Влияние обработки поверхности на особенности локального плавления кремния // Письма в ФХОМ. 1989. № 2. С. 72-75.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Vliânie obrabotki poverhnosti na osobennosti lokal'-nogo plavleniâ kremniâ // Pis'ma v FHOM. 1989. № 2. S. 72-75.Авторское свидетельство СССР № 1537080. Способ контроля уровня загрязнения реакторов / Плотников Д.И., Рембеза С.И., Кошман С.М. // 1989.Аvtorskoe svidetel'stvo SSSR № 1537080. Sposob kontrolâ urovnâ zagrâzneniâ reaktorov / Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Košman S.M. // 1989.Плотников Д.И., Логинов В.А., Рембеза С.И. Исследование природы центров поверхностного плавления полупроводников в условиях импульсного нагрева // Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 174-178.Plotnikov D.I., Loginov V.А., Rembeza S.I. Issledovanie prirody centrov poverhnostnogo plavleniâ poluprovodnikov v usloviâh impul'snogo nagreva // Vysokočistye veŝestva. 1989. № 6. S. 174-178.Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Локальное поверхностное плавление термически окисленного кремния // Электронная техника, Сер. Материалы. 1990. № 6. С. 64-67.Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Lokal'noe poverhnostnoe plavlenie termičeski okislennogo kremniâ // Èlektronnaâ tehnika, Ser. Materialy. 1990. № 6. S. 64-67.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Кошман С.М., Логинов В.А. Лазерноегеттерирование кремниевых подложек для ИС // Электронная промышленность. 1989. № 8. С. 20-23.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Košman S.M., Loginov V.А. Lazernoegetterirovanie kremnievyh pod-ložek dlâ IS // Èlektronnaâ promyšlennost'. 1989. № 8. S. 20-23.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А., Дорофеев А.П. Анизотропное локальное плавление ионно-имплантированного бором Si // Кристаллография. 1990. Т. 35. С. 1523-1526.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А., Dorofeev А.P. Аnizotropnoe lokal'noe plavlenie ionnoimplantirovannogo borom Si // Kristallografiâ. 1990. T. 35. S. 1523-1526.Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Исследование процессов плавления и кристаллизации ионно-имплантированного сурьмой кремния, подвергнутого действию мощного некогерентного излучения // ЖТФ. 1990. Т. 60, Вып. 12. С. 131-134.Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Issledovanie processov plavleniâ i kristallizacii ionnoimplantirovannogo sur'moj kremniâ, podvergnutogo dejstviû moŝnogo nekogerentnogo izlučeniâ // ŽTF. 1990. T. 60, Vyp. 12. S. 131-134.Плотников Д.И., Логинов В.А., Рембеза С.И. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированного ионами бора // ФХОМ. 1991. № 2. С. 122-125.Plotnikov D.I., Loginov V.А., Rembeza S.I. Vliânie mehaničeskoj obrabotki na anizotropnoe plavlenie plastin kremniâ, implantirovannogo ionami bora // FHOM. 1991. № 2. S. 122-125.Железный С.В., Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Особенности локального плавления кремния при электроннолучевом нагреве // ФХОМ. 1990. № 2. С. 138-139.Železnyj S.V., Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Osobennosti lokal'nogo plavleniâ kremniâ pri èlektronnolučevom nagreve // FHOM. 1990. № 2. S. 138-139.Водянов Ю.М., Рембеза С.И., Коротчина Г.Н., Белозерова Л.П. Тонкопленочный сорбционно-кондуктометрический датчик // Электроника. Сер. 5. 1989. Вып. 1 (300). С. 111-112.Vodânov Û.M., Rembeza S.I., Korotčina G.N., Belozerova L.P. Tonkoplenočnyj sorbcionnokonduktometričeskij datčik // Èlektronika. Ser. 5. 1989. Vyp. 1 (300). S. 111-112.Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Щербаков Д.Ю. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 7. С. 57-60.Loginov V.А., Rembeza S.I., Svistova T.V., Ŝerbakov D.Û. Vliânie lazernoj obrabotki na gazovuû čuvstvitel'nost' plenok dioksida olova // Pis'ma v ŽTF. 1998. T. 24, № 7. S. 57-60.Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Electrical resistivity and gas response mechanism of nanocrystalline SnO2 films in a wide temperature range // Phys. Stat/Sol (a). 2000. Vol. 179. P. 147-152.Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V., Borsâkova O.I. Electrical resistivity and gas response mecha-nism of nanocrystalline SnO2 films in a wide temperature range // Phys. Stat/Sol (a). 2000. Vol. 179. P. 147-152.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2 // ФТП. 2001. Т. 35, № 7. С. 796-800.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Borsâkova O.I. Mikrostruktura i fizičeskie svojstva tonkih plenok SnO2 // FTP. 2001. T. 35, № 7. S. 796-800.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Борсякова О.И., Рембеза Е.С. Влияние примеси Pd на газочувствительные свойства пленок SnO2 // Сенсоры. 2001. № 2. С. 37-48.Rembeza S.I., Svistova T.V., Borsâkova O.I., Rembeza E.S. Vliânie primesi Pd na gazočuvstvitel'nye svojstva plenok SnO2 // Sensory. 2001. № 2. S. 37-48.Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В. Electrophysical properties of gas sensitive films SnO2 doped with palladium // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 273-277.Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V. Electrophysical properties of gas sensitive films SnO2 doped with palladium // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 273-277.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Милашечко В.В. Влияние примеси платины на свойства пленок SnO2, используемых в датчиках газов // Нано- и микросистемная техника. 2004. Т. 3. С. 21-24.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Milašečko V.V. Vliânie primesi platiny na svojstva plenok SnO2, ispol'zuemyh v datčikah gazov // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2004. T. 3. S. 21-24.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением // ФТП. 2006. Т. 40, № 1. С. 57-60.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Borsâkova O.I. Fizičeskie svojstva plenok SnO2, obrabotannyh nekogerentnym impul'snym izlučeniem // FTP. 2006. T. 40, № 1. S. 57-60.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В. Электрические и оптические свойства полупроводниковых пленок на основе SnO2 и SiO2 // Электротехника. 2004. Т. 10. С. 10-14.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Gorlova G.V. Èlektričeskie i optičeskie svojstva poluprovodnikovyh plenok na osnove SnO2 i SiO2 // Èlektrotehnika. 2004. T. 10. S. 10-14.Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Калач А.А., Логинов В.А. Application of metaloxide sensors and cheramic methods for organic substances vapor dection // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 412-416.Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V., Kalač А.А., Loginov V.А. Application of metaloxide sensors and cheramic methods for organic substances vapor dection // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 412-416.Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Домашевская Э.П., Гречкина М.В., Агапов Б.Л. Влияние атомного состава оксидных нанокомпозитов на основе SnO2 на их структуру // Нано- и микросистемная техника. 2005. Т. 7. С. 25-28.Rembeza S.I., Rembeza E.S., Domaševskaâ È.P., Grečkina M.V., Аgapov B.L. Vliânie atomnogo sostava oksidnyh nanokompozitov na osnove SnO2 na ih strukturu // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2005. T. 7. S. 25-28.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Дырды Н.Н. Методы повышения газочувствительных свойств пленок SnO2 для датчиков газов // Изв. вузов. Электроника. 2006. № 1. С. 3-8.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Dyrdy N.N. Metody povyšeniâ gazočuvstvitel'nyh svojstv plenok SnO2 dlâ datčikov gazov // Izv. vuzov. Èlektronika. 2006. № 1. S. 3-8.Рембеза С.И., Шматова Ю.В., Свистова Т.В., Комарова А.С., Дырда Н.Н. Структура и электрофизические свойства нанокомпозита SnOx:MnOy // На-но- и микросистемная техника. 2006. Т. 4. С. 27-29.Rembeza S.I., Šmatova Û.V., Svistova T.V., Komarova А.S., Dyrda N.N. Struktura i èlektrofizičeskie svojstva nanokompozita SnOx:MnOy // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2006. T. 4. S. 27-29.Рембеза С.И., Шматова Ю.В., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Кошелева Н.Н. Электрические и газо-сенсорные свойства нанокомпозита на основе SnO2 с многостеннымиуглеродными нанотрубками // ФТП. 2012. Т. 46, № 9. С. 1213-1216.Rembeza S.I., Šmatova Û.V., Svistova T.V., Rembeza E.S., Košeleva N.N. Èlektričeskie i gazosensornye svojstva nanokompozita na osnove SnO2 s mnogostennymiuglerodnymi nanotrubkami // FTP. 2012. T. 46, № 9. S. 1213-1216.Патент РФ № 2257567, МПК G01N27/12. Твердотельный интегральный датчик газов / Рембеза С.И., Буслов В.А., Викин О.Г., Рембеза Е.С. Приоритет 19.05.2004 // Опубл. 10.01.2006. Бюл. № 1. 2005.Patent RF № 2257567, МПК G01N27/12. Tverdotel'nyj integral'nyj datčik gazov / Rembeza S.I., Bu-slov V.А., Vikin O.G., Rembeza E.S. Prioritet 19.05.2004 // Opubl. 10.01.2006. Bûl. № 1. 2005.Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов // Сенсор. 2004. № 1. С. 20-28.Rembeza S.I., Prosvirin D.B., Vikin O.G., Vikin G.А., Buslov V.А., Kulikov D.Û. Osobennosti konstrukcii i tehnologii izgotovleniâ tonkoplenočnyh metallooksidnyh integral'nyh sensorov gazov // Sensor. 2004. № 1. S. 20-28.Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Тепловые переходные процессы в газовых сенсорах // Сенсор. 2005. № 1. С. 49-54.Rembeza S.I., Prosvirin D.B., Vikin O.G., Vikin G.А., Buslov V.А., Kulikov D.Û. Teplovye perehodnye processy v gazovyh sensorah // Sensor. 2005. № 1. S. 49-54.Канныкин С.В., Кущев С.Б., Плешков А.П., Рембеза С.И. Синтез и электрические свойства гетероструктуры на основе пленки n-SnO2/p-Si // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2007. № 2. С. 27-31.Kannykin S.V., Kuŝev S.B., Pleškov А.P., Rembeza S.I. Sintez i èlektričeskie svojstva geterostruktury na osnove plenki n-SnO2/p-Si // Izv. vuzov. Materialy èlektronnoj tehniki. 2007. № 2. S. 27-31.Рембеза С.И., Воронов П.Е., Рембеза Е.С., Синельников Б.М. Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO2)х(In2O3)1 – х (х = 0,5 – 1) // ФТП. 2011. Т. 45, № 11. С. 1538-1541.Rembeza S.I., Voronov P.E., Rembeza E.S., Sinel'nikov B.M. Sintez, struktura i èlektričeskie svojstva nanokompozita (SnO2)х(In2O3)1 – х (х = 0,5 – 1) // FTP. 2011. T. 45, № 11. S. 1538-1541.Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Кошелева Н.Н., Плотникова Е.Ю. Синтез многоком-понентных металлооксидных пленок различного со-става (SnO2)X(ZnO)1-X (X = 1 – 0,5) // ФТП. 2014. Т. 48, № 8. С. 1147-1151.Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Košeleva N.N., Plotnikova E.Û. Sintez mnogokomponentnyh metallooksidnyh plenok različnogo sostava (SnO2)X(ZnO)1-X (X = 1 – 0,5) // FTP. 2014. T. 48, № 8. S. 1147-1151

The authors declare that there are no conflicts of interest present.