alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2023.12.012-018alternative-2510Research ArticleI. ВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКА 1. Солнечная энергетикаI. RENEWABLE ENERGY 1. Solar EnergyФотоэлектрические и оптические свойства бинарных соединений GexSi1-x кремнияPhotoelectric and optical properties of GexSi1-x binary compounds siliconЗикриллаевН. Ф.ZikrillaevN. F.

Зикриллаев Нурулла Фатхуллаевич, д.ф. – м.н., профессор

100095 Ташкент, ул. Университетская 2;

тел.:(+998-94)641-77-88

Zikrillaev Nurulla Fatxullaevich, Doctor of Physical and Mathematical Sciences, Professor

100095 Tashkent, st. University 2

КушиевГ. А.KushievG. A.

Кушиев Гиёсиддин Абдивахоб угли – докторант

100095 Ташкент, ул. Университетская 2;

тел.:(+998-94)641-77-88

Kushiev Giyosiddin, PhD student

100095 Tashkent, st. University 2

gkushiyev@inbox.ruНоркуловН.NorkulovN.

Норкулов Неъмат – доцент

100095 Ташкент, ул. Университетская 2;

тел.:(+998-94)641-77-88

Norkulov Nemat, Dotsent (PhD)

АбдурахмановБ. А.AbdurakhmanovB.

Абдурахманов Бахромжон Абдукаххарович, доцент

100095 Ташкент, ул. Университетская 2;

тел.:(+998-94)641-77-88

Abdurakhmanov Bakhromjon Abdukakhkharovich, (PhD)

st. Universitetskaya 2, 100095 Tashkent

НеъматовО. С.NematovO. S.

Неъматов Отабек Солиддин угли

140104, город Самарканд, Университетский бульвар, 15

Nematov Otabek, PhD student

st. University blv. 15, 140104 Samarkand

Ташкентский государственный технический университетУзбекистанTashkent State technical universityUzbekistanНациональный университет Узбекистана имени Мирзо Улугбека (НУУ)УзбекистанNational University of Uzbekistan named after Mirzo Ulugbek (NUU)UzbekistanТашкентский государственный технический университетУзбекистанTashkent State Technical UniversityUzbekistanСамаркандский государственный университетУзбекистанSamarkand State UniversityUzbekistan2023141220240121218Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20242024Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/2510

Использование энергии обеспечения снабжения альтернативных и возобновляемых источников энергии во всем мире привлекают большой и практический интерес. Растущий интерес к ним вызван экологическими соображениями с одной стороны, и ограниченностью традиционных углеводородных источников энергии – с другой. Особое место среди альтернативных и возобновляемых источников энергии занимают фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии, исследование физики, которых превратилось в отдельное научное направление фотовольтаику. Разработка и создание фотоэлементов на основе кремния бинарными соединениями атомами германия GexSi1−x в объеме, также представляет особый интерес ученых и специалистов. Так как получение кремния с бинарными соединениями кремний-германия с определенными электрофизическими параметрами и структурой позволяет существенно расширить спектральную область чувствительности фотоприемников и эффективности фотоэлементов на основе таких материалов.

The use of alternative and renewable sources of energy supply in energy supply around the world is attracting great and practical interest. The growing interest in them is caused by environmental considerations, on the one hand, and the limited nature of traditional hydrocarbon energy sources, on the other. A special place among alternative and renewable energy sources is occupied by photoelectric solar energy converters, the study of physics, which has become a separate scientific direction of photovoltaics. The development and creation of photocells based on silicon by binary compounds of germanium atoms GexSi1 – x in volume is also of particular interest to scientists and specialists. Since the production of silicon with binary compounds of silicon-germanium with certain electrical parameters and structure allows you to significantly expand the spectral region of the sensitivity of photodetectors and the efficiency of photocells based on such materials.

возобновляемые источникиэнергияфотоэлектрические свойствагетеропереходваризонная структурадиффузиятемпературафотоэлементкремнийгерманийrenewable sourcesenergyphotovoltaic propertiesheterojunctiongraded-gap structurediffusiontemperaturesolar cellsilicongermaniumReferencesБахадырханов М.К., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошбоев Т. "Влияние дополнительного легирования примесями с глубокими уровнями на параметры кремниевых солнечных элементов и их деградацию", журнал Гелиотехника, 1998 г., № 2, стр. 84-89.Bakhadyrkhanov M.K., Iliev KH.M., Tachilin S.A., Toshboev T. "Vliyanie dopolnitel'nogo legirovaniya primesyami s glubokimi urovnyami na parametry kremnievykh solnechnykh ehlementov i ikh degradatsiyu", zhurnal Geliotekhnika, 1998 g., № 2, str. 84-89.Мирсагатов Р.М. Метасбильность центров марганца в твёрдых растворах кремний-германий. ФТП. 1992, в.3, с. 427.Mirsagatov R.M. Metasbil'nost' tsentrov margantsa v tverdykh rastvorakh kremnii-germanii. FTP.1992, v.3, s. 427.Bahadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Tursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 6, pp. 542–545.Bahadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Tursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. Semiconductors, 2021, Vol. 55, № 6, pp. 542–545.Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., Melebaev D., Zikrillayev Kh.F., Ikhtiyarova G.A. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n Junction. Applied Solar Energy, 2020, Vol. 56, No. 1, pp. 13-17.Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., Melebaev D., Zikrillayev Kh.F., Ikhtiyarova G.A. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n Junction. Applied Solar Energy, 2020, Vol. 56, № 1, pp. 13-17.Бахадырханов М.К., Абдурахмонов Б.А., Зикриллаев Х.Ф. О состоянии германия в кремнии условиях низкотемпературной диффузии // Технология, оборудование и новые материалы, Приборы. 2018. №5 (215) С. 39-43.6.Bakhadyrkhanov M.K., Abdurakhmonov B.A., Zikrillaev KH.F. O sostoyanii germaniya v kremnii usloviyakh nizkotemperaturnoi diffuzii // Tekhnolo-giya, oborudovanie i novye materialy, Pribory. 2018. № 5 (215) S. 39-43.6.Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Москва, 1962, с. 558.B'yub R. Fotoprovodimost' tverdykh tel. Moskva, 1962, s. 558.Чирково Е.Г. Особенности спектра длинно-волновой примесей фотопроводимости в компенсированном Ge. ФТП. 1995, С. 1576.Chirkovo E.G. Osobennosti spektra dlinnovolnovoi primesei fotoprovodimosti v kompensirovannom Ge. FTP. 1995, S. 1576.Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Isamov S.B., Abdurahmonov B.A., Kushiev G.A., Spectral Dependence of the Photoconductivity of GеxSi1 – x Type Graded-Gap Structures Obtained by Diffusion Technology. Semiconductors, 2022, Vol. 56, No. 1, pp. 29-31.Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Isamov S.B., Abdurahmonov B.A., Kushiev G.A., Spectral Dependence of the Photoconductivity of GexSi1 – x Type Graded-Gap Structures Obtained by Diffusion Technology. Semiconductors, 2022, Vol. 56, No. 1, pp. 29-31.Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, А.А. Цветков, К.С. Журавлев, А.И Никифоров. Оптические свойства монослоев германия на кремнии. ФТП. 2001, №8, С. 979-985.T.M. Burbaev, T.N. Zavaritskaya, V.A. Kurbatov, N.N. Mel'nik, A.A. Tsvetkov, K.S. Zhuravlev, A.I Nikiforov. Opticheskie svoistva monosloev germaniya na kremnii. FTP. 2001, № 8, S. 979-985.Terakawa Akira, Isomura Masao, Tsuda Shinya. Effect of optimal gap on the stability of α-SiGe solar cells. // 16th Int. Conf. Amorph. Semicond. – Si, and Technol., Kobe, Sept. 4-8, 1995: /CAS 16Pt 2.Terakawa Akira, Isomura Masao, Tsuda Shinya. Effect of optimal gap on the stability of α-SiGe solar cells. // 16th Int. Conf. Amorph. Semicond. – Si, and Technol., Kobe, Sept. 4-8, 1995: /CAS 16Pt 2.Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 2004, Т.38, В.5, С. 593-597.Parkhomenko YU.N., Belogorokhov A.I., Gerasimenko N.N., Irzhak A.V., Lisachenko M.G. Svoistva samoorganizovannykh SiGe-nanostruktur, poluchennykh metodom ionnoi implantatsii. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 2004, T.38, V.5, S. 593-597.S. Abedrabbo, D.E. Arafah, O. Gokce, L.S. Wielunski, M. Gharaibeh, O. Celik and N.M. RavindraIon Beam Mixing for Processing of Nanostructure Materials. Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 35, No. 5, 2006.S. Abedrabbo, D.E. Arafah, O. Gokce, L.S. Wielunski, M. Gharaibeh, O. Celik and N.M. Ravindra. Ion Beam Mixing for Processing of Nanostructure Materials. Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 35, № 5, 2006.Абдурахмонов Б.А., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Содиков У.Х., Саитов Э.Б., Сапарниязова З.М., Миркомилова М. Кремний с кластерами примесных атомов – как новый класс материалов для фотоэнергетики. Республиканская научно-техническая конференция «Актуальные проблемы использования альтернативных источников энергии». Карши, 28-29 апреля 2014 г., C. 98-99.Abdurakhmonov B.A., Zikrillaev N.F., Isamov S.B., Sodikov U.KH., Saitov EH.B., Saparniyazova Z.M., Mirkomilova M. Kremnii s klasterami primesnykh atomov – kak novyi klass materialov dlya fotoehnergetiki. Respublikanskaya nauchno-tekhnicheskaya konferentsiya «Aktual'nye problemy ispol'zovaniya al'ternativnykh istochnikov ehnergiI». Karshi, 28-29 aprelya 2014 g., C. 98-99.Saidov A.S., Razzokov A.S. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1–xGex–GaAs Structures. Crystallography Reportsthis, 2022, 67(2), стр. 301–305.Saidov A.S., Razzokov A.S. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1–xGex–GaAs Structures. Crystallography Reportsthis, 2022, 67(2), str. 301–305.Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками.Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Shchukin V.A., Kop'ev P.S., Alferov ZH.I., Bimberg D. Geterostruktury s kvantovymi tochkami.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.