Исаков Гудрат Исакович - доктор физико-математических наук, профессор
г. Баку-1143, проспект Г. Джавида 33
Gudrat I. Isakov
Baku-1143, G.Javid Avenue 33
Исмаилов Анар Алекпер - доктор философии по физике, доцент
г. Баку-1143, проспект Г. Джавида 25
Anar A. Ismailov
Baku-1143, 25 G. Javid Avenue
Исмаилова Пакизе Гамид - доктор философии по физике, доцент
г. Баку-1143, проспект Г. Джавида 33
Pakize G. Ismailova
Baku-1143, G.Javid Avenue 33
Исмаилов Aлекпер Алигейдар - доктор философии по физике, доцент
г. Баку-1143, проспект Г. Джавида 33
Alekper A. Ismailov
Baku-1143, G.Javid Avenue 33
Абдинбеков Садых Сулейман - доктор философии по физике, доцент
город Баку-1143, проспект Г. Джавида 33
Sadıx S. Abdinbekov
Baku-1143, G.Javid Avenue 33
Велибеков Хаял Шахин - старший научный сотрудник
г. Баку, ул. Л. Абдуллаева 24
Xayal Sh. Velibekov
Baku, st. L. Abdullayeva 24
Оруджев Теймур Яшар - доктор философии по физике
город Баку-1143, проспект Г. Джавида 33
Teymur Y. Orudzhev
Baku-1143, G.Javid Avenue 33
В работе исследованы температурные зависимости электропроводности необлученных и облученных гамма квантами монокристаллов In0,99Sm0,01Se и In0,99Er0,01Se в температурном интервале 125-300К. Из экспериментальных данных выявлено, что при облучении монокристаллов ã-квантами с дозой 100 крад происходит лечение неконтролируемых дефектов и увеличивается концентрация неравновесных носителей заряда. То есть, радиация приводит к совершенству кристаллов, что является важным фактором для эффективного использования этих материалов в промышленной электронике. Исследования электропроводности позволяет определит энергетические уровни дефектов в необлученных и облученных гамма квантами монокристаллах In0,99Sm0,01Se и In0,99Er0,01Sе.
Установлено, что при облучении монокристаллов твердых растворов In0,99Sm0,01Se и In0,99Er0,01Se с дозой 100 крад при низких температурах зависимость óТ(ã) (темновая электропроводность) не связаны разогревом носителей заряда электрическим полем. Различие температурной зависимости между необлученными и облученными кристаллами при низких температурах зависит от термического опустошения дефектных центров, а при высоких температурах происходит увеличение концентрации дефектных центров.
Из температурных зависимостей электропроводности определены энергии активации для необлученного и облученного с дозой 100крад монокристаллов твердых растворов In0,99Sm0,01Se и In0,99Er0,01Se. Установлено, что для необлученного и облученного с дозой 100крад монокристалла твердого раствора In0,99Sm0,01Se энергии активации составляли, соответственно Еанеоб =1,1эВ и Еаоб=0,56эВ. Для монокристаллов твердых растворов In0,99Er0,01Se энергия активации после облучения не изменяется. Определенные из наклона температурных зависимостей электропроводности энергии активации необлученных и облученных In0,99Er0,01Se кристаллов одинаковые и составляет Еанеоб = Еаоб=0,63эВ.
The temperature dependences of the electrical conductivity of non-irradiated and gamma-irradiated In0,99Sm0,01Se and In0,99Er0,01Se single crystals in the temperature range 125-300K have been studied. From the experimental data, it was revealed that when single crystals are irradiated with ã-quanta with a dose of 100 krad, uncontrolled defects are treated and the concentration of nonequilibrium charge carriers increases. That is, radiation leads to the perfection of crystals, which is an important factor for the efficient use of these materials in industrial electronics. The study of electrical conductivity makes it possible to determine the energy levels of defects in non-irradiated and gammairradiated In0,99Sm0,01Se and In0,99Er0,01Sе. single crystals.
It has been established that when single crystals of In0,99Sm0,01Se and In0,99Er0,01Se solid solutions are irradiated with a dose of 100 krad at low temperatures, the dependence óТ( ã) is not related to the heating of charge carriers by an electric field. The difference in the temperature dependence between unirradiated and irradiated crystals at low temperatures depends on the thermal depletion of defect centers, while at high temperatures the concentration of defect centers increases.
The activation energies were determined from the temperature dependences of electrical conductivity for nonirradiated and irradiated single crystals of In0,99Sm0,01Se and In0,99Er0,01Se solid solutions with a dose of 100 krad. It has been established that for a single crystal of the In0,99Sm0,01Se и In0,99Er0,01Se solid solution that was not irradiated and irradiated with a dose of 100 krad, the activation energies were, respectively, Еanir =1,1eV and Eair =0,56eV. For single crystals of In0,99Er0,01Se solid solutions, the activation energy does not change after irradiation. The activation energies determined from the slope of the temperature dependences of the electrical conductivity in non-irradiated and irradiated In0,99Er0,01Se crystals are the same and equal to Еanir = Eair =0,63 eV.
The authors declare that there are no conflicts of interest present.