<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE article PUBLIC "-//NLM//DTD JATS (Z39.96) Journal Publishing DTD v1.3 20210610//EN" "JATS-journalpublishing1-3.dtd">
<article article-type="research-article" dtd-version="1.3" xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xml:lang="ru"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">alternative</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="ru">Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)</journal-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn pub-type="ppub">1608-8298</issn><publisher><publisher-name>Международный издательский дом научной периодики "Спейс</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="doi">10.15518/isjaee.2024.12.023-035</article-id><article-id custom-type="elpub" pub-id-type="custom">alternative-2584</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="heading"><subject>Research Article</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="ru"><subject>I. ВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКА. 1. Солнечная энергетика. 1-3-0-0 Солнечные электростанции. 1-3-1-0 Кремниевые солнечные электростанции</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="section-heading" xml:lang="en"><subject>I. RENEWABLE ENERGY. 1. Solar energy. 1-3-0-0 Solar-hydrogen energy. 1-3-1-0 Silicone solar thermal electric plants</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title>Действие радиации и термодинамическая стойкость солнечных элементов, созданных на основе газовых смесей  SiH4, CH4 и H2</article-title><trans-title-group xml:lang="en"><trans-title>Effect of radiation and thermodynamic stability of solar elements created based on gas mixtures SiH4, CH4 and H2</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Наджафов</surname><given-names>Б. А.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Najafov</surname><given-names>B. A.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Наджафов Бахтияр Агагулу оглы, доктор физ.-мат. наук, главный научный сотрудник</p><p>Аз 1143, г. Баку, ул. Б. Вагабзаде, 9</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Najafov Bakhtiyar Aqakulu oqli, Doctor of Physical Sciences, Chief Researcher</p><p>Az 1143, Baku, st. B. Vahabzade, 9</p></bio><email xlink:type="simple">bnajafov@inbox.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-1"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Насиров</surname><given-names>Шукур Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Nasirov</surname><given-names>Shukur N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Насиров Шукур Нариман оглы, канд. тех. наук, доц., зав кафедры «Технология производства энергии» при АГУНП</p><p>Аз 1010, г. Баку, пр. Азадлыг, 16/21</p><p>+994557203901</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Nasirov Shukur Nariman oqli, Ph.D.  those.  Sciences, Associate Professor, Head of the Department of «Energy Production  Technology» at ASOIU</p><p>Az 1010, Baku, Azadlig Ave., 16/21</p><p>+994557203901</p></bio><email xlink:type="simple">sh.nasirov62@inbox.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-2"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Насиров</surname><given-names>Шамси Н.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Nasirov</surname><given-names>Shamsi N.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Насиров Шамси Нариман оглы, канд. техн. наук, доц. кафедры автоматики, телекоммуникаций и энергетики при БИУ</p><p>Аз 0102, г. Хырдалан, ул. Гасана Алиева, 120</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Nasirov Shamsi Nariman oqli, Ph. D. those. Sciences, Associate Professor, Department of Automation, Telecommunications and Energy at BEU</p><p>Az 0102. Khirdalan, st. Hasan Aliyev, 120</p></bio><email xlink:type="simple">shamsi_68@mail.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff-3"/></contrib><contrib contrib-type="author" corresp="yes"><name-alternatives><name name-style="eastern" xml:lang="ru"><surname>Кулиева</surname><given-names>К. М.</given-names></name><name name-style="western" xml:lang="en"><surname>Guliyeva</surname><given-names>K. M.</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="ru"><p>Кулиева Конул Максуд кызы, старший преподаватель, кафедра физиологии при АГПУ</p><p>Аз 1000, 1000, г. Баку, ул. Узеир Гаджибейли, 68, Сабаил</p></bio><bio xml:lang="en"><p>Guliyeva Konul Maqsud kizi, senior lecturer of the Department of Physiology at ASPU</p><p>Az 1000, Baku, st. Uzeir Hajibaili ,68, Sabail</p></bio><email xlink:type="simple">konul.nacafova.76@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff-4"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff-1"><aff xml:lang="ru"><institution>Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования</institution><country>Азербайджан</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Institute of Radiation Problems of the Ministry of Science and Education</institution><country>Azerbaijan</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-2"><aff xml:lang="ru"><institution>Азербайджанский Государственный Университет Нефти и Промышленности</institution><country>Азербайджан</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Azerbaijan State Oil and Industry University</institution><country>Azerbaijan</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-3"><aff xml:lang="ru"><institution>Бакинский Инженерный Университет</institution><country>Азербайджан</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Baku Engineering University</institution><country>Azerbaijan</country></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff-4"><aff xml:lang="ru"><institution>Азербайджанский Государственный Педагогичесий Университет</institution><country>Азербайджан</country></aff><aff xml:lang="en"><institution>Azerbaijan State Pedagogical University</institution><country>Azerbaijan</country></aff></aff-alternatives><pub-date pub-type="collection"><year>2024</year></pub-date><pub-date pub-type="epub"><day>15</day><month>03</month><year>2025</year></pub-date><volume>0</volume><issue>12</issue><fpage>23</fpage><lpage>35</lpage><permissions><copyright-statement>Copyright &amp;#x00A9; Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 2025</copyright-statement><copyright-year>2025</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Международный издательский дом научной периодики "Спейс</copyright-holder><copyright-holder xml:lang="en">Международный издательский дом научной периодики "Спейс</copyright-holder><license xlink:href="https://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNotice" xlink:type="simple"><license-p>https://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNotice</license-p></license></permissions><self-uri xlink:href="https://www.isjaee.com/jour/article/view/2584">https://www.isjaee.com/jour/article/view/2584</self-uri><abstract><p>В данной работе рассматриваются различные типы и модификации солнечных элементов, изготовленных методом плазменного осаждения. Изучаются некоторые параметры тонких плёнок a-Si1-x Cx:H, a-C:H и нк-Si двухслойного солнечного элемента (где каждый слой состоит из р-i-n структуры однослойного р-i-n перехода и гетеропереходов, в которых n+ слой изготавливался из a-C:H и нк-Si). Установлено, что при освещении светом мощностью 85 мВт/см2 и площадью элементов 0,9 см2, наибольшее значение к. п. д. двухслойных солнечных элементов составляет 9,6%. Результаты измерения некоторых физическиx параметров показывают, что более стабильные элементы изготавливаются на основе a-C:H, которые связаны устойчивым механическим и радиационно стойким напряжением.</p></abstract><trans-abstract xml:lang="en"><p>In this paper, various types and modifications of solar cells manufactured by plasma deposition are considered. Some parameters of thin films of a a-Si1-x Cx:H, a-C:H, and nc-Si bilayer solar cell (where each layer consists of a p-i-n structure of a single-layer p-i-n junctions and heterojunctions in which the n+ layer was made of a-C:H and nc-Si) are studied. It is found that when illuminated with light of 85 mW/cm2 and an element area of 0,9 cm2, the highest efficiency value of bilayer solar cells is 9,6%. The results of measuring some physical parameters show that more stable elements are manufactured on the basis of a-C:H, which are associated with mechanical stress stability and radiation resistance.</p></trans-abstract><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>аморфные трехкомпонентные сплавы a-Si1-x Cx:H</kwd><kwd>фосфор</kwd><kwd>диборан</kwd><kwd>метод плазмохимического осаждения</kwd><kwd>температура подложки</kwd><kwd>проводимости пленки</kwd><kwd>магнетрон</kwd><kwd>рентгеноструктурный анализ</kwd><kwd>гидрогенизированные нанокристаллические слои</kwd><kwd>фотогальванический эффект</kwd><kwd>коэффициент поглощения</kwd><kwd>солнечный элемент</kwd><kwd>температура отжига</kwd><kwd>вольтамперная характеристика</kwd><kwd>светоиндуцированный эффект</kwd><kwd>электронные свойства материала</kwd><kwd>действие радиации</kwd><kwd>термодинамическая стойкость</kwd><kwd>углерод</kwd><kwd>водород</kwd><kwd>кремний</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="en"><kwd>amorphous three-component alloys a-Si1-x Cx:H</kwd><kwd>phosphorus</kwd><kwd>diborane</kwd><kwd>plasma-enhanced chemical vapor deposition method</kwd><kwd>substrate temperature</kwd><kwd>film conductivity</kwd><kwd>magnetron</kwd><kwd>X-ray diffraction analysis</kwd><kwd>hydrogenated nanocrystalline layers</kwd><kwd>photovoltaic effect</kwd><kwd>absorption coefficient</kwd><kwd>solar cell</kwd><kwd>annealing temperature</kwd><kwd>current-voltage characteristic</kwd><kwd>light-induced effect</kwd><kwd>electronic properties of the material</kwd><kwd>radiation action</kwd><kwd>thermodynamic stability</kwd><kwd>carbon</kwd><kwd>hydrogen</kwd><kwd>silicon</kwd></kwd-group></article-meta></front><back><ref-list><title>References</title><ref id="cit1"><label>1</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Афанасьев В. П., Гудовских А. С., Неведомский В. Н. и др. Влияние термообработки на структуру и свойства пленок a-Si: H, полученных методом циклического осаждения // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Том 36. – С. 238-243. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/39808</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Afanasyev V. P., Gudovskikh A. S., Nevedomsky V. N., et al. Effect of heat treatment on the structure and properties of a-Si: H films obtained by cyclic deposition // Physics and technology of semiconductors. – 2002. – Vol. 36. – P. 238-243. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/39808</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit2"><label>2</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Давыдов С. Ю. Углеродные наноструктуры на полупроводниковой подложке // Физика твердого тела. – 2019. – Том 61. – Вып. 6. – С. 1214-1220. https://doi.org/10.21883/FTT.2019.06.47701.359</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Davydov S. Yu. Carbon nanostructures on a semiconductor substrate // Solid State Physics. – 2019. – Vol. 61. – Issue. 6. – P. 1214-1220. https://doi.org/10.21883/FTT.2019.06.47701.359</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit3"><label>3</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Голикова О. А., Богданова Е. В., Бабаходжаев У. С. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях // Физика и техника полупроводников. – 2002. – Том 36. – Вып. 10. – С. 1259-1262. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/39987</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Golikova O. A., Bogdanova E. V., Babakhodzhaev U. S. Crystallization of amorphous hydrogenated silicon films deposited under different conditions // Physics and Technology of Semiconductors. – 2002. – Vol. 36. – Issue. 10. – P. 1259-1262. https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/39987</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit4"><label>4</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Кукушкин С. А., Нусупов К. Х., Осипов А. В., Бейсенханов Н. Б., Бакранова Д. И. Рентгеновская рефлектометрия и моделирование параметров эпитаксиальных пленок SiC на Si(111), выращенных методом замещения атомов // Физика твердого тела. – 2017. – Том 59. – Вып. 5. – С. 986-998. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.05.44391.379</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Kukushkin S. A., Nusupov K. Kh., Osipov A. V., Beisenkhanov N. B., Bakranova D. I. X-ray reflectometry and modeling of parameters of epitaxial SiC films on Si (111) grown by the atomic substitution method // Solid State Physics. – 2017. – Vol. 59. – Issue. 5. – P. 986-998. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.05.44391.379</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit5"><label>5</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Мартовицкий В. П., Кривобок В. С. Хрупко-пластическая релаксация напряжений несоответствия в системе Si(001)/Si 1-x Ge x // Журнал Экспериментальной и Теоретической Физики. – 2011. – Т. 140. – С. 330-349. http://www.jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/r_140_330.pdf</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Martovitsky V. P., Krivobok V. S. Brittle-plastic relaxation of misfit stresses in the Si(001)/Si 1-x Ge x system // Journal of Experimental and Theoretical Physics. – 2011. – Vol. 140. – P. 330-349. http://www.jetp.ras.ru/cgi-bin/dn/r_140_330.pdf</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit6"><label>6</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Савин А. В., Савина О. И. Динамика цепочек углеродных нанотрубок, расположенных на плоских подложках // Физика твердого тела. – 2021. – Том 63. – Вып. 1. – С. 137-145. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.01.50412.183</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Savin A. V., Savina O. I. Dynamics of carbon nanotube chains located on flat substrates // Solid State Physics. – 2021. – Vol. 63. – Issue. 1. – P. 137-145. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.01.50412.183</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit7"><label>7</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Новиков Д. В. Эффекты микрофазового разделения и корреляции типа плотность-плотность в аморфных полимерных пленках // Физика твердого тела. – 2021. – Том 63. – Вып. 1. – С. 146-151. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.01.50413.180</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Novikov D. V. Effects of microphase separation and density-density correlations in amorphous polymer films // Solid State Physics. – 2021. – Vol. 63. – Issue. 1. – P. 146-151. https://doi.org/10.21883/FTT.2021.01.50413.180</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit8"><label>8</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Князев Е. В., Болотов В. В., Ивлев К. Е., Поворознюк С. Н., Кан В. Е., Соколов Д. В. Структура и электрофизические свойства многостенных углеродных нанотрубок, подвергнутых облучению ионами аргона // Физика твердого тела. – 2019. – Том 61. – Вып. 3. – C. 564-570. https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47252.259</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Knyazev E. V., Bolotov V. V., Ivlev K. E., Povoroznyuk S. N., Kan V. E., Sokolov D. V. Structure and electrical properties of multi-walled carbon nanotubes irradiated with argon ions // Solid State Physics. – 2019. – Vol. 61. – Issue. 3. – P. 564-570. https://doi.org/10.21883/FTT.2019.03.47252.259</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit9"><label>9</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Берёзкин В. И., Попов В. В., Томкович М. В. Углеродный композит на основе фуллеренов и терморасширенного графита // Физика твердого тела. – 2017. – Том 59. – Вып. 3. – С. 601-609. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.03.44177.311</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Berezkin V. I., Popov V. V., Tomkovich M. V. Carbon composite based on fullerenes and thermally expanded graphite // Solid State Physics. – 2017. – Vol. 59. – Issue. 3. – P. 601-609. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.03.44177.311</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit10"><label>10</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б. А. Оптические свойства тонких пленок а-Si 1–x Ge x :H (x = 0-1) // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. – 2017. – № 1-1. – С. 20-26. https://applied-research.ru/ru/article/view?id=11086</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A. Optical properties of thin films a-Si 1–x Ge x :H (x = 0-1) // International Journal of Applied and Fundamental Research. – 2017. – No. 1-1. – P. 20-26. https://applied-research.ru/ru/article/view?id=11086</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit11"><label>11</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Najafov B. A., Fiqarov V. R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon // International Journal of Hydrogen Energy. – 2010. – V. 35. – Issue 9. – P. 4361-4367. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2010.02.061</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A., Fiqarov V. R. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon // International Journal of Hydrogen Energy. – 2010. – Vol. 35. – Issue 9. – P. 4361-4367. https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2010.02.061</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit12"><label>12</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Брус В. В., Солован М. Н., Майструк Э. В., Козярский И. П., Марьянчук П. Д., Ульяницкий К. С., Rappich J. Особенности оптических и электрических свойств поликристаллических пленок CdTe, изготовленных методом термического испарения // Физика твердого тела. – 2014. – Том 56. – Вып. 10. – C. 1886-1890. http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/40911</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Brus V. V., Solovan M. N., Maistruk E. V., Kozyarsky I. P., Maryanchuk P. D., Ulyanitsky K. S., Rappich J. Features of optical and electrical properties of polycrystalline CdTe films produced by thermal evaporation // Solid State Physics. – 2014. – Vol. 56. – Issue. 10. – P. 1886-1890. http://journals.ioffe.ru/articles/view-PDF/40911</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit13"><label>13</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Taus J., Grigorovici R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium // J. of Non-Crystalline Solids. Physica Status Soli- di (b). – 1966. – V. 15. – № 1. – Р. 627-637. https://doi.org/10.1002/pssb.19660150224</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Taus J., Grigorovici R., Vancu A. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium // J. of Non-Crystalline Solids. Physica Status Soli- di (b). – 1966. – V. 15. – № 1. – P. 627-637. https://doi.org/10.1002/pssb.19660150224</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit14"><label>14</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Бокий Г. Б., Порай-Кощиц М. А. Рентгеноструктурный анализ / Под. ред. акад. Н. Б. Белова. – М.: МГУ, 1964, 488 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Bokiy G. B., Porai-Koshits M. A. X-ray structural analysis / Ed. by academician N. B. Belov. – Moscow: Moscow State University, 1964, 488 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit15"><label>15</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Cardona M. Vibrational Spectra of Hydrogen in Silicon and Germanium // Physica status solidi (b). – 1983. – Volume 118. – Issue 2. – P. 463-481. https://doi.org/10.1002/pssb.2221180202</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Cardona M. Vibrational Spectra of Hydrogen in Silicon and Germanium // Physica status solidi (b). – 1983. – Volume 118. – Issue 2. – P. 463-481. https://doi.org/10.1002/pssb.2221180202</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit16"><label>16</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Najafov B. A. Solar cells based on a-Si 0,80 Ge 0,20 :H amorphous films // Ukr. J. Phys. – 2005. – V. 50. – № 5. – Р. 483-488. http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/50/5/500511p.pdf</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A. Solar cells based on a-Si 0,80 Ge 0,20 :H amorphous films // Ukr. J. Phys. – 2005. – V. 50. – № 5. – P. 483-488. http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/journals/50/5/500511p.pdf</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit17"><label>17</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б., Абасов Ф. Получение тонких пленок для создания солнечных элементов // Фотоника. – 2014. – № 2 (44). – С. 72-78. https://www.photonics.su/files/article_pdf/4/article_4111_49.pdf</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B., Abasov F. Obtaining thin films for creating solar cells // Photonics. – 2014. – № 2 (44). – P. 72-78. https://www.photonics.su/files/article_pdf/4/ar-ticle_4111_49.pdf</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit18"><label>18</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б. А., Исаков Г. И., Фигаров В. Р. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора а-Ge 0,85 Si 0,15 :H // Прикладная физика. – 2004. – № 4. – С. 108-114. https://applphys.orion-ir.ru/appl-04/04-4/04-4-21r.htm</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A., Isakov G. I., Figarov V. R. Optical properties of hydrogenated amorphous films of a-Ge 0,85 Si 0,15 :H solid solution // Applied Physics. – 2004. – No. 4. – P. 108-114. https://applphys.orion-ir.ru/appl-04/04-4/04-4-21r.htm</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit19"><label>19</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Фрицше Х. Аморфный кремний и родственные материалы. – М.: Мир. – 1991. – 544 с.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fritzsche H. Amorphous silicon and related materials. – Moscow: Mir. – 1991. – 544 p.</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit20"><label>20</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">S. Hasegawa, Y. Imai. Annealing effects on relationships between E. S. R., electrical and optical properties in a-Si:H // Philosophical Magazine B. – 1982. – V. 45. – No 3. – P. 347-360. https://doi.org/10.1080/13642818208246410</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">S. Hasegawa, Y. Imai. Annealing effects on relationships between E. S. R., electrical and optical properties in a-Si:H // Philosophical Magazine B. – 1982. – V. 45. – No. 3. – P. 347-360. https://doi.org/10.1080/13642818208246410</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit21"><label>21</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Fang C. J., Cruntz K. J., Ley L., Cardona M., Demond F. J., Müller G., Kalbitzer S. The hydrogen content of a-Ge:H and a-Si:H as determined by IR spectroscopy, gas evolution and nuclear reaction techniques // J. of Non-Crystalline Solids. – 1980. – V. 35-36. – P. 255-260. https://doi.org/10.1016/0022-3093(80)90603-1</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Fang C. J., Cruntz K. J., Ley L., Cardona M., Demond F. J., Müller G., Kalbitzer S. The hydrogen content of a-Ge:H and a-Si:H as determined by IR spectroscopy, gas evolution and nuclear reaction techniques // J. of Non-Crystalline Solids. – 1980. – V. 35-36. – P. 255-260. https://doi.org/10.1016/0022-3093(80)90603-1</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit22"><label>22</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Brodsky M. H., Cardona Manuel and Cuomo J. J. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering // Physical Review B. – 1977. – V. 16. – № 8. – P. 3556-3571. https://doi.org/10.1103/Phys-RevB.16.3556</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Brodsky M. H., Cardona Manuel and Cuomo J. J. Infrared and Raman spectra of the silicon-hydrogen bonds in amorphous silicon prepared by glow discharge and sputtering // Physical Review B. – 1977. – V. 16. – No. 8. – P. 3556-3571. https://doi.org/10.1103/Phys-RevB.16.3556</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit23"><label>23</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б. А., Насиров Ш. Н., Нейметов С. Р. Общая характеристика аморфных сплавов кремния. Гидрогенизация, кристаллизация и полимеризация // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2024;(7):21-40. https://doi.org/10.15518/is-jaee.2024.07.021-040</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A., Nasirov Sh. N., Neimetov S. R. General characteristics of amorphous silicon alloys. Hydrogenation, crystallization and polymerization // Alternative energy and ecology (ISJAEE). – 2024; (7): 21-40. https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.07.021-040</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit24"><label>24</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б. А., Насиров Ш. Н., Насиров Ш. Н. Оптические свойства тонких пленок а-Si 1-x Ge x :H (x = 0-1) для электронных приборов // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2024;(8): 18-9. https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.08.018-029</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A., Nasirov Sh. N., Nasirov Sh. N. Optical properties of thin films a-Si 1-x Ge x :H (x = 0-1) for electronic devices // Alternative energy and ecology (ISJAEE). – 2024;(8):18-9. https://doi.org/10.15518/is-jaee.2024.08.018-029</mixed-citation></citation-alternatives></ref><ref id="cit25"><label>25</label><citation-alternatives><mixed-citation xml:lang="ru">Наджафов Б. А., Насиров Ш. Н., Насиров Ш. Н., Вердиев Н. М. Получение тонкослойных сплавов кремния и их применение в солнечной энергетике // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE), 10(427). – 2024, стр. 12-16.</mixed-citation><mixed-citation xml:lang="en">Najafov B. A., Nasirov Sh. N., Nasirov Sh. N., Verdiev N. M. Production of thin-layer silicon alloys and their application in solar energy // Alternative energy and ecology (ISJAEE), 10(427). – 2024, pp. 12-16.</mixed-citation></citation-alternatives></ref></ref-list><fn-group><fn fn-type="conflict"><p>The authors declare that there are no conflicts of interest present.</p></fn></fn-group></back></article>
