Выявлено, что в высокоомных монокристаллах p-GaSe, p-InSe увеличение дозы облучения приводит к незначительному росту электропроводности. В низкоомном кристалле p- GaSe при облучении переход из низкоомного состояния в высокоомное носит скачковый характер, т.е. в случае с монокристаллами р-типа при облучении увеличиваются акцепторные уровни, которые при определенной значении дозы облучения доходят до критического состояния, вызывая при этом скачковое изменение электропроводности. В монокристалле п- InSe при увеличении дозы облучения переход из низкоомного в высокоомного состояния происходит значительно медленнее из-за компенсации акцепторных уровней донорными.
The article reports that in a high-resistance single-crystal p-GaSe and p-InSe the increase in radiation results in a slight increase in electrical conductivity. Under http://teacode.com/online/udc/54/54.06.htmlthe irradiation low-resistance p-GaSe crystal low-resistance makes a sharp transition into high-resistance. This occurs because irradiation of single p-type crystals increased the level of available acceptors. The certain threshold value of radiation dose cause a jump in electric conductivity. Irradiation of n -InSe single crystal with the increasing dose cause the compensation of the available acceptors level by donors, and the transition from the low-resistance to high-resistance state occurred much slower .
The authors declare that there are no conflicts of interest present.