alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейсalternative-594Research ArticleНАНОСТРУКТУРЫNANOSTRUCTURESФотоактивность пленочной системы Cd-углеродPhotoactivity of film system Cd-carbonКокшинаАнна ВладимировнаKokshinaAnna Vladimirovnaannika21@mail.ruКочаковВалерий ДаниловичKochakovValery Danilivychnoemail@neicon.ruСмирновАлександр ВячеславовичSmirnovAlexander Vyacheslavovychnoemail@neicon.ruЧувашский государственный университет имени И.Н. УльяноваРоссияChuvash State University named after I.N. UlyanovRussian Federation201423062016177277Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20162016Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/594

В данной статье представлены результаты исследования фотоактивных пленочных систем металл-углерод на примере системы кадмий - линейно-цепочечный углерод (Cd-ЛЦУ) и приведено сравнение некоторых свойств данной системы с прозрачной проводящей системой CdO. Методом твердофазного синтеза были получены тонкие пленки CdO и Cd-ЛЦУ. Приведены спектры пропускания и вольт-амперные характеристики систем. Было показано, что коэффициент пропускания системы Cd-ЛЦУ выше, чем у CdO. Определена ширина запрещенной зоны данных систем. Было получено прозрачное проводящее покрытие, по ряду характеристик превосходящее CdO. Данные пленки могут быть использованы в качестве прозрачных электродов, антиотражающих покрытий в фотоэлектрических преобразователях, солнечных элементов и других оптоэлектронных устройств.

This article presents the results of a study of the photoactive film of metal-carbon system as an example cadmium - linear-chain carbon (Cd-LCC) and a comparison of some of the properties of the system with a transparent conductive system CdO. By solid-phase synthesis were obtained thin film CdO and Cd-LCC. In this article shows the transmission spectra and the current-voltage characteristics of the systems. It has been shown that transmittance of Cd-LCC higher than CdO. The band gap these systems was determined by optical method. It was obtained by a transparent conductive coating which a number of characteristics superior CdO. These films can be used as transparent electrodes, the antireflection coatings in photoelectric converters of solar cells and other optoelectronic devices.

металл-углеродные пленкиоксид кадмияуглерод в состоянии Sp1тонкопленочные фотопроводящие системыmetal-carbon filmscadmium oxidecarbon in the state of Sp1photoconductive thin film systemReferencesYakuphanoglu F. Nanocluster n-CdO thin film by sol-gel for solar cell applications // Applied Surface Science. 2010. No. 257. P. 1413-1419.Yakuphanoglu F. Nanocluster n-CdO thin film by sol-gel for solar cell applications // Applied Surface Science. 2010. No. 257. P. 1413-1419.Zaien M., Ahmed N.M., Hassan Z. Fabrication and characterization of nanocrystalline n-CdO/p-Si as a solar cell // Superlattices and Microstructures. 2012. № 52. P. 800-806.Zaien M., Ahmed N.M., Hassan Z. Fabrication and characterization of nanocrystalline n-CdO/p-Si as a solar cell // Superlattices and Microstructures. 2012. № 52. P. 800-806.Ismail R.A., Abdulrazaq O.A. A new route for fabricating CdO/c-Si heterojunction solar cells // Solar Energy Materials & Solar Cells. 2007. № 91. P. 903-907.Ismail R.A., Abdulrazaq O.A. A new route for fabricating CdO/c-Si heterojunction solar cells // Solar Energy Materials & Solar Cells. 2007. № 91. P. 903-907.Aksoy S., Caglar Y. Electrical Properties of n-CdO/p-Si Heterojunction Diode Fabricated by Sol Gel // World Academy of Science, Engineering and Technology. 2011. №5. P. 1473-1476.Aksoy S., Caglar Y. Electrical Properties of n-CdO/p-Si Heterojunction Diode Fabricated by Sol Gel // World Academy of Science, Engineering and Technology. 2011. №5. P. 1473-1476.Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. C. 926-931.Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. C. 926-931.Ortega M., Santana G., Morales-Acevedo A. Optoelectronic properties of CdO-Si heterojunctions // Superficies y Vacio. 1999. № 9. P. 294-295.Ortega M., Santana G., Morales-Acevedo A. Optoelectronic properties of CdO-Si heterojunctions // Superficies y Vacio. 1999. № 9. P. 294-295.Khallafa H., Chenb C., Chang L. Investigation of chemical bath deposition of CdO thin films using three different complexing agents // Applied Surface Science. 2011. № 257. Р. 9237-9242.Khallafa H., Chenb C., Chang L. Investigation of chemical bath deposition of CdO thin films using three different complexing agents // Applied Surface Science. 2011. № 257. Р. 9237-9242.Hosseinian A., Mahjoub A.R., Movahedi M. Low temperature synthesis and characterization of nanocrystalline CdO film by using a solvothermal method without any additives // Journal of Applied Chemical Researches Summer. 2010. Vol. 4, No. 14. Р. 43-46.Hosseinian A., Mahjoub A.R., Movahedi M. Low temperature synthesis and characterization of nanocrystalline CdO film by using a solvothermal method without any additives // Journal of Applied Chemical Researches Summer. 2010. Vol. 4, No. 14. Р. 43-46.Naje A.N. Optical Characteristics of CdO Nanostructure // Physical Review & Research International. 2013. № 3 (4). P. 472-478.Naje A.N. Optical Characteristics of CdO Nanostructure // Physical Review & Research International. 2013. № 3 (4). P. 472-478.

The authors declare that there are no conflicts of interest present.