alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2016.15-18.024-030alternative-801Research ArticleI. ВОЗОБНОВЛЯЕМАЯ ЭНЕРГЕТИКА 1. Солнечная энергетикаI. RENEWABLE ENERGY 1. Solar EnergyВЛИЯНИЕ ДЕФОРМАЦИИ НА ФОТОТОКИ В p-n-ПЕРЕХОДАХEFFECT OF DEFORMATION ON THE PHOTOCURRENTS IN THE p-n-JUNCTIONSГулямовГ.GulyamovG.

Гафур Гулямов: доктор физико-математических наук, профессор кафедры «Физика»

gulyamov1949@mail.ruГулямовА. Г.GulyamovA. G.

Абдурасул Гафурович Гулямов: кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник-исследователь лаборатории «Физика полупроводников и теории твердого тела»

abdurasul.gulyamov@mail.ruМажидоваГ. Н.MajidovaG. N.

Гулноза Нурмухаммедовна Мажидова: ассистент кафедры «Физика»

Наманганский инженерно-педагогический институт, НаманганУзбекистанNamangan Engineering Pedagogical Institute, NamanganUzbekistanФизико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, ТашкентУзбекистанPhysico-Technical Institute of the Academy of Sciences of the Republic of UzbekistanUzbekistan201607092016015-182430Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20162016Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/801

Исследовано влияние деформации на фототоки и фотоэдс в p-n-переходах. Установлено, что при освещении на границе фундаментального поглощения собственным светом полупроводник становится чувствительным к деформации. Это позволяет управлять скоростью фотогенерации электронов и дырок с помощью внешнего воздействия, в частности, управлять деформацией фототоков и фотоэдс, возникающими в полупроводниковых фотоэлементах. 

The paper investigates the effect of deformation on the photocurrent and photovoltage in the p-n-junctions. It was found that under illumination in the fundamental absorption edge with its own light, the semiconductor becomes sensitive to the effects of the strain. This allows you to control the speed of the electrons and holes photogeneration by an external impact. In this case, there is a possibility to control the photovoltage and photocurrent arising in semiconductor solar cells. 

p-n-переходвольтамперная характеристикакоэффициент поглощения светаширина запрещенной зоныконстанта потенциала деформацииток короткого замыканиянапряжение холостого ходаp-n-junctionthe current-voltage characteristiclight absorption coefficientband gapdeformation potential constantshort-circuit currentopen circuit voltageReferencesБонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.Bonch-Bruevich V.L., Kalashnikov S.G. Fizika poluprovodnikov. Moscow: Nauka Publ., 1977 (in Russ.).Киреев П.С. Физика полупроводников. Учеб. пособие для вузов. М.: Высшая школа, 1975.Kireev P.S. Fizika poluprovodnikov. Učeb. posobie dlâ vuzov. Moscow: Vysšaâ škola Publ., 1975 (in Russ.).Чопра К., Дас С.. Тонкопленочные солнечные элементы. М.: Мир, 1986.Chopra K., Das S.. Tonkoplenočnye solnečnye èlementy. Moscow: Mir Publ., 1986 (in Russ.).Полякова А.Л. Деформация полупроводников и полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1979.Polyakova A.L. Deformaciâ poluprovodnikov i poluprovodnikovyh priborov. Moscow: Ènergiâ Publ., 1979 (in Russ.).Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрии и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука, 1972.Bir G.L., Pikus G.E. Simmetrii i deformacionnye èffekty v poluprovodnikah. Moscow: Nauka Publ., 1972 (in Russ.).Gulyamov G., Gulyamov A.G. On the Tensosensitivity of a p-n Junction under Illumination // Semiconductors. 2015. Vol. 49, No. 6. P. 819–822.Gulyamov G., Gulyamov A.G. On the Tensosensitivity of a p–n Junction under Illumination. Semiconductors, 2015, vol. 49, no. 6, pp. 819–822 (in Eng.).Гулямов Г., Гулямов А.Г. Влияние деформации на реактивные фототоки в полупроводниках // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (ISJAEE). 2014. № 13. C. 17–21.Gulyamov G., Gulyamov A.G. Vliânie deformacii na reaktivnye fototoki v poluprovodnikah. International Scientific Journal for Alternative Energy and Ecology (ISJAEE), 2014, no. 13, pp. 17–21 (in Russ.).Pankove J.I. Optical processes in semiconductors. Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, New Jersey, 1971.Pankove J.I. Optical processes in semiconductors. Prentice-Hall, Inc. Englewood Cliffs, New Jersey, 1971 (in Russ.).Баранский П.И., Клочков В.П., Потыкевич И.В. Полупроводниковая электроника – Справочник. Киев: Наукова думка, 1975Baransky P.I., Klochkov V.P., Potykevich I.V. Poluprovodnikovaâ èlektronika – Spravočnik. Kiev: Naukova dumka Publ., 1975 (in Russ.).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.