alternativeАльтернативная энергетика и экология (ISJAEE)Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)1608-8298Международный издательский дом научной периодики "Спейс10.15518/isjaee.2016.19-20.130-138alternative-867Research ArticleОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И УСТРОЙСТВАOPTICAL PHENOMENA AND FACILITIESМоделирование зависимости энергии поглощаемого фотона от магнитного поля в полупроводникахSimulation of Energy Dependence of the Photon Absorption on the Magnetic Field in SemiconductorsГулямовГ.GulyamovG.

Сведения об авторе: д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры «Физика», Наманганский инженерно-педагогический институт.

Образование: Ташкентский государственный университет (1971 г.).

Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Публикации: более 200. 

д. 12, пр-т Дустлик, г. Наманган, 160103

тел.: +7(369) 234-15-23; (+99890)741-46-56; факс: 8(3692) 25-52-93 

Information about the author: D.Sc. (physics and mathematics), Professor of Physics Chair, Namangan Engineering Pedagogical Institute.

Education: Tashkent State University, 1971.

Research area: physics of semiconductors and semiconductor devices.

Publications: more than 200.

12 Dustlik av., Namangan, 160103

tel.: +7(369) 234-15-23, (+99890)741-46-56; fax: 8(3692) 25-52-93 

gulyamov1949@mail.ruЭркабоевУ. И.ErkaboevU. I.

Сведения об авторе: канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник-исследователь лаборатории «Физики полупроводников и теории твердого тела» Физико-технического института Академии наук Республики Узбекистан,

Образование: Андижанский государственный университет (2008 год).

Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Публикации:более 20. 

д. 2Б, ул Г. Мавлянова,, г. Ташкент, 100084,

тел.: (+99871) 233-12-71, (+99893)499-79-16; факс: (+99871) 235-42-91 

Information about the author: Ph.D. (physics and mathematics), Senior Researcher of Research Laboratory of Physics of Semiconductors and Solid State Theory, Physical-Technical Institute, Academy of Sciences of Uzbekistan.

Education: Andijan State University, 2008.

Research area: physics of semiconductors and semiconductor devices.

Publications: more than 20.

2 B, G. Mavlyanov str., Tashkent, 100084

tel.: (+99871)233-12-71, (+99893)499-79-16; fax: (+99871)235-42-91 

erkaboev1983@mail.ruБайматовП. Ж.BaymatovP. J.

Сведения об авторе: канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Физика», Наманганский государственный университет.

Образование: Ташкентский государственный университет (1981 год).

Область научных интересов: физика полупроводников и полупроводниковых приборов.

Публикации: более 60. 

д. 316, ул. Уйчинская, г. Наманган, 160119,

тел.: 0(369) 227-01-44, (+99893)401-60-25; факс: 0(369) 227-01-44 

Information about the author: Ph.D. (physics and mathematics), Assistant Professor of Physics Department, Namangan State University.

Education: Tashkent State University, 1981.

Research area: physics of semiconductors and semiconductor devices.

Publications: more than 60.

316 Uychi str., Namangan, 160119

tel.: 0(369)227-01-44, (+99893)401-60-25; fax: 0(369)227-01-44 

baymatov1958@mail.ruНаманганский инженерно-педагогический институтУзбекистанNamangan Engineering Pedagogical InstituteUzbekistanФизико-технический институт Академии наук Республики УзбекистанУзбекистанPhysico-Technical Institute of the Academy of Sciences of the Republic of UzbekistanUzbekistanНаманганский государственный университетУзбекистанNamangan State UniversityUzbekistan201629102016019-20130138Copyright © Международный издательский дом научной периодики "Спейс, 20162016Международный издательский дом научной периодики "СпейсМеждународный издательский дом научной периодики "Спейсhttps://www.isjaee.com/jour/about/submissions#copyrightNoticehttps://www.isjaee.com/jour/article/view/867

Предложен простой метод расчета осцилляции комбинированной плотности состояний в квантующем магнитном поле с неквадратичным законом дисперсии. Получена температурная зависимость осцилляции комбинированной плотности состояний в полупроводниках с непараболическим законом дисперсии. Объяснена температурная зависимость ширины запрещенной зоны в сильном магнитном поле с неквадратичным законом дисперсии. Данный метод применен в исследовании магнитопоглощения в узкозонных полупроводниках с непараболическим законом дисперсии. Экспериментальные результаты интерпретируются с помощью осцилляции комбинированной плотности состояний в сильном магнитном поле. Построена веерная диаграмма спектра магнитопоглощения в узкозонных полупроводниках. 

The paper proposes a simple method for calculating the oscillation of joint density of states in a quantizing magnetic field with the non-quadratic dispersion law. The temperature dependence of the oscillations joint density of states in semiconductors with non-parabolic dispersion law is obtained. Moreover, the paper studies the temperature dependence of the band gap in a strong magnetic field with the non-quadratic dispersion law. The method is applied to the research of the magnetic absorption in narrow-gap semiconductors with non-parabolic dispersion law. The experimental results are interpreted with joint density of states in a strong magnetic field. Fan chart of the spectrum of magneto-absorption in narrow-gap semiconductors is constructed. 

энергия фотонамагнитооптические эффектымежзонное магнитопоглощениевеерная диаграммаphoton energymagneto-optical effectsinterband magnetic absorptionfan chartReferencesСейсян Р.П., Савченко Г.М., Аверкиев Н.С. Диамагнитный экситон-поляритон в межзонной магнитооптике полупроводников // ФТП. 2012. Т. 46, Вып. 7. С. 896–900.Seisyan R.P., Savchenko G.M., Averkiev N.S. Diamagnitnyj èksiton-polâriton v mežzonnoj magnitooptike poluprovodnikov. FTP, 2012, vol. 46, is. 7, pp. 896–900 (in Russ.).Платонов В.В., Кудасов Ю.Б., Макаров И.В., Маслов Д.А., Сурдин О.М., Жолудев М.С., Иконников А.В., Гавриленко В.И., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Исследование магнитопоглощения при раз- личных температурах в гетероструктурах HgTe/CdHgTe с квантовыми ямами в импульсных магнитных полях // ФТП. 2015. Т. 49, Вып. 12. С. 1666–1670.Platonov V.V., Kudasov Yu.B., Makarov I.V., Maslov D.A., Surdin O.M., Zholudev M.S., Ikonnikov A.V., Gavrilenko V.I., Mihailov N.N., Dvoreckiy S.A. Issledovanie magnitopogloŝeniâ pri različnyh temperaturah v geterostrukturah HgTe/CdHgTe s kvantovymi âmami v impul’snyh magnitnyh polâh. FTP, 2015, vol. 49, is. 12, pp. 1666–1670 (in Russ.).Гулямов Г., Эркабоев У.И., Шарибаев Н.Ю. Влияние температуры на термодинамическую плотность состояний в квантующем магнитном поле // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 10. С. 1323–1328.Gulyamov G., Èrkaboev U.I., Sharibaev N.Yu. Vliânie temperatury na termodinamičeskuû plotnost’ sostoânij v kvantuûŝem magnitnom pole. FTP, 2014, vol. 48, is. 10, pp. 1323–1328 (in Russ.).Gulyamov G., Erkaboev U.I., Shariboev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field // Journ. of modern phys. 2014. Vol. 5, No. 8. С. 680–685.Gulyamov G., Erkaboev U.I., Shariboev N.Yu. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field. Journ. of modern phys., 2014, vol. 5, no. 8, pp. 680–685 (in Eng.).Zwerdling S., Keyes R.J., Foner S., Kolm H.H., Lax B. Magneto-band Effects in InAs and InSb in dc and High Pulsed Magnetic Fields // Phys. Rev. 1956. Vol. 104, Iss. 6. С. 1805–1806.Zwerdling S., Keyes R.J., Foner S., Kolm H.H., Lax B. Magneto-band Effects in InAs and InSb in dc and High Pulsed Magnetic Fields. Phys. Rev., 1956, vol. 104, is. 6, pp. 1805–1806 (in Eng.).Wagner R.J., Palik E.D., Swiggard E.M. Interband magnetoabsorption in CdxZn3-xAs2 // Phys. Lett. 1969.Vol. 30A, No. 3. 175–176.Wagner R.J., Palik E.D., Swiggard E.M. Interband magnetoabsorption in CdxZn3-xAs2. Phys. Lett., 1969, vol. 30A, no. 3, 175–176 (in Eng.).Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. М.: Наука, 1978. 8. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.Anselm A.I. Vvedenie v teoriû poluprovodnikov. Moscow: Nauka, 1978 (in Russ.).Дубицкий И.С., Яфясов А.М. Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда // ФТП. 2014. Т. 48, Вып. 3. С. 327–333.Cidilkovskiy I.M. Èlektrony i dyrki v poluprovodnikah. Moscow: Nauka, 1972 (in Russ.).Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb // ФТП. 2014. Т. 48, вып. 9. 1217–27.Dubickiy I.S., Yafyasov A.M. Èffekt polâ v tonkih plenkah poluprovodnikov s kejnovskim zakonom dispersii nositelej zarâda. FTP, 2014, vol. 48, is. 3, pp. 327–333 (in Russ.).Павлов Н.В., Зегря Г.Г Влияние непараболичности энергетического спектра электронов и легких дырок на оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb // ФТП. 2015. Т. 49, вып. 5. С. 617–627.Pavlov N.V., Zegrâ G.G. Optičeskie svojstva geterostruktur s glubokimi kvantovymi âmami AlSb/InAs0.84Sb0.16/AlSb. FTP, 2014, vol. 48, is. 9, 1217–27 (in Russ.).Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках // ФТП. 2012. Т. 46, № 1. С. 32–37.Pavlov N.V., Zegrya G.G Vliânie neparaboličnosti ènergetičeskogo spektra èlektronov i legkih dyrok na optičeskie svojstva geterostruktur s glubokimi kvantovymi âmami AlSb/InAs0.86Sb0.14/AlSb. FTP, 2015, vol. 49, is. 5, pp. 617–627 (in Russ.).Кукушкин И.В., Мешков С.В., Тимофеев В.Ф. Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле // УФН. 1988. Т. 155, вып. 2. С. 219–264.Pavlov N.V., Zegrya G.G. Izlučatel’naâ rekombinaciâ gorâčih nositelej v uzkozonnyh poluprovodnikah. FTP, 2012, vol. 46, no. 1, pp. 32–37 (in Russ.).Kukushkin I.V., Meshkov S.V., Timofeev V.F. Plotnost’ sostoânij dvumernyh èlektronov v poperečnom magnitnom pole. UFN, 1988, vol. 155, is. 2, pp. 219–264 (in Russ.).Kukushkin I.V., Meshkov S.V., Timofeev V.F. Plotnost’ sostoânij dvumernyh èlektronov v poperečnom magnitnom pole. UFN, 1988, vol. 155, is. 2, pp. 219–264 (in Russ.).

The authors declare that there are no conflicts of interest present.