Preview

Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ платный или только для Подписчиков

ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА КРИСТАЛЛИЧНОСТИ ДЛЯ ПЛЁНОК mc-Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ PECVD, С ПОМОЩЬЮ РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ

https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.016

Полный текст:

Аннотация

Исследованные образцы были получены методом плазмохимического осаждения (ПХО) на установке KAI-1-1200, предназначенной для формирования фотоактивных слоёв аморфного и микрокристаллического кремния. Оптимальный средний параметр кристалличности для плёнок mc-Si составляет 52 %. Для плёнки mc-Si была построена карта распределения параметра кристалличности по поверхности плёнки. Измерения рамановских спектров производились в разных точках, расположенных равномерно по всему периметру плёнки. Важным фактором при получении плёнок является равномерное их нанесение на подложку. Поскольку установка KAI-1-1200 имеет ряд особенностей, которые мешают равномерному нанесению, данная карта распределения помогает учесть эти особенности и в дальнейшем устранить их или подобрать оптимальные параметры роста, которые будут компенсировать неравномерность распределения плёнки.

 

Об авторах

В. Л. Кошевой
Национальный минерально-сырьевой университет «Горный»
Россия

аспирант, инженер, Национальный минерально-сырьевой университет «ГОРНЫЙ»



А. О. Белорус
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ»
Россия

аспирант, инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. Ульянова (Ленина)



В. С. Левицкий
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ имени А.Ф. Иоффе
Россия

инженер, Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. Ульянова (Ленина)



Список литературы

1. Гавриленко Л.В., Дубинов А.А., Романов Ю.А. Учебно-научный и инновационный комплекс «Физические основы информационно-телекоммуникационных систем» Комбинационное рассеяние в твёрдых телах (Электронное методическое пособие).

2. http:www.unn.ru/pages/e-library/methodmaterial/files/43.pdf

3. Комбинационное рассеяние света (рамановское рассеяние): методическое пособие для лабораторных работ. Режим доступа:

4. http://lab2.phys.spbu.ru/pdf_to/opt21.pdf

5. Вересов А.Г., Наний О.Е. Комбинационное рассеяние света. «РОСНАНО». 2009–2011 www.rusnano.com Режим доступа:

6. http://thesaurus.rusnano.com/wiki/article2041

7. Спектрометр комбинационного рассеяния света Horiba Jobin Yvon T64000 [Электронный ресурс]. ГНЦ ФГУП «Исследовательский центр имени М. В. Келдыша», отдел нанотехнологий. Режим доступа: http://www.nanokerc.ru/node/143

8. Markus Klindworth. Crystallinity measurement by Raman spectroscopy (std. approach).

9. Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.

10. Zhihua Hu , Xianbo Liao, Hongwei Diao, Yi Cai, Shibin Zhang, Elvira Fortunato, Rodrigo Martins. Hy-drogenated p-type nanocrystalline silicon in amorphous silicon solar cells // Journal of Non-Crystalline Solids. 15 June 2006. Vol. 352, Iss. 9–20. P. 1900–1903.

11. Семёнов А.В. Технология тонкоплёночных солнечных модулей большой площади на основе аморфного и микрокристаллического кремния: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук, 2015.


Для цитирования:


Кошевой В.Л., Белорус А.О., Левицкий В.С. ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРА КРИСТАЛЛИЧНОСТИ ДЛЯ ПЛЁНОК mc-Si, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ PECVD, С ПОМОЩЬЮ РАМАНОВСКОЙ СПЕКТРОСКОПИИ. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(19):118-123. https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.016

For citation:


Koshevoi V.L., Belorus A.O., Levitskiy V.S. STUDY OF CRYSTALLINITY PARAMETER DISTRIBUTION FOR mc-Si FILMS, OBTAINED BY PECVD, BY USING RAMAN SPECTROSCOPY. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(19):118-123. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.016

Просмотров: 140


ISSN 1608-8298 (Print)