Preview

Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)

Расширенный поиск

ВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДС

https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002

Полный текст:

Аннотация

Исследовано влияние отражения фотоэлектронов от поверхности на фотоЭДС в тонких полупроводниковых пленках и проведено ее сравнение с объемной фотоЭДС. Показано, что отраженная фотоЭДС может преобладать над объемной электродвижущей силой только в образцах с большой длиной свободного пробега при сильном поглощении света. В тонких пленках отраженная фотоЭДС, по-видимому, наблюдается вместе с другими видами фотоЭДС и при интерпретации результатов эксперимента может быть истолкована как объемная электродвижущая сила.

Об авторах

Г. Гулямов
Наманганский инженерно-педагогический институт Республика Узбекистан, 160103, Наманган, пр. Дустлик, д. 12
Узбекистан

д-р физ.-мат. наук, проф. кафедры «Физика»

 




М. Г. Дадамирзаев
Наманганский инженерно-педагогический институт Республика Узбекистан, 160103, Наманган, пр. Дустлик, д. 12
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, доцент, зав. кафедрой «Физика»


Н. Ю. Шарибаев
Наманганский инженерно-технологический институт Республика Узбекистан, 160115, Наманган, ул. Касансай, д. 7
Узбекистан

канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Высшая математика»



Список литературы

1. Рахимов Н.Р., Серьезнов А.Н. АФН пленки и их применение. Монография. Новосибирск: Изд-во «Новосибирск», 2005.

2. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. М.: Мир, 1984.

3. Адирович Э.И., Рубинов В.И., Юабов Ю.М. О природе АФН эффекта // ДАН СССР. 1966. Т. 168. С. 1037.

4. Безногов М.В., Сурис Р.А. Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности // Физика и техника полупроводников (Санкт Петербург). 2013. Т. 47, № 4. С. 493-502.

5. Саченко А.В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова думка, 1984.

6. Белиничер В.И., Рывкин С.М. Реактивная фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1981. № 10. С. 353-360.

7. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках // Сб. статей: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980. С. 275-293.

8. Гулямов Г., Бойдедаев С.Р., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Аномально большие фотонапряжения в полупроводниковых пленках, обусловленные реактивной фотоЭДС // Альтернативная энергетика и экология – ISJAEE. 2007. № 5(49). С. 103-107.

9. Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Реактив ЭЮК ни Дембер ЭЮК билан солиштириш // Рост, свойства и применение кристаллов: Тез. докл. респ. науч. конф. 11-12 апреля 2008. Андижан, 2008. С. 138.

10. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.


Для цитирования:


Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Шарибаев Н.Ю. ВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДС. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(21):20-23. https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002

For citation:


Gulyams G., Dadamirzayev M.G., Sharibaev N.Y. INFLUENCE OF REFLECTION OF PHOTOELECTRONS FROM THE SURFACE PHOTO-EMF IN THIN SEMICONDUCTOR FILMS AND COMPARE IT WITH THE BULK PHOTO-EMF. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(21):20-23. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002

Просмотров: 243


ISSN 1608-8298 (Print)