ВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДС
https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002
Аннотация
Исследовано влияние отражения фотоэлектронов от поверхности на фотоЭДС в тонких полупроводниковых пленках и проведено ее сравнение с объемной фотоЭДС. Показано, что отраженная фотоЭДС может преобладать над объемной электродвижущей силой только в образцах с большой длиной свободного пробега при сильном поглощении света. В тонких пленках отраженная фотоЭДС, по-видимому, наблюдается вместе с другими видами фотоЭДС и при интерпретации результатов эксперимента может быть истолкована как объемная электродвижущая сила.
Об авторах
Г. ГулямовУзбекистан
д-р физ.-мат. наук, проф. кафедры «Физика»
М. Г. Дадамирзаев
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, доцент, зав. кафедрой «Физика»
Н. Ю. Шарибаев
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Высшая математика»
Список литературы
1. Рахимов Н.Р., Серьезнов А.Н. АФН пленки и их применение. Монография. Новосибирск: Изд-во «Новосибирск», 2005.
2. Као К., Хуанг В. Перенос электронов в твердых телах. В 2-х т. М.: Мир, 1984.
3. Адирович Э.И., Рубинов В.И., Юабов Ю.М. О природе АФН эффекта // ДАН СССР. 1966. Т. 168. С. 1037.
4. Безногов М.В., Сурис Р.А. Теория баллистических токов, ограниченных объемным зарядом, в наноструктурах разной размерности // Физика и техника полупроводников (Санкт Петербург). 2013. Т. 47, № 4. С. 493-502.
5. Саченко А.В., Снитко О.В. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наукова думка, 1984.
6. Белиничер В.И., Рывкин С.М. Реактивная фотоэлектродвижущая сила в полупроводниках // Журнал экспериментальной и теоретической физики. 1981. № 10. С. 353-360.
7. Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. Фотогальванические эффекты в полупроводниках // Сб. статей: Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980. С. 275-293.
8. Гулямов Г., Бойдедаев С.Р., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Аномально большие фотонапряжения в полупроводниковых пленках, обусловленные реактивной фотоЭДС // Альтернативная энергетика и экология – ISJAEE. 2007. № 5(49). С. 103-107.
9. Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Гулямов А. Реактив ЭЮК ни Дембер ЭЮК билан солиштириш // Рост, свойства и применение кристаллов: Тез. докл. респ. науч. конф. 11-12 апреля 2008. Андижан, 2008. С. 138.
10. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.
Рецензия
Для цитирования:
Гулямов Г., Дадамирзаев М.Г., Шарибаев Н.Ю. ВЛИЯНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОНОВ ОТ ПОВЕРХНОСТИ НА ФОТОЭДС В ТОНКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ И СРАВНЕНИЕ ЕЕ С ОБЪЕМНОЙ ФОТОЭДС. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(21):20-23. https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002
For citation:
Gulyams G., Dadamirzayev M.G., Sharibaev N.Yu. INFLUENCE OF REFLECTION OF PHOTOELECTRONS FROM THE SURFACE PHOTO-EMF IN THIN SEMICONDUCTOR FILMS AND COMPARE IT WITH THE BULK PHOTO-EMF. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(21):20-23. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.21.002