Купить (120 RUB)
|сгенерировать QR код
Открытый доступ
Доступ платный или только для Подписчиков
Оптические свойства тонких пленок а-Si1-xGex :H (x = 0-1) для электронных приборов
https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.11.059-068
Аннотация
Проанализированы возможности применения технологии плазмохимического осаждения пленок a-Si1 xGex:H (x= 0-1), нелегированных и легированных PH3 и B2H6, для использования их в p-i-nструктурах солнечных элементов. Рассмотрены оптические свойства, также определено количество водорода, содержащегося в данной пленке. Найдено, что свойства пленки сильно зависят от состава и уровня гидрогенизации. Количество атомов водорода в пленках варьировали путем изменения составов газовой смеси и измеряли ИК поглощение для пленок a-Si:H и a-Ge:H. На основе пленок a-Si:H и a-Si088Ge12:H изготовлены трехслойные солнечные элементы с площадью элемента 1,3 см2 и эффективностью (£) 9,5%.
Ключевые слова
Об авторах
Б. А. Наджафов
Институт Радиационных Проблем Министерства Науки и Образования
Азербайджан
Азербайджан
Наджафов Бахтияр Агагулу оглы, лаборатория Радиационной Физики Полупроводников, доктор физ-мат. наук, главный научный сотрудник
Аз 1143, Азербайджан, г. Баку, ул. Б. Вагабзаде, 9
Шукур Н. Насиров
Азербайджанский Государственный Университет Нефти и Промышленности
Азербайджан
Азербайджан
Насиров Шукур Нариман оглы, канд. тех. наук, доц., зав кафедры «Технология производства энергии» при АГУНП
Аз 1010, Азербайджан, г. Баку, пр. Азадлыг, 16/21
Шамси Н. Насиров
Бакинский Инженерный Университет
Азербайджан
Азербайджан
Насиров Шамси Нариман оглы, канд. тех. наук, доц. кафедры автоматики, телекоммуникаций и энергетики при БИУ
Аз 0102, Азербайджан, г. Хырдалан, ул. Гасана Алиева, 120
Список литературы
1. В. П. Афанасьев, А. С. Гудовских, В. Н. Неведомский и др. Влияние термообработки на структуру и свойства пленок а-Si:H, полученных методом циклического осаждения // ФТП. – 2002. – Т. 36. – С. 238-243.
2. О. А. Голикова, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова. Эффект Стаэблера-Вронского в зависимости от положения уровня Ферми и структуры нелегированного аморфного гидрированного кремния // ФТП. – 1998. – Т. 32. – С. 484-489.
3. М. М. Мездрагина, А. В. Абрамов, Г. М. Масина и др. Влияния отжига в атмосфере атомарного водорода на свойства пленок аморфного гидрированного кремния и параметры p-i-n структур на их основе // ФТП. – 1998. – Т. 32. – № 5. – С. 620-637.
4. О. А. Голикова, У. С. Бабаходжаев. Кристаллизация пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных при различных условиях // ФТП. – 2002. – Т. 36. – С. 1259-1262.
5. О. А. Голикова, А. Н. Кузнецов, В. Х. Кудоярова, М. М. Казанин. Особенности структуры пленок аморфного гидрированного кремния, осажденных методом разложения силана на постоянном токе в магнитном поле // ФТП. – 1997. – Т. 31. – С. 816-819.
6. Физика гидрогенизированного аморфного кремния / Под редакцией Джоуна Пулоса Дж, Льюковски Дж. М.: Мир, 1988. – С. 447.
7. Б. А. Наджафов. Аморфные и микрокристаллические полупроводники // Сб. тр. Международной конф. СПБ: Изд-во Политехн. Ун-та, 2006.
8. H. Colder, R. Rizk, M. Morales, P. Marik, J. Vicens, J. VicKridge. Влияние температуры подложки на рост нанокристаллического карбида кремния при реактивном магнетронном распылении // J. Appl. Phys. – 2005, т. 98. – № 2. – С. 44-49.
9. R. R. King, D. C. Zaw, K. M. Edmontson, C. M. Fetzer, G. S. Kinzey, H. Yoon, R. A. Sherif, N. H. Kazam. Метаморфные многопереходные солнечные элементы GaInP/GaInAs/Ge с эффективностью 40% // Appl. Phys. Lett. – 2007, v. 90. – № 18, рp. 231-239.
10. Аморфные полупроводники и приборы на их основе / Под ред. Й. Хамакавы. М.: Металургия, 1986, с. 374.
11. Б. А. Наджафов, Г. И. Исаков, В. Р. Фигаров. Оптические свойства гидрогенизированных аморфных пленок твердого раствора а-Si0,85Ge0,15:H // Прикладная физика. – 2004. – № 4. – С. 107-114.
12. Б. А. Наджафов. Получения пленок аморфного гидрогенизированного карбида-кремния а-Si1-хGeх:H (х = 0-1) для фотоэлектрических преобразователей // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE), 2007. – № 11. – С. 177-179.
13. Б. А. Наджафов, Г. И. Исаков. Получение и легирование аморфных пленок на основе Si и Ge // Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). – 2005. – № 4(24). – С. 79-82.
14. J. Tayes, Grigorovici Retal. Optical properties and electronic structure of amorphous germanium // J. Non-Cryst. Sol. – 1966, v. 15. – № 1. – Рp. 627-630.
15. M. N. Brodsky, M. Cardona, J. J. Cuomo. Infrared and Raman Spectra of the Silicon Hydrogen Bonds in Amorphous Silicon Propared by Glow discharge and sputtering. // phys. Rev. B. – 1977, v. 16. – № 8. – Рp. 3556-3581.
16. Б. А. Наджафов, Г. И. Исаков. Оптические свойства аморфных пленок твердого раствора а-Si1-хGeх:H с различной концентрацией водорода // ЖПС. – 2005, т. 72. – № 3. – С. 371-376.
17. Н. Мотт, Э. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Под. ред. Б. Т. Коломийца. М.: Мир, 1982. – С. 662.
18. Б. А. Наджафов. Электрические свойства аморфных пленок твердого раствора Ge0,90Si0, 10:Hx // ФТП. – 2000. – Т. 34. – № 11. – С. 1383-1385.
19. R. A. Rudder, J. W. Cook, G. Fucovsky. High photoconductivity in Dual Magnetron Sputterd and Germanium Alloy Films //Appl. Phys. Lett. – 1984, v. 45. – № 8. – Рp. 887-889.
20. B. A. Najafov, V. R. Fiqarov. Hydrogen content evaluation in hydrogenated nanocrystalline silicon and its amorphous alloys with germanium and carbon // International Journal of Hydrogen Energy. – 2010, v. 35. – Рp. 4361-4367.
Рецензия
Для цитирования:
Наджафов Б.А., Насиров Ш.Н., Насиров Ш.Н. Оптические свойства тонких пленок а-Si1-xGex :H (x = 0-1) для электронных приборов. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2024;(11):59-68. https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.11.059-068
For citation:
Najafov B.A., Nasirov Sh.N., Nasirov Sh.N. Optical properties of thin films a-Si1-xGex :H (x = 0-1) for electronic devices. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2024;(11):59-68. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2024.11.059-068
Просмотров:
25
Послать статью по эл. почте 