Preview

Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ платный или только для Подписчиков

ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

https://doi.org/10.15518/isjaee.2017.07-09.112-120

Полный текст:

Аннотация

Получена зависимость осцилляции комбинированной плотности состояний от гидростатического давления в полупроводниках с неквадратичным законом дисперсии. Проведено сравнение осцилляций комбинированной плотности состояний по энергии фотона при разных давлениях в параболических и непараболических зонах. Рассмотрено магнитопоглощение в узкозонных полупроводниках с непараболическим законом дисперсии. Разработан новый метод исследования влияния высоких давлений на уровни Ландау в полупроводнике с непараболическим законом дисперсии. Экспериментальные результаты интерпретировались при помощи комбинированной плотности состояний в сильном магнитном поле. Результаты расчетов сравнивались с экспериментальными результатами, полученными для InN.

 

Об авторах

Г. Гулямов
Наманганский инженерно-педагогический институт
Узбекистан
д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры «Физика»


У. И. Эркабоев
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник- исследователь лаборатории «Физики полупроводников и теории твердого тела»


П. Ж. Байматов
Наманганский государственный университет
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, доцент кафедры «Физика»


А. Г. Гулямов
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан
Узбекистан
канд. физ.-мат. наук, старший научный сотрудник- исследователь лаборатории «Физика полупроводников и теории твердого тела»


Список литературы

1. Ансельм, А.И. Введение в теорию полупроводников [Текст] / А.И. Ансельм. – М.: Наука, 1978.

2. Гулямов, Г. Моделирование зависимости энергии поглощаемого фотона от магнитного поля в полупроводниках [Текст] / Г. Гулямов, У.И. Эркабоев, П.Ж. Байматов // Международный научный журнал «Альтернативная энергетика и экология» (ISJAEE). – 2016, – № 19–20. – С. 130–138.

3. Gulyamov, G. Determination of the density of energy states in a quantizing magnetic field for model Kane [Электронный ресурс] / G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, P.J. Baymatov // Advances in condensed matter physics. – 2016. – Vol. 2016. – 5 p. – Article ID 5434717. Режим доступа: http://dx.doi.org/10.1155/2016/5434717 (Hindawi) (дата обращения: 23.12.2016).

4. Гулямов, Г. Определение плотности поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик в структурах Al-SiO2-Si и Al-SiO2-nSi при низкой температуре [Текст] / Г. Гулямов [и др.] // Узбекский физический журнал. – 2010. – Т. 12. – № 3. – С.143-146.

5. Гулямов, Г. Тепловое уширение плотности состояний и температурная зависимость ширины запрещенной зоны Ge [Текст] / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев, У.И. Эркабоев // Физическая инженерия поверхности. – 2012. – Т. 10. – № 4. – С. 366–370.

6. Гулямов, Г. Определение дискретного спектра плотности поверхностных состояний МОП структур Al-SiO2-Si, облученных нейтронами [Текст] / Г. Гулямов, Н. Шарибаев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследование. – 2012. – № 9. – С. 1–5/

7. Гулямов, Г. Определение плотности поверхностных состояний границы раздела полупроводник- диэлектрик в МДП структуре [Текст] / Г. Гулямов, Н.Ю. Шарибаев // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45. – Вып. 2. – С. 178–182.

8. Мотт, Н. Электронные процессы в некристаллических веществах [Текст] / Н. Мотт, Э. Девис. – М.: Мир, 1982. – 368 с.

9. Лифшиц, И.М. К теории магнитной восприимчивости металлов при низких температурах [Текст] / И.М. Лифшиц, А.М. Косевич // ЖЭТФ. – 1955. – Т. 29. – Вып. 6. – С. 730–742.

10. Лифшиц, И.М. Введение в теорию неупорядоченных систем [Текст] / И.М. Лифшиц, С.А. Гредескул, Л.А. Пастур. – М.: Наука, 1982.

11. Ландау, Л.Д. Статистическая физика [Текст] / Л.Д. Ландау, Е.М. Лифшиц. – Москва: Наука, 1976.

12. Gulyamov, G. The temperature dependence of the band gap Si [Текст] / G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.Yu. Sharibaev // Physical surface engineering. – 2013. – Vol 11. – No 3. – P. 289–292.

13. Gulyamov, G. Effect of temperature on the thermodynamic density of states in a quantizing magnetic field [Текст] / G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.Yu. Sharibaev // Semiconductor. – 2014. – Vol. 48. – No.10. – P. 1323–1328

14. Gulyamov, G. Simulation of the temperature dependence of the density of states in a strong magnetic field [Текст] / G. Gulyamov, U.I. Erkaboev, N.Yu. Sharibaev // Joural of Modern Physics. – 2014. – Vol. 5. – No. 8. – P. 680–685.

15. Ibánez, J. High-pressure optical absorption in InN: Electron density dependence in the wurtzite phase and reevaluation of the indirect band gap of rocksalt InN [Текст] / Ibánez J. [et al.] // Phys. Rev. B. – 2012. – No. 86. – P. 035210.

16. Ruiz-Fuertes, J. High-pressure effects on the optical-absorption edge of CdIn2S4, MgIn2S4, MnIn2S4 thiospinels [Текст] / J. Ruiz-Fuertes [et al.] // Journ. of Appl. Phys. – 2008. – No. 103. – P. 063710.

17. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках [Текст] / И.М. Цидильковский. – М.: Наука, 1972.

18. Дубицкий, И.С. Эффект поля в тонких пленках полупроводников с кейновским законом дисперсии носителей заряда [Текст] / И.С. Дубицкий, А.М. Яфясов // ФТП. – 2014. – Т. 48. – Вып. 3. – С. 327– 333.

19. Павлов, Н.В. Оптические свойства гетероструктур с глубокими квантовыми ямами AlSb/InAs0,84Sb0,16/AlSb [Текст] / Н.В. Павлов, Г.Г. Зегря // ФТП, – 2014. – T. 48. – Вып. 9. – С. 1217– 1227.

20. Павлов Н.В., Зегря Г.Г. Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках [Текст] / Н.В. Павлов, Г.Г. Зегря // ФТП. – 2012. – Т. 46. – Вып. 1. – С. 32–37.

21. Polyakova, A.L. Deformation of semiconductors and semiconductor devices [Текст] / A.L. Polyakova. – M.: Energy, 1979. – p. 168.

22. Bir, G.L. Symmetry and Deformation Effects in Semiconductors [Текст] / G.L. Bir, G.E. Pikus. – M.: Nauka, 1972.

23. Pässler, R. Semi-empirical descriptions of temperature dependences of band gaps in semiconductors [Текст] / R. Pässler // Phys. Stat. Sol. (b) – 2003. – Vol. 236. – No. 3. – P. 710–728: doi:10.1002/pssb.200301752.

24. Pässler, R. Parameter sets due to fittings of the temperature dependencies of fundamental bandgaps in semiconductors [Текст] / R. Pässler // Phys. Stat. Sol. (b). – 1999. – Vol. 216. – No. 2. – P. 975–1007.

25. Баранский, П.И. Полупроводниковая электроника [Текст] / П.И. Баранский, В.П. Клочков, И.В. Потыкевич. Киев: Наукова думка, 1975. – 704 с.


Для цитирования:


Гулямов Г., Эркабоев У.И., Байматов П.Ж., Гулямов А.Г. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ В УЗКОЗОННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2017;(7-9):112-120. https://doi.org/10.15518/isjaee.2017.07-09.112-120

For citation:


Gulyamov G., Erkaboev U.I., Baymatov P.J., Gulyamov A.G. THE EFFECT OF PRESSURE ON THE MAGNETO-ABSORPTION IN NARROW-GAP SEMICONDUCTORS. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2017;(7-9):112-120. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2017.07-09.112-120

Просмотров: 2943


ISSN 1608-8298 (Print)