ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА y-ОБЛУЧЕННЫХ p-GaSe
Аннотация
Установлено, что появление высоко концентрационного ловушечного уровня в запрещенной зоне связано с процессами легирования и облучения в монокристаллах р-GaSe, в результате которых появляются новые структурные дефекты. Эти дефекты влекут за собой ряд изменений: сужение разброса ловушечных состояний вблизи уровня Ферми, уменьшение среднего расстояния между прыжками, а также уменьшение энергии активации. Эти исследования могут быть полезными при создании солнечных элементов.
Об авторах
Г. И. Исаков
Институт Физики НАН Азербайджана
Азербайджан
старший научный сотрудник
Азербайджан
старший научный сотрудник
А. А. Исмаилов
Институт Физики НАН Азербайджана
Азербайджан
Азербайджан
Ф. И. Сеидов
Азербайджанский Технический Университет
Азербайджан
Азербайджан
А. А. Исмаилов
Азербайджанский Технический Университет
Азербайджан
Азербайджан
Список литературы
1. Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Исмаилов А.А. Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле GaSe и GaSe // Изв. РАН Неорганические материалы. 2011. Т. 47, № 9. С. 1040-1043.
2. Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Сеидов Ф.И., Исмаилов А.А. О самокомпенсации в в монокристаллах p-GaSe и n-InSe // Международный журнал «Альтернативная энергетика и экология». 2014. Т. 48, № 1. С. 1-3.
3. Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М., Исмаилов Анар A. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe облученных электронным пучком // Международный журнал «Альтернативная энергетика и экология». 2010. Т. 44, № 6. С.1-3.
4. Mamedbeyli S.D., Mustafaeva S.N., Qajar Ch.O., Salaev E.Yu. Deflection and modulation on the light by layer and chain single crystals // Abstracts of the 9th Intern.Conf. on Ternary and Multinary Compounds. Yakohama, Japan, Аug. 8-12, 1993. P. 126.
5. Мустафаева С.Н. Прыжковая проводимость в монокристаллах р- GaSe на постоянном токе // Неорган. мат. РАН. 1994. Т. 30, № 5. С.619- 621.
6. Stocharger P. Method the Brijmene // Phys.Rev. sei, Enter, 1936, № 7, р.133.
7. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. М.: Мир, 1974.
Рецензия
Для цитирования:
Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Сеидов Ф.И., Исмаилов А.А. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА y-ОБЛУЧЕННЫХ p-GaSe. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(2):16-20.
For citation:
Isakov G.I., Ismailov A.A., Seidov F.I., Ismailov A.A. ELECTRICAL PROPERTIES OF y-IRRADIATED p-GaSe. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(2):16-20. (In Russ.)
Просмотров:
338
Послать статью по эл. почте 