FROM INTERNAL FRICTION TO OPTOELECTRONICS
Abstract
In the article are expounded scientific investigation resultswthich were began jointly with V.S. Postnikov and continued by his disciples. We showthat allinvestigationweredevoted to actualproblems of solid state physics and the needs of the science and technology areas of high technology.
About the Authors
S. I. Rembeza
Voronezh State Technical University
Russian Federation
Russian Federation
V. I. Mitrokhin
Voronezh State Technical University
Russian Federation
Russian Federation
References
1. Postnikov B.C. Vnutrennee trenie v metallah. M.: Metallurgiâ, 1974.
2. Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Èlektronno-mikroskopičeskoe issledovanie makroskopičeskih defektov v SiO2 // FTT. 1971. T. 13, № 4. S. 1025-1027.
3. Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Issledovanie makroskopičeskih defektov v plenkah SiO2 // FHOM. 1972. № 4. S. 35-37.
4. Manohin Û.P., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Samsonov S.S. Struktura okisla sistemy kremnij – dvuokis' kremniâ // FHOM. 1975. № 2. S. 152-153.
5. Kirilov V.I., Devočkin O.V., Postnikov B.C., Rembeza S.I. Fiziko-himiâ processa okisleniâ kremniâ v vozduhe // ŽFH. 1976. T. 18, № 3. S. 1938-1940.
6. Kirillov V.I., Postnikov B.C., Rembeza S.I., Spirin А.I. Temperaturnaâ zavisimost' širiny linij ÈPR v GaAs, kompensirovannom železom // FTT. 1978. T. 18, № 4. S. 1108-1110.
7. Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Spirin А.I. O povedenii hroma v diffuzionno-legirovannom fosfide galliâ // FTP. 1978. T. 12, № 11. S. 2256-2258.
8. Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S. I., Spirin А.I. Zarâdovye sostoâniâ i diffuziâ marganca v fosfide galliâ // FTT. 1980. T. 22, № 11. S. 3322-3326.
9. Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Teslenko V.V. Povedenie Mn v p-GaP // FTT. 1982. T. 24, № 5. S. 1494-1496.
10. Kirillov V.I., Pribylov N.N., Rembeza S. I., Teslenko V.V. Sostoânie primesnyh atomov hroma i kobal'ta v arsenide galliâ Nazvanie stat'i // FTP. 1983. T. 17, № 6. S. 1149-1151.
11. Pribylov N.N., Rembeza S.I. Electron states of iron and its diffusion in gallium phosphide // Phys. Stat Sol(a). 1999. Vol. 172. R. 177-181.
12. Rembeza S.I. Paramagnitnyj rezonans v poluprovodnikah. M.: Metallurgiâ, 1988.
13. Kirillov V.I., Materikin D.I., Rembeza S.I. Fotoionizaciâ glubokih primesnyh centrov v poluprovodnikah, legirovannyh perehodnymi metallami // FTP. 1982. T. 16, № 12. S. 2190-2192.
14. Postnikov B.C., Rembeza S.I., Materikin D.I. Mnogofononnoe pogloŝenie sveta glubokimi zarâ-žennymi centrami v poluprovodnikah // FTT. 1983. T. 25, № 8. S. 2787-2789.
15. Kirillov V.I., Materikin D.I., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Kapustin Û.А. Nature of impurity optica labsorption band in Si, doped with noble metals // Phys. Stat/Sol(b). Vol. 128. P. K163–K167.
16. Zaharov Û.V., Pribylov N.N., Rembeza S.I. Èffekty èlektron-fononnogo vzaimodejstviâ i primes-noj fotoprovodimosti InP // FTP. 1988. T. 22, № 3. S. 485-488.
17. Pribylov N.N., Rembeza S.I., Sustretov А.А. Аmfoternoe povedenie medi v fosfide indiâ // FTP. 1994. T. 28, № 3. S. 467-471.
18. Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Spirin А.I., Suškov S.А. Fotoprovodimost' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // FTP. 1998. T. 32, № 10. S. 1165-1169.
19. Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Spirin А.I., Suškov S.А. Sobstvennaâ fotoprovodimost' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // FTP. 1999. T. 33, № 8. S. 916-920.
20. Pribylov N.N., Buslov V.А., Rembeza S.I., Suškov S.А., Moskvičev А.V. Primesnaâ fotoprovodi-most' fosfida galliâ, kompensirovannogo med'û // Perspektivnye materialy. 2002. № 3. S. 28-31.
21. Rembeza S.I., Pribylov N.N., Makarenko F.V., Mel'nik V.А. Vliânie obrabotki poverhnosti na fotoprovodimost' InP:Cu // FTP. 2008. T. 42, № 5. S. 542-545.
22. Mel'nik V.А., Pribylov N.N., Rembeza S.I., Makarenko F.V. Vnutricentrovye vozbuždennye so-stoâniâ Cu v InP, legirovannom med'û // FTP. 2009. T. 43, № 3. S. 294-296.
23. Postnikov V.S., Paršin А.V., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P. Issledovanie monokristallov poluprovodnikov metodom vnutrennego treniâ // Pis'ma v ŽTF. 1978. T. 4, № 12. S. 740-743.
24. Tan S.G., Barry B.S., Frank W. Ion Implantation in Semiconductor and Other Materials: New-York-London, 1973. P. 19-30.
25. Laszig D., Haasen P. Internal Friction of GaAs with EL2 Defects // Phys. Stat. Sol. A. 1987. Vol. 104, No. 2. P. K-165–K-109.
26. Postnikov B.C., Kirillov V.I., Kapustin Û.А., Borisov B.C. Vliânie obrabotki poverhnosti kremniâ na nizkotemperaturnoe vnutrennee trenie // FHOM. 1985. № 6. S. 98-101.
27. Аleksandrov L.N., Zotov M.I. Vnutrennee trenie i defekty v poluprovodnikah. Novosibirsk: Nauka, 1979.
28. Mil'vidskij M.G., Osvenskij V.B. Strukturnye defekty v monokristallah poluprovodnikov. M.: Metallurgiâ, 1984.
29. Fistul' V.I., Âkovenko А.G., Šelonin E.А. Opredelenie rastvorimosti medi v germanii metodom vnutrennego treniâ. V kn. «Vnutrennee trenie v metallah i neorganičeskih materialah». M.: Nauka, 1982. S. 163-167.
30. Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Sviridov V.V., Âroslavcev N.P. Vnutrennee trenie, svâzannoe s glubokimi urovnâmi v polârnyh poluprovodnikah // FTT. 1985. T. 27, № 7. S. 2081-2085.
31. Borisov V.S., Kapustin Û.А., Kirillov V.I. Neuprugaâ i dièlektričeskaâ relaksaciâ v kompensirovannom kremnii // FTT. 1992. T. 34, №5. S. 1561-1564.
32. Darinskij B.M., Izmajlov N.V., Loginov V.А., Mitrohin V.I., Âroslavcev N.P. Neuprugaâ relaksa-ciâ v tverdyh telah, svâzannaâ s narušeniâmi ih poverhnosti // FTT. 1987. T. 29, № 12. S. 3529-3533.
33. Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P. Vliânie termičeskogo otžiga na vnutrennee trenie v poluizoliruûŝem arsenide galliâ // Izv. RАN. Ser. fizič. 2000. T. 64, № 9. S. 1722-1726.
34. Mockin V.V., Olejnič-Lysûk А.V., Raranskij N.D., Fodčuk I.M. Issledovanie vnutrennego treniâ i èffektivnogo modulâ sdviga monokristalličeskogo kremniâ na načal'nyh stadiâh precipitacii kisloroda // FTP. 2002. T. 32, № 9. S. 1035-1039.
35. Il'in А.S., Maksimov А.I., Mošnikov V.А., Âroslavcev N.P. Vnutrennee trenie v poluprovodnikovyh tonkih plenkah, polučennyh metodom zol'-gel' tehnologii // FTP. 2005. T. 39, № 3. S. 300-304.
36. Аvtorskoe Svidetel'stvo SSSR № 1179183. Sposob opredeleniâ inorodnyh vklûčenij v tverdyh telah / Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Âroslavcev N.P., Izmajlov N.P., Lisovenko V.А. // 1985.
37. Gluškov E.А., Izmajlov N.V., Litvin А.А., Rembeza S.I., Tuzovskij А.N., Turkov S.K., Âroslavcev N.P. O mehanizme obrazovaniâ mikrovklûčenij komponenta А3 v poluprovodnikah А3V5// Izv. АNSSSR, Neorg. mater. 1985. № 12. S. 2103-2105.
38. Mitrohin V.I., Rembeza S. I., Rudenko А.А. Èffekt optičeskogo inducirovaniâ mehaničeskih kolebanij v monokristallah arsenida galliâ // Pis'ma v ŽTF. 2006. T. 32, Vyp. 11. S. 32-36.
39. Mitrohin V.I., Rembeza S.I., Аntonov R.N. Fotop'ezoèlektričeskoe inducirovanie rezonansnyh akustičeskih voln v monokristallah poluizoliruûŝego arsenida galliâ // FTP. 2011. T. 45, Vyp. 12. S. 1611-1616.
40. Patent na poleznuû model' RF № 77735. MPK N03N 7/00. Fotočuvstvitel'nyj fil'tr na poverhnostnyh akustičeskih volnah Nazvanie / Mitrohin V.I., Nikolaev O.V., Rembeza S.I., Kuzevanov L.N. // Prioritet 03.06.2008.
41. Patent RF №2439755, MPK N01R 1/205 №2010119289/07. Fotočuvstvitel'nyj fil'tr na poverhnostnyh akustičeskih volnah / Mitrohin V.I., Nikolaev O.V., Rembeza S.I. Prioritet 13.05.2010 // Opubl. 10.01.2012; Bûl. № 1.
42. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Formirovanie poverhnostnyh periodičeskih struktur pod dejstviem nekogerentnogo izlučeniâ // Pis'ma v ŽTF. 1989. T. 15, Vyp. 15. S. 55-59.
43. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Lokal'noe poverhnostnoe plavlenie ionno-implantirovannogo kremniâ // ŽTF. 1989. T. 59, Vyp. 11. S. 181-183.
44. Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Upravlenie periodom poverhnostnogo rel'efa kondensirovannyh sred // Pis'ma v ŽTF. 1989. T. 15, Vyp. 14. S. 48-52.
45. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Vliânie obrabotki poverhnosti na osobennosti lokal'-nogo plavleniâ kremniâ // Pis'ma v FHOM. 1989. № 2. S. 72-75.
46. Аvtorskoe svidetel'stvo SSSR № 1537080. Sposob kontrolâ urovnâ zagrâzneniâ reaktorov / Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Košman S.M. // 1989.
47. Plotnikov D.I., Loginov V.А., Rembeza S.I. Issledovanie prirody centrov poverhnostnogo plavleniâ poluprovodnikov v usloviâh impul'snogo nagreva // Vysokočistye veŝestva. 1989. № 6. S. 174-178.
48. Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Lokal'noe poverhnostnoe plavlenie termičeski okislennogo kremniâ // Èlektronnaâ tehnika, Ser. Materialy. 1990. № 6. S. 64-67.
49. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Košman S.M., Loginov V.А. Lazernoegetterirovanie kremnievyh pod-ložek dlâ IS // Èlektronnaâ promyšlennost'. 1989. № 8. S. 20-23.
50. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А., Dorofeev А.P. Аnizotropnoe lokal'noe plavlenie ionnoimplantirovannogo borom Si // Kristallografiâ. 1990. T. 35. S. 1523-1526.
51. Plotnikov D.I., Rembeza S.I., Loginov V.А. Issledovanie processov plavleniâ i kristallizacii ionnoimplantirovannogo sur'moj kremniâ, podvergnutogo dejstviû moŝnogo nekogerentnogo izlučeniâ // ŽTF. 1990. T. 60, Vyp. 12. S. 131-134.
52. Plotnikov D.I., Loginov V.А., Rembeza S.I. Vliânie mehaničeskoj obrabotki na anizotropnoe plavlenie plastin kremniâ, implantirovannogo ionami bora // FHOM. 1991. № 2. S. 122-125.
53. Železnyj S.V., Loginov V.А., Plotnikov D.I., Rembeza S.I. Osobennosti lokal'nogo plavleniâ kremniâ pri èlektronnolučevom nagreve // FHOM. 1990. № 2. S. 138-139.
54. Vodânov Û.M., Rembeza S.I., Korotčina G.N., Belozerova L.P. Tonkoplenočnyj sorbcionnokonduktometričeskij datčik // Èlektronika. Ser. 5. 1989. Vyp. 1 (300). S. 111-112.
55. Loginov V.А., Rembeza S.I., Svistova T.V., Ŝerbakov D.Û. Vliânie lazernoj obrabotki na gazovuû čuvstvitel'nost' plenok dioksida olova // Pis'ma v ŽTF. 1998. T. 24, № 7. S. 57-60.
56. Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V., Borsâkova O.I. Electrical resistivity and gas response mecha-nism of nanocrystalline SnO2 films in a wide temperature range // Phys. Stat/Sol (a). 2000. Vol. 179. P. 147-152.
57. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Borsâkova O.I. Mikrostruktura i fizičeskie svojstva tonkih plenok SnO2 // FTP. 2001. T. 35, № 7. S. 796-800.
58. Rembeza S.I., Svistova T.V., Borsâkova O.I., Rembeza E.S. Vliânie primesi Pd na gazočuvstvitel'nye svojstva plenok SnO2 // Sensory. 2001. № 2. S. 37-48.
59. Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V. Electrophysical properties of gas sensitive films SnO2 doped with palladium // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 273-277.
60. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Milašečko V.V. Vliânie primesi platiny na svojstva plenok SnO2, ispol'zuemyh v datčikah gazov // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2004. T. 3. S. 21-24.
61. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Borsâkova O.I. Fizičeskie svojstva plenok SnO2, obrabotannyh nekogerentnym impul'snym izlučeniem // FTP. 2006. T. 40, № 1. S. 57-60.
62. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Gorlova G.V. Èlektričeskie i optičeskie svojstva poluprovodnikovyh plenok na osnove SnO2 i SiO2 // Èlektrotehnika. 2004. T. 10. S. 10-14.
63. Rembeza S.I., Rembeza E.S., Svistova T.V., Kalač А.А., Loginov V.А. Application of metaloxide sensors and cheramic methods for organic substances vapor dection // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 412-416.
64. Rembeza S.I., Rembeza E.S., Domaševskaâ È.P., Grečkina M.V., Аgapov B.L. Vliânie atomnogo sostava oksidnyh nanokompozitov na osnove SnO2 na ih strukturu // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2005. T. 7. S. 25-28.
65. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Dyrdy N.N. Metody povyšeniâ gazočuvstvitel'nyh svojstv plenok SnO2 dlâ datčikov gazov // Izv. vuzov. Èlektronika. 2006. № 1. S. 3-8.
66. Rembeza S.I., Šmatova Û.V., Svistova T.V., Komarova А.S., Dyrda N.N. Struktura i èlektrofizičeskie svojstva nanokompozita SnOx:MnOy // Nano- i mikrosistemnaâ tehnika. 2006. T. 4. S. 27-29.
67. Rembeza S.I., Šmatova Û.V., Svistova T.V., Rembeza E.S., Košeleva N.N. Èlektričeskie i gazosensornye svojstva nanokompozita na osnove SnO2 s mnogostennymiuglerodnymi nanotrubkami // FTP. 2012. T. 46, № 9. S. 1213-1216.
68. Patent RF № 2257567, МПК G01N27/12. Tverdotel'nyj integral'nyj datčik gazov / Rembeza S.I., Bu-slov V.А., Vikin O.G., Rembeza E.S. Prioritet 19.05.2004 // Opubl. 10.01.2006. Bûl. № 1. 2005.
69. Rembeza S.I., Prosvirin D.B., Vikin O.G., Vikin G.А., Buslov V.А., Kulikov D.Û. Osobennosti konstrukcii i tehnologii izgotovleniâ tonkoplenočnyh metallooksidnyh integral'nyh sensorov gazov // Sensor. 2004. № 1. S. 20-28.
70. Rembeza S.I., Prosvirin D.B., Vikin O.G., Vikin G.А., Buslov V.А., Kulikov D.Û. Teplovye perehodnye processy v gazovyh sensorah // Sensor. 2005. № 1. S. 49-54.
71. Kannykin S.V., Kuŝev S.B., Pleškov А.P., Rembeza S.I. Sintez i èlektričeskie svojstva geterostruktury na osnove plenki n-SnO2/p-Si // Izv. vuzov. Materialy èlektronnoj tehniki. 2007. № 2. S. 27-31.
72. Rembeza S.I., Voronov P.E., Rembeza E.S., Sinel'nikov B.M. Sintez, struktura i èlektričeskie svojstva nanokompozita (SnO2)х(In2O3)1 – х (х = 0,5 – 1) // FTP. 2011. T. 45, № 11. S. 1538-1541.
73. Rembeza S.I., Svistova T.V., Rembeza E.S., Košeleva N.N., Plotnikova E.Û. Sintez mnogokomponentnyh metallooksidnyh plenok različnogo sostava (SnO2)X(ZnO)1-X (X = 1 – 0,5) // FTP. 2014. T. 48, № 8. S. 1147-1151
Review
For citations:
Rembeza S.I., Mitrokhin V.I. FROM INTERNAL FRICTION TO OPTOELECTRONICS. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(3):150-158. (In Russ.)
Views:
388
Email this article 