Изложен теоретический подход к определению дефекта массы материального объекта и энергии связи составляющих его частей. Показано, что образование дефекта массы при слиянии взаимодействующих объектов в одно целое является универсальным явлением независимо от пространственного масштаба процесса слияния. Закономерности образования дефекта массы справедливы для всех случаев обменных взаимодействий, независимо от их интенсивности. В частности – для сильного взаимодействия. Получены формулы для расчета дефекта массы материального объекта в приближении парных и тройных взаимодействий частиц, составляющих объект как целое. Определены значения энергии связи протонов в ядре 2He3 и нейтронов в ядре 1H3, а также значение расстояния между протонами в ядре 2He3.
.

Сделан краткий анализ результатов исследований по влиянию постоянного магнитного поля на кинетику доменной структуры и диэлектрические свойства моно- и поликристаллических сегнетоэлектриков. Рассмотрены магнитодоменные
взаимодействия в сегнетоэлектриках, приводящие к изменению характеристик детерминированного хаоса, диэлектрической релаксации и магнитодиэлектрического эффекта. Обсуждается механизм возникновения магнитного момента, создаваемого током переполяризации, при боковом движении 180° доменной стенки.

Сделан краткий анализ перспектив развития термоэлектрических и термовольтаических материалов. Рассмотрены некоторые подходы, которые могут быть основой для повышения термоэлектрической добротности низкотемпературных
материалов. Показаны современные тенденции развития термоэлектрических и термовольтаических материалов.

На примере потенциального термоэлектрического материала оксида меди исследована возможность независимой оптимизации электропроводности материала при сохранении высокого значения термоЭДС оксида с применением электропроводящих многослойных углеродных нанотрубок. Использована растворная технология для получения термоэлектрического композита с наноразмерными элементами структуры.

В работе в краткой форме рассмотрены прикладные вопросы технологии получения, структуры, свойств и применения профилированных монокристаллов медь–алюминий–никель, обладающих эффектами псевдоупругости и памяти формы.

 В обзоре дана общая характеристика современного состояния исследований в области роста нитевидных кристаллов (НК). Изложены физические  основы  выращивания НК  в модели  диффузионно-дислокационного  роста  и  по  схеме  пар-жидкость-кристалл (ПЖК).  Важное  внимание  уделено  критическому  пересмотру  взглядов  на  механизм  роста  ПЖК  и представлению нового капельного (в авторской терминологии) механизма роста кристаллов. Описаны основные принципы  управляемого  выращивания  квазиодномерных  кристаллов,  практическая  реализация  которых  открывает  широкий спектр направлений применения НК в микро- и наноэлектронных устройствах. Описаны некоторые ростовые  эффекты, обусловленные действием капельного механизма.

Проанализированы  эффекты  ионно-плазменного  нанесения  пленочных  покрытий (микро-  и  нанокристаллические композиционные гетероструктуры) с градиентным характером морфологии, фазового и элементного состава, субструктуры и ориентации. Обсуждается перечень подходов к формированию градиентных структур у свободной поверхности для модификации или получения новых свойств материала. Показано, что компоненты плазмы, выступая ассистентами конденсации материала, инициируют механизмы формирования дискретных и компактных, пористых и плотных, изотропных и морфо-анизотропных, аморфных и кристаллических конденсатов. Установлены закономерные связи условий нанесения, морфологических параметров и свойств ионно-плазменного конденсата. 

Методом ионно-лучевого распыления были синтезированы пленки систем Co-С, Ni-C, Co84Nb14Ta2-С, Co45Fe45Zr10-С и Co40Fe40B20-С в широком интервале концентраций углерода 35-63, 12-79, 31-62, 40-80, 35-65 ат.% соответственно. Проведены исследования структуры пленок методом просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ). Выявлены особенности формирования структуры композитов металл-углерод в зависимости от состава и относительной концентрации фаз.

Представлен обзор работ, посвященных исследованию магнитокристаллизационных эффектов, возникающих в полимерах, имеющих в молекулярных цепях слабые двойные связи и радикальные концевые группы. Согласно приведенной качественной модели действие слабых (менее 0,5 Тл) импульсных и постоянных магнитных полей сводится к изменению спинового  состояния  радикальных пар (переходы  типа  триплет-синглет),  что,  в  свою  очередь,  стимулирует протекание реакций, запрещенных по спину в исходном состоянии. В результате меняется морфология полимеров и связанное с этим изменение у них температур кристаллизации и плавления.

Представлен обзор работ, посвященных исследованию фазового и элементного состава, структуры и ориентации пленок силицидов, образующихся при импульсной фотонной обработке (ИФО) некогерентным светом ксеноновых ламп пленок Pt, Pd, Ni, Ti, Mo на монокристаллическом, поликристаллическом и аморфном кремнии и при вакуумной конденсации Pt, Pd, Ni, Ti, Mo на монокристаллический кремний. Показаны общие закономерности и особенности ориентированного фазообразования и субструктуры силицидов Pt, Pd, Ni, Ti, Mo при импульсной фотонной обработке некогерентным излучением ксеноновых ламп пленок металлов на кремнии.

Проведен обзор исследований структуры и свойств стеклообразных диэлектриков, выполненных под непосредственным руководством профессора В.С. Постникова.

В статье изложены результаты научных исследований, начатых совместно с В.С. Постниковым и продолженных его учениками. Показано, что все работы посвящены актуальным проблемам физики твердого тела и потребностям областей
науки и техники высоких технологий.