ОТ ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ К ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
В статье изложены результаты научных исследований, начатых совместно с В.С. Постниковым и продолженных его учениками. Показано, что все работы посвящены актуальным проблемам физики твердого тела и потребностям областей
науки и техники высоких технологий.
Об авторах
С. И. Рембеза
Воронежский государственный технический университет
Россия
Россия
д-р физ.-мат. наук, профессор, зав. кафедрой полупроводниковой электроники и наноэлектроники
В. И. Митрохин
Воронежский государственный технический университет
Россия
Россия
д-р физ.-мат. наук, профессор кафедры полупроводниковой электроники и наноэлектроники
Список литературы
1. Постников B.C. Внутреннее трение в металлах. М.: Металлургия, 1974.
2. Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Электронно-микроскопическое исследование макроскопических дефектов в SiO2 // ФТТ. 1971. Т. 13, № 4. С. 1025-1027.
3. Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Исследование макроскопических дефектов в пленках SiO2 // ФХОМ. 1972. № 4. С. 35-37.
4. Манохин Ю.П., Постников B.C., Рембеза С.И., Самсонов С.С. Структура окисла системы кремний – двуокись кремния // ФХОМ. 1975. № 2. С. 152-153.
5. Кирилов В.И., Девочкин О.В., Постников B.C., Рембеза С.И. Физико-химия процесса окисления кремния в воздухе // ЖФХ. 1976. Т. 18, № 3. С. 1938-1940.
6. Кириллов В.И., Постников B.C., Рембеза С.И., Спирин А.И. Температурная зависимость ширины линий ЭПР в GaAs, компенсированном железом // ФТТ. 1978. Т. 18, № 4. С. 1108-1110.
7. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Спирин А.И. О поведении хрома в диффузионно-легированном фосфиде галлия // ФТП. 1978. Т. 12, № 11. С. 2256-2258.
8. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С. И., Спирин А.И. Зарядовые состояния и диффузия марганца в фосфиде галлия // ФТТ. 1980. Т. 22, № 11. С. 3322-3326.
9. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Тесленко В.В. Поведение Mn в p-GaP // ФТТ. 1982. Т. 24, № 5. С. 1494-1496.
10. Кириллов В.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С. И., Тесленко В.В. Состояние примесных атомов хрома и кобальта в арсениде галлия Название статьи // ФТП. 1983. Т. 17, № 6. С. 1149-1151.
11. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Electron states of iron and its diffusion in gallium phosphide // Phys. Stat Sol(a). 1999. Vol. 172. Р. 177-181.
12. Рембеза С.И. Парамагнитный резонанс в полупроводниках. М.: Металлургия, 1988.
13. Кириллов В.И., Материкин Д.И., Рембеза С.И. Фотоионизация глубоких примесных центров в по-лупроводниках, легированных переходными металлами // ФТП. 1982. Т. 16, № 12. С. 2190-2192.
14. Постников B.C., Рембеза С.И., Материкин Д.И. Многофононное поглощение света глубокими заряженными центрами в полупроводниках // ФТТ. 1983. Т. 25, № 8. С. 2787-2789.
15. Кириллов В.И., Материкин Д.И., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Капустин Ю.А. Nature of impurity optica labsorption band in Si, dopеd with noble metals // Phys. Stat/Sol(b). Vol. 128. P. K163–K167.
16. Захаров Ю.В., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И. Эффекты электрон-фононного взаимодействия и примесной фотопроводимости InP // ФТП. 1988. Т. 22, № 3. С. 485-488.
17. Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Сустретов А.А. Амфотерное поведение меди в фосфиде индия // ФТП. 1994. Т. 28, № 3. С. 467-471.
18. Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А. Фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП. 1998. Т. 32, № 10. С. 1165-1169.
19. Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Спирин А.И., Сушков С.А. Собственная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП. 1999. Т. 33, № 8. С. 916-920.
20. Прибылов Н.Н., Буслов В.А., Рембеза С.И., Сушков С.А., Москвичев А.В. Примесная фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // Перспективные материалы. 2002. № 3. С. 28-31.
21. Рембеза С.И., Прибылов Н.Н., Макаренко Ф.В., Мельник В.А. Влияние обработки поверхности на фотопроводимость InP:Cu // ФТП. 2008. Т. 42, № 5. С. 542-545.
22. Мельник В.А., Прибылов Н.Н., Рембеза С.И., Макаренко Ф.В. Внутрицентровые возбужденные состояния Cu в InP, легированном медью // ФТП. 2009. Т. 43, № 3. С. 294-296.
23. Постников В.С., Паршин А.В., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Исследование монокристаллов полупроводников методом внутреннего трения // Письма в ЖТФ. 1978. Т. 4, № 12. С. 740-743.
24. Tan S.G., Barry B.S., Frank W. Ion Implantation in Semiconductor and Other Materials: New-York-London, 1973. P. 19-30.
25. Laszig D., Haasen P. Internal Friction of GaAs with EL2 Defects // Phys. Stat. Sol. A. 1987. Vol. 104, No. 2. P. K-165–K-109.
26. Постников B.C., Кириллов В.И., Капустин Ю.А., Борисов B.C. Влияние обработки поверхности кремния на низкотемпературное внутреннее трение // ФХОМ. 1985. № 6. С. 98-101.
27. Александров Л.Н., Зотов М.И. Внутреннее трение и дефекты в полупроводниках. Новосибирск: Наука, 1979.
28. Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М.: Металлургия, 1984.
29. Фистуль В.И., Яковенко А.Г., Шелонин Е.А. Определение растворимости меди в германии методом внутреннего трения. В кн. «Внутреннее трение в металлах и неорганических материалах». М.: Наука, 1982. С. 163-167.
30. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Свиридов В.В., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение, связанное с глубокими уровнями в полярных полупроводниках // ФТТ. 1985. Т. 27, № 7. С. 2081-2085.
31. Борисов В.С., Капустин Ю.А., Кириллов В.И. Неупругая и диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии // ФТТ. 1992. Т. 34, №5. С. 1561-1564.
32. Даринский Б.М., Измайлов Н.В., Логинов В.А., Митрохин В.И., Ярославцев Н.П. Неупругая релаксация в твердых телах, связанная с нарушения-ми их поверхности // ФТТ. 1987. Т. 29, № 12. С. 3529-3533.
33. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П. Влияние термического отжига на внутреннее трение в полуизолирующем арсениде галлия // Изв. РАН. Сер. физич. 2000. Т. 64, № 9. С. 1722-1726.
34. Моцкин В.В., Олейнич-Лысюк А.В., Раранский Н.Д., Фодчук И.М. Исследование внутреннего трения и эффективного модуля сдвига монокристаллического кремния на начальных стадиях преципитации кислорода // ФТП. 2002. Т. 32, № 9. С. 1035-1039.
35. Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии // ФТП. 2005. Т. 39, № 3. С. 300-304.
36. Авторское Свидетельство СССР № 1179183. Способ определения инородных включений в твердых телах / Митрохин В.И., Рембеза С.И., Ярославцев Н.П., Измайлов Н.П., Лисовенко В.А. // 1985.
37. Глушков Е.А., Измайлов Н.В., Литвин А.А., Рембеза С.И., Тузовский А.Н., Турков С.К., Ярославцев Н.П. О механизме образования микровключений компонента А3 в полупроводниках А3В5 // Изв. АН СССР, Неорг. матер. 1985. № 12. С. 2103-2105.
38. Митрохин В.И., Рембеза С. И., Руденко А.А. Эффект оптического индуцирования механических колебаний в монокристаллах арсенида галлия // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32, Вып. 11. С. 32-36.
39. Митрохин В.И., Рембеза С.И., Антонов Р.Н. Фотопьезоэлектрическое индуцирование резонансных акустических волн в монокристаллах полуизолирующего арсенида галлия // ФТП. 2011. Т. 45, Вып. 12. С. 1611-1616.
40. Патент на полезную модель РФ № 77735. МПК Н03Н 7/00. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах / Митрохин В.И., Николаев О.В., Рембеза С.И., Кузеванов Л.Н. // Приоритет 03.06.2008.
41. Патент РФ №2439755, МПК Н01Р 1/205 №2010119289/07. Фоточувствительный фильтр на поверхностных акустических волнах / Митрохин В.И., Николаев О.В., Рембеза С.И. Приоритет 13.05.2010 // Опубл. 10.01.2012; Бюл. № 1.
42. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Формирование поверхностных периодических структур под действием некогерентного излучения // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, Вып. 15. С. 55-59.
43. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Локальное поверхностное плавление ионно-имплантированного кремния // ЖТФ. 1989. Т. 59, Вып. 11. С. 181-183.
44. Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Управление периодом поверхностного рельефа конденсированных сред // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15, Вып. 14. С. 48-52.
45. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Влияние обработки поверхности на особенности локального плавления кремния // Письма в ФХОМ. 1989. № 2. С. 72-75.
46. Авторское свидетельство СССР № 1537080. Способ контроля уровня загрязнения реакторов / Плотников Д.И., Рембеза С.И., Кошман С.М. // 1989.
47. Плотников Д.И., Логинов В.А., Рембеза С.И. Исследование природы центров поверхностного плавления полупроводников в условиях импульсного нагрева // Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 174-178.
48. Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Локальное поверхностное плавление термически окисленного кремния // Электронная техника, Сер. Материалы. 1990. № 6. С. 64-67.
49. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Кошман С.М., Логинов В.А. Лазерноегеттерирование кремниевых подложек для ИС // Электронная промышленность. 1989. № 8. С. 20-23.
50. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А., Дорофеев А.П. Анизотропное локальное плавление ионно-имплантированного бором Si // Кристаллография. 1990. Т. 35. С. 1523-1526.
51. Плотников Д.И., Рембеза С.И., Логинов В.А. Исследование процессов плавления и кристаллизации ионно-имплантированного сурьмой кремния, подвергнутого действию мощного некогерентного излучения // ЖТФ. 1990. Т. 60, Вып. 12. С. 131-134.
52. Плотников Д.И., Логинов В.А., Рембеза С.И. Влияние механической обработки на анизотропное плавление пластин кремния, имплантированного ионами бора // ФХОМ. 1991. № 2. С. 122-125.
53. Железный С.В., Логинов В.А., Плотников Д.И., Рембеза С.И. Особенности локального плавления кремния при электроннолучевом нагреве // ФХОМ. 1990. № 2. С. 138-139.
54. Водянов Ю.М., Рембеза С.И., Коротчина Г.Н., Белозерова Л.П. Тонкопленочный сорбционно-кондуктометрический датчик // Электроника. Сер. 5. 1989. Вып. 1 (300). С. 111-112.
55. Логинов В.А., Рембеза С.И., Свистова Т.В., Щербаков Д.Ю. Влияние лазерной обработки на газовую чувствительность пленок диоксида олова // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24, № 7. С. 57-60.
56. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Electrical resistivity and gas response mechanism of nanocrystalline SnO2 films in a wide temperature range // Phys. Stat/Sol (a). 2000. Vol. 179. P. 147-152.
57. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Микроструктура и физические свойства тонких пленок SnO2 // ФТП. 2001. Т. 35, № 7. С. 796-800.
58. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Борсякова О.И., Рембеза Е.С. Влияние примеси Pd на газочувствительные свойства пленок SnO2 // Сенсоры. 2001. № 2. С. 37-48.
59. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В. Electrophysical properties of gas sensitive films SnO2 doped with palladium // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 273-277.
60. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Милашечко В.В. Влияние примеси платины на свойства пленок SnO2, используемых в датчиках газов // Нано- и микросистемная техника. 2004. Т. 3. С. 21-24.
61. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Борсякова О.И. Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением // ФТП. 2006. Т. 40, № 1. С. 57-60.
62. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Горлова Г.В. Электрические и оптические свойства полупроводниковых пленок на основе SnO2 и SiO2 // Электротехника. 2004. Т. 10. С. 10-14.
63. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Калач А.А., Логинов В.А. Application of metaloxide sensors and cheramic methods for organic substances vapor dection // Sensors and Transducers Magazine. 2004. Vol. 44, No. 6. P. 412-416.
64. Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Домашевская Э.П., Гречкина М.В., Агапов Б.Л. Влияние атомного состава оксидных нанокомпозитов на основе SnO2 на их структуру // Нано- и микросистемная техника. 2005. Т. 7. С. 25-28.
65. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Дырды Н.Н. Методы повышения газочувствительных свойств пленок SnO2 для датчиков газов // Изв. вузов. Электроника. 2006. № 1. С. 3-8.
66. Рембеза С.И., Шматова Ю.В., Свистова Т.В., Комарова А.С., Дырда Н.Н. Структура и электрофизические свойства нанокомпозита SnOx:MnOy // На-но- и микросистемная техника. 2006. Т. 4. С. 27-29.
67. Рембеза С.И., Шматова Ю.В., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Кошелева Н.Н. Электрические и газо-сенсорные свойства нанокомпозита на основе SnO2 с многостеннымиуглеродными нанотрубками // ФТП. 2012. Т. 46, № 9. С. 1213-1216.
68. Патент РФ № 2257567, МПК G01N27/12. Твердотельный интегральный датчик газов / Рембеза С.И., Буслов В.А., Викин О.Г., Рембеза Е.С. Приоритет 19.05.2004 // Опубл. 10.01.2006. Бюл. № 1. 2005.
69. Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Особенности конструкции и технологии изготовления тонкопленочных металлооксидных интегральных сенсоров газов // Сенсор. 2004. № 1. С. 20-28.
70. Рембеза С.И., Просвирин Д.Б., Викин О.Г., Викин Г.А., Буслов В.А., Куликов Д.Ю. Тепловые переходные процессы в газовых сенсорах // Сенсор. 2005. № 1. С. 49-54.
71. Канныкин С.В., Кущев С.Б., Плешков А.П., Рембеза С.И. Синтез и электрические свойства гетероструктуры на основе пленки n-SnO2/p-Si // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2007. № 2. С. 27-31.
72. Рембеза С.И., Воронов П.Е., Рембеза Е.С., Синельников Б.М. Синтез, структура и электрические свойства нанокомпозита (SnO2)х(In2O3)1 – х (х = 0,5 – 1) // ФТП. 2011. Т. 45, № 11. С. 1538-1541.
73. Рембеза С.И., Свистова Т.В., Рембеза Е.С., Кошелева Н.Н., Плотникова Е.Ю. Синтез многоком-понентных металлооксидных пленок различного со-става (SnO2)X(ZnO)1-X (X = 1 – 0,5) // ФТП. 2014. Т. 48, № 8. С. 1147-1151.
Рецензия
Для цитирования:
Рембеза С.И., Митрохин В.И. ОТ ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ К ОПТОЭЛЕКТРОНИКЕ. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(3):150-158.
For citation:
Rembeza S.I., Mitrokhin V.I. FROM INTERNAL FRICTION TO OPTOELECTRONICS. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(3):150-158. (In Russ.)
Просмотров:
380
Послать статью по эл. почте 