Фотоэлектрические и оптические свойства бинарных соединений GexSi1-x кремния

Использование энергии обеспечения снабжения альтернативных и возобновляемых источников энергии во всем мире привлекают большой и практический интерес. Растущий интерес к ним вызван экологическими соображениями с одной стороны, и ограниченностью традиционных углеводородных источников энергии – с другой. Особое место среди альтернативных и возобновляемых источников энергии занимают фотоэлектрические преобразователи солнечной энергии, исследование физики, которых превратилось в отдельное научное направление фотовольтаику. Разработка и создание фотоэлементов на основе кремния бинарными соединениями атомами германия Ge_xSi1−_x в объеме, также представляет особый интерес ученых и специалистов. Так как получение кремния с бинарными соединениями кремний-германия с определенными электрофизическими параметрами и структурой позволяет существенно расширить спектральную область чувствительности фотоприемников и эффективности фотоэлементов на основе таких материалов.

1. Бахадырханов М.К., Илиев Х.М., Тачилин С.А., Тошбоев Т. "Влияние дополнительного легирования примесями с глубокими уровнями на параметры кремниевых солнечных элементов и их деградацию", журнал Гелиотехника, 1998 г., № 2, стр. 84-89.

2. Мирсагатов Р.М. Метасбильность центров марганца в твёрдых растворах кремний-германий. ФТП. 1992, в.3, с. 427.

3. Bahadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Zikrillaev N.F., Tursunov M.O. Anomalous Photoelectric Phenomena in Silicon with Nanoclusters of Manganese Atoms. Semiconductors, 2021, Vol. 55, No. 6, pp. 542–545.

4. Bakhadyrkhanov M.K., Isamov S.B., Kenzhaev Z.T., Melebaev D., Zikrillayev Kh.F., Ikhtiyarova G.A. Silicon Photovoltaic Cells with Deep p–n Junction. Applied Solar Energy, 2020, Vol. 56, No. 1, pp. 13-17.

5. Бахадырханов М.К., Абдурахмонов Б.А., Зикриллаев Х.Ф. О состоянии германия в кремнии условиях низкотемпературной диффузии // Технология, оборудование и новые материалы, Приборы. 2018. №5 (215) С. 39-43.6.

6. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Москва, 1962, с. 558.

7. Чирково Е.Г. Особенности спектра длинно-волновой примесей фотопроводимости в компенсированном Ge. ФТП. 1995, С. 1576.

8. Zikrillaev N.F., Koveshnikov S.V., Isamov S.B., Abdurahmonov B.A., Kushiev G.A., Spectral Dependence of the Photoconductivity of GеxSi1 – x Type Graded-Gap Structures Obtained by Diffusion Technology. Semiconductors, 2022, Vol. 56, No. 1, pp. 29-31.

9. Т.М. Бурбаев, Т.Н. Заварицкая, В.А. Курбатов, Н.Н. Мельник, А.А. Цветков, К.С. Журавлев, А.И Никифоров. Оптические свойства монослоев германия на кремнии. ФТП. 2001, №8, С. 979-985.

10. Terakawa Akira, Isomura Masao, Tsuda Shinya. Effect of optimal gap on the stability of α-SiGe solar cells. // 16th Int. Conf. Amorph. Semicond. – Si, and Technol., Kobe, Sept. 4-8, 1995: /CAS 16Pt 2.

11. Пархоменко Ю.Н., Белогорохов А.И., Герасименко Н.Н., Иржак А.В., Лисаченко М.Г. Свойства самоорганизованных SiGe-наноструктур, полученных методом ионной имплантации. Физика и техника полупроводников, 2004, Т.38, В.5, С. 593-597.

12. S. Abedrabbo, D.E. Arafah, O. Gokce, L.S. Wielunski, M. Gharaibeh, O. Celik and N.M. RavindraIon Beam Mixing for Processing of Nanostructure Materials. Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 35, No. 5, 2006.

13. Абдурахмонов Б.А., Зикриллаев Н.Ф., Исамов С.Б., Содиков У.Х., Саитов Э.Б., Сапарниязова З.М., Миркомилова М. Кремний с кластерами примесных атомов – как новый класс материалов для фотоэнергетики. Республиканская научно-техническая конференция «Актуальные проблемы использования альтернативных источников энергии». Карши, 28-29 апреля 2014 г., C. 98-99.

14. Saidov A.S., Razzokov A.S. Growth and Morphological Study of Graded-Gap Si–Si1–xGex–GaAs Structures. Crystallography Reportsthis, 2022, 67(2), стр. 301–305.

15. Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Щукин В.А., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Гетероструктуры с квантовыми точками.