Электрические свойства монокристаллов IN_0,99SM_0,01SE и IN_0,99ER_0,01SE для солнечных элементов

В работе исследованы температурные зависимости электропроводности необлученных и облученных гамма квантами монокристаллов In_0,99Sm_0,01Se и In_0,99Er_0,01Se в температурном интервале 125-300К. Из экспериментальных данных выявлено, что при облучении монокристаллов ã-квантами с дозой 100 крад происходит лечение неконтролируемых дефектов и увеличивается концентрация неравновесных носителей заряда. То есть, радиация приводит к совершенству кристаллов, что является важным фактором для эффективного использования этих материалов в промышленной электронике. Исследования электропроводности позволяет определит энергетические уровни дефектов в необлученных и облученных гамма квантами монокристаллах In_0,99Sm_0,01Se и In_0,99Er_0,01Sе.

Установлено, что при облучении монокристаллов твердых растворов In_0,99Sm_0,01Se и In_0,99Er_0,01Se с дозой 100 крад при низких температурах зависимость ó_Т(ã) (темновая электропроводность) не связаны разогревом носителей заряда электрическим полем. Различие температурной зависимости между необлученными и облученными кристаллами при низких температурах зависит от термического опустошения дефектных центров, а при высоких температурах происходит увеличение концентрации дефектных центров.

Из температурных зависимостей электропроводности определены энергии активации для необлученного и облученного с дозой 100крад монокристаллов твердых растворов In_0,99Sm_0,01Se и In_0,99Er_0,01Se. Установлено, что для необлученного и облученного с дозой 100крад монокристалла твердого раствора In_0,99Sm_0,01Se энергии активации составляли, соответственно Е_ан^еоб =1,1эВ и Е_ао^б=0,56эВ. Для монокристаллов твердых растворов In_0,99Er_0,01Se энергия активации после облучения не изменяется. Определенные из наклона температурных зависимостей электропроводности энергии активации необлученных и облученных In_0,99Er_0,01Se кристаллов одинаковые и составляет Е_ан^еоб = Е_ао^б=0,63эВ.

1. . Segura A., Geusdon J.P., Besson J.M., Chevy A. Fotovoltaic effect in InSe. Application to solar energy conversion. “Rev.Phys. appl.” 1979, t.14, N1, p.253.

2. . Segura A. Geusdon J.P.,Besson J.M., Chevy A. Photoconductivity and fotovoltaic effect in in indium selenide. J.”Appl. Phys.” 1983,t.54,N2,p.876.

3. . Детекторы оптического излучения на основе слоистых кристаллах GaSe и InSe. ЖТФ, 77(2007), с.80-85.

4. . Нагиев К.Х., Салманов В.М. Оптические модуляторы на основе кристаллов GaSe и InSe. Республиканская научная конференция «Актуальные проблемы физики», посвященная 90-летию БГУ. Баку, 16 мая 2009 г., стр.18.

5. . Гусейнов Г.Д., Искендеров Г.И., Керимова Е.М. Взаимодействие мягкого рентгеновского излучения с монокристаллами InSe.

6. . Мустафаева С.Н., Асадов М.М., Исмаилов А.А. Перенос заряда по локализованным состояниям в монокристалле InSe и InSeSn//Физика Низких Температур, 2010, т.36, №4, с.394-397.

7. . Мустафаева С.Н, Асадов М.М., Исмаилов А.А. Влияние -облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSeSn//Физика Низких Температур 2010, т.36, №7, с.805-808.

8. . Исмаилов А.А., Гасымов Ш.Г., Мамедов Т.С., Аллахвердиев К.Р. Влияние давления на электропроводность и эффект холла селенида индия ФТП, 1992, т.26, в.11, с.1994-1996.

9. . Рустамов П.Г., Халилов А.О., Алиджанов М.А., Алиев О.М. Исследование твердых растворов моноселенида самария а InSe. Неорганические материалы, 1978,т.14, №7, с.1261- 1264.

10. . Kerimova E.M., Gasanov N.Z., Ismailov A.A. Electrical and photoelectric properties of solid solutions In1-xErxSe Electrical and photoelectric properties of solid solutions In1-xErxSe GESJ׃ Physics,2019 ,№1(21),рр.53-59.