Preview

Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ платный или только для Подписчиков

О явлении самокомпенсации в монокристаллах p-GaSe , p-GaSe и p-InSe, n-InSe

Полный текст:

Аннотация

Выявлено, что в высокоомных монокристаллах p-GaSe, p-InSe увеличение дозы облучения приводит к незначительному росту электропроводности. В низкоомном кристалле p- GaSe при облучении переход из низкоомного состояния в высокоомное носит скачковый характер, т.е. в случае с монокристаллами р-типа при облучении увеличиваются акцепторные уровни, которые при определенной значении дозы облучения доходят до критического состояния, вызывая при этом скачковое изменение электропроводности. В монокристалле п- InSe при увеличении дозы облучения переход из низкоомного в высокоомного состояния происходит значительно медленнее из-за компенсации акцепторных уровней донорными.

Об авторах

Г. И. Исаков
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана
Россия


А. А. Исмаилов
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана
Россия


Ф. И. Сеидов
Азербайджанский Технический Университет
Россия


Анар А. Исмаилов
Азербайджанский Технический Университет
Россия


Список литературы

1. Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М., Исмаилов Анар А. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe облученных электронным пучком// Международный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2010. т.44, №6, с.1-3.

2. Исаков Г.И., Исмаилов А.А. Влияние электронного облучения на электрические параметры монокристаллов TlGaS2// Международный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2011, т.45, №5, с.55-58.

3. Мустафаева С.Н. Электронные релаксационные процессы с участием локализованных состояний в слоисто-цепочечных полупроводниковых халькогенидах элементов III Б подгруппы /Международная конференция “Fizika - 2005” С.384-387

4. Гасымов Ш.Г., Исмаилов А.А., Мамедов Т.С. и др. Влияние давления на электропроводность и эффект Холла в монокристаллах селенида индия // ФТП, 1992, т.26, №11, с.1995-1997.

5. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. / М.: Мир, 1974, 472с.

6. Абиев А.К. Процессы радиоционного дефектообразования в неоднородных полупроводниках и диэлектриках. Диссер.докт.физ.-мат.наук, Баку 1987, с.217.

7. Ухин Н.А., Бакиров М.Я., Абиев А.К., Абасов Ш.М., Гасумов Г.Л. Измеренние электрических свойств монокристаллов твердых растворов Ge1-xSix вызванное их облучением// ФТП. 1984. т. 18, в. 6, с. 981-985.


Для цитирования:


Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Сеидов Ф.И., Исмаилов А.А. О явлении самокомпенсации в монокристаллах p-GaSe , p-GaSe и p-InSe, n-InSe. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2014;(2):109-111.

For citation:


Isakov G.I., Ismailov A.A., Seidov F.I., Ismailov A.A. The phenomenon of self-compensation in single crystals of p-GaSe, p-GaSe and p-InSe, n-InSe. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2014;(2):109-111. (In Russ.)

Просмотров: 51


ISSN 1608-8298 (Print)