О явлении самокомпенсации в монокристаллах p-GaSe , p-GaSe и p-InSe, n-InSe

Аннотация

Выявлено, что в высокоомных монокристаллах p-GaSe, p-InSe увеличение дозы облучения приводит к незначительному росту электропроводности. В низкоомном кристалле p- GaSe при облучении переход из низкоомного состояния в высокоомное носит скачковый характер, т.е. в случае с монокристаллами р-типа при облучении увеличиваются акцепторные уровни, которые при определенной значении дозы облучения доходят до критического состояния, вызывая при этом скачковое изменение электропроводности. В монокристалле п- InSe при увеличении дозы облучения переход из низкоомного в высокоомного состояния происходит значительно медленнее из-за компенсации акцепторных уровней донорными.