The phenomenon of self-compensation in single crystals of p-GaSe, p-GaSe  and p-InSe, n-InSe

G. I. Isakov; A. A. Ismailov; F. I. Seidov; Anar A. Ismailov

The phenomenon of self-compensation in single crystals of p-GaSe, p-GaSe and p-InSe, n-InSe

G. I. Isakov, A. A. Ismailov, F. I. Seidov, Anar A. Ismailov

Full Text:

PDF (Rus)

Buy (120 RUB) |

Generate QR code

Abstract

The article reports that in a high-resistance single-crystal p-GaSe and p-InSe the increase in radiation results in a slight increase in electrical conductivity. Under http://teacode.com/online/udc/54/54.06.htmlthe irradiation low-resistance p-GaSe crystal low-resistance makes a sharp transition into high-resistance. This occurs because irradiation of single p-type crystals increased the level of available acceptors. The certain threshold value of radiation dose cause a jump in electric conductivity. Irradiation of n -InSe single crystal with the increasing dose cause the compensation of the available acceptors level by donors, and the transition from the low-resistance to high-resistance state occurred much slower .

Keywords

локализация, самокомпенсация, акцепторные, донорные, радиационные дефекты, localization, self-compensation , acceptor , donor , radiation defects

About the Authors

G. I. Isakov

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences
Russian Federation

A. A. Ismailov

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences
Russian Federation

F. I. Seidov

Azerbaijan Technical University
Russian Federation

Anar A. Ismailov

Azerbaijan Technical University
Russian Federation

References

1. Исаков Г.И., Исмаилов А.А., Ахмедзаде Н.Д., Ширинов М.М., Исмаилов Анар А. Влияние генерационно-рекомбинационных процессов на электропроводность монокристаллов GaS и GaSe облученных электронным пучком// Международный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2010. т.44, №6, с.1-3.

2. Исаков Г.И., Исмаилов А.А. Влияние электронного облучения на электрические параметры монокристаллов TlGaS2// Международный журнал Альтернативная энергетика и экология. 2011, т.45, №5, с.55-58.

3. Мустафаева С.Н. Электронные релаксационные процессы с участием локализованных состояний в слоисто-цепочечных полупроводниковых халькогенидах элементов III Б подгруппы /Международная конференция “Fizika - 2005” С.384-387

4. Гасымов Ш.Г., Исмаилов А.А., Мамедов Т.С. и др. Влияние давления на электропроводность и эффект Холла в монокристаллах селенида индия // ФТП, 1992, т.26, №11, с.1995-1997.

5. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. Пер. с англ. / М.: Мир, 1974, 472с.

6. Абиев А.К. Процессы радиоционного дефектообразования в неоднородных полупроводниках и диэлектриках. Диссер.докт.физ.-мат.наук, Баку 1987, с.217.

7. Ухин Н.А., Бакиров М.Я., Абиев А.К., Абасов Ш.М., Гасумов Г.Л. Измеренние электрических свойств монокристаллов твердых растворов Ge1-xSix вызванное их облучением// ФТП. 1984. т. 18, в. 6, с. 981-985.

Review

For citations:

Isakov G.I., Ismailov A.A., Seidov F.I., Ismailov A.A. The phenomenon of self-compensation in single crystals of p-GaSe, p-GaSe and p-InSe, n-InSe. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2014;(2):109-111. (In Russ.)

ISSN 1608-8298 (Print)

Username
Password
	Remember me

User

Alternative Energy and Ecology (ISJAEE)