РЕСУРСО- И ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ
https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.019
Аннотация
Пористый кремний целесообразно получать методом электрохимического травления. Пористость полученных образцов составила порядка 70 %. Толщина пористого слоя (150–250) нм. Результаты измерения полного коэффициента отражения для солнечных элементов с различными толщинами слоев пористого кремния показали увеличение поглощающей способности пористого кремния с ростом его толщины, что прямо указывает на возможность использования этого материала в солнечных элементах. Слой пористого кремния толщиной от 70 мкм имеет большую рассеивающую способность, чем слои меньшей толщины. Таким образом, использование пористого кремния в качестве сырья для получения солнечных элементов имеет широкие перспективы развития. Такие структуры обладают явным преимуществом перед традиционными и позволяют значительно оптимизировать технологию получения фотовольтаических устройств.
Об авторе
Я. А. Сычикова
Бердянский государственный педагогический университет
Украина
Украина
канд. физ.-мат. наук, доцент Бердянского государственного педагогического университета
Список литературы
1. Алфёров Ж.И., Андреев В.М., Румянцев В.Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фото-энергетики // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38, Вып. 8. С. 937–948.
2. Швец Е.Я., Коломоец А.Г. Оценка перспектив применения арсенида галлия и сплавов на его основе в качестве материалов для солнечных элементов // Металургія. 2013. 2 (30). С. 132–136.
3. Sychikova Y.A., Kidalov V.V., Sukach G.A. Mor-phology of porous n-InP (100) obtained by electrochem-ical etching in HCl solution // Functional Materials. 2010. Vol. 17, № 1. P. 1–4.
4. Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А. Влияние дислокаций на процесс порообразования в монокристаллах n-InP (111) // Физика и техника полу-проводников. 2011. Т. 45, № 1. С. 123–126.
5. Сычикова Я.А., Кидалов В.В., Сукач Г.А. Зависимость величины порогового напряжения порообразования фосфида индия от состава электролита // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2013. № 5. С. 1–6.
6. Деспотулин А., Андреева А. Суперконденсаторы для электроники // Современная электроника. 2006. № 5. С. 13–14.
7. Крутиков А. Альтернативные источники хранения энергии // Силовая электроника. 2005. № 3. С. 22–25.
8. Иванов A.M., Герасимов А.Ф. Молекулярные накопители электрической энергии на основе двойного электрического слоя // Электричество. 1991. № 8. С. 16–19.
9. Деныциков К.К., Щербина Б.В. Состояние техники и рынка суперконденсаторов. М.: изд. МГУ прикладной биотехнологии. 2004.С. 100.
10. Denshchikov K. Stacked Supercapacitor Tech-nology // New Perspectives & Chances, Supercaps Eu-rope – European Meeting on Supercapacitors: Develop-ment and Implementation in Energy and Transportation Techniques. Berlin, Germany, Nov. 2005.
Рецензия
Для цитирования:
Сычикова Я.А. РЕСУРСО- И ЭНЕРГОСБЕРЕГАЮЩИЕ ТЕХНОЛОГИИ НА ОСНОВЕ НАНОСТРУКТУРИРОВАННОГО КРЕМНИЯ. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2015;(19):136-141. https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.019
For citation:
Suchikova y.A. RESOURCE AND ENERGY SAVING TECHNOLOGIES BASED ON NANOSTRUCTURED SILICON. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2015;(19):136-141. (In Russ.) https://doi.org/10.15518/isjaee.2015.19.019
Просмотров:
791
Послать статью по эл. почте 