Preview

Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE)

Расширенный поиск
Доступ открыт Открытый доступ  Доступ закрыт Доступ платный или только для Подписчиков

Фотоактивность пленочной системы Cd-углерод

Аннотация

В данной статье представлены результаты исследования фотоактивных пленочных систем металл-углерод на примере системы кадмий - линейно-цепочечный углерод (Cd-ЛЦУ) и приведено сравнение некоторых свойств данной системы с прозрачной проводящей системой CdO. Методом твердофазного синтеза были получены тонкие пленки CdO и Cd-ЛЦУ. Приведены спектры пропускания и вольт-амперные характеристики систем. Было показано, что коэффициент пропускания системы Cd-ЛЦУ выше, чем у CdO. Определена ширина запрещенной зоны данных систем. Было получено прозрачное проводящее покрытие, по ряду характеристик превосходящее CdO. Данные пленки могут быть использованы в качестве прозрачных электродов, антиотражающих покрытий в фотоэлектрических преобразователях, солнечных элементов и других оптоэлектронных устройств.

Об авторах

Анна Владимировна Кокшина
Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова
Россия


Валерий Данилович Кочаков
Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова
Россия


Александр Вячеславович Смирнов
Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова
Россия


Список литературы

1. Yakuphanoglu F. Nanocluster n-CdO thin film by sol-gel for solar cell applications // Applied Surface Science. 2010. No. 257. P. 1413-1419.

2. Zaien M., Ahmed N.M., Hassan Z. Fabrication and characterization of nanocrystalline n-CdO/p-Si as a solar cell // Superlattices and Microstructures. 2012. № 52. P. 800-806.

3. Ismail R.A., Abdulrazaq O.A. A new route for fabricating CdO/c-Si heterojunction solar cells // Solar Energy Materials & Solar Cells. 2007. № 91. P. 903-907.

4. Aksoy S., Caglar Y. Electrical Properties of n-CdO/p-Si Heterojunction Diode Fabricated by Sol Gel // World Academy of Science, Engineering and Technology. 2011. №5. P. 1473-1476.

5. Солован М.Н., Брус В.В., Марьянчук П.Д. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-CdO/p-Si // Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. C. 926-931.

6. Ortega M., Santana G., Morales-Acevedo A. Optoelectronic properties of CdO-Si heterojunctions // Superficies y Vacio. 1999. № 9. P. 294-295.

7. Khallafa H., Chenb C., Chang L. Investigation of chemical bath deposition of CdO thin films using three different complexing agents // Applied Surface Science. 2011. № 257. Р. 9237-9242.

8. Hosseinian A., Mahjoub A.R., Movahedi M. Low temperature synthesis and characterization of nanocrystalline CdO film by using a solvothermal method without any additives // Journal of Applied Chemical Researches Summer. 2010. Vol. 4, No. 14. Р. 43-46.

9. Naje A.N. Optical Characteristics of CdO Nanostructure // Physical Review & Research International. 2013. № 3 (4). P. 472-478.


Рецензия

Для цитирования:


Кокшина А.В., Кочаков В.Д., Смирнов А.В. Фотоактивность пленочной системы Cd-углерод. Альтернативная энергетика и экология (ISJAEE). 2014;(17):72-77.

For citation:


Kokshina A.V., Kochakov V.D., Smirnov A.V. Photoactivity of film system Cd-carbon. Alternative Energy and Ecology (ISJAEE). 2014;(17):72-77. (In Russ.)

Просмотров: 380


ISSN 1608-8298 (Print)